专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高压P型横向双扩散金属氧化半导体场效应-CN201510003131.X有效
  • 张广胜;张森;卞鹏;胡小龙 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2015-01-05 - 2018-11-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化半导体场效应管,包括衬底,还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化半导体场效应管,以及形成于N型横向双扩散金属氧化半导体场效应管的漏极的P型金属氧化半导体场效应管;P型金属氧化半导体场效应管的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化半导体场效应管的栅极;P型金属氧化半导体场效应管的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化半导体场效应管的漏极;N型横向双扩散金属氧化半导体场效应管的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化半导体场效应管的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化半导体场效应管的工艺简单且成本较低,并具有耐高压性能。
  • 高压横向扩散金属氧化物半导体场效应
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202311107760.8在审
  • 任真伟;王晓 - 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
  • 2023-08-31 - 2023-09-29 - H01L27/02
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法,同一半导体器件上集成有并联设置且共用源极沟槽结构的结型场效应管和金属氧化效应管,能对结型场效应管和金属氧化效应管进行同步开关控制,利用结型场效应管的沟道关闭能力比金属氧化效应管的沟道关闭能力弱的原理,在同步关闭结型场效应管和金属氧化效应管时,使得浪涌电流优先通过结型场效应管的导电沟道,解决了金属氧化效应管在反向浪涌状态下的电流泄放问题,能避免反向浪涌电流引起的金属氧化效应管的雪崩发热现象和雪崩位错现象,改善了抗浪涌能力,提升了可靠性;同时,对应制作方法与沟槽型金属氧化效应管的制作工艺兼容,工艺流程简单,成本低。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]互补金属氧化半导体场效应晶体管结构-CN201010235500.5有效
  • 高明辉;彭树根;肖军 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2010-07-23 - 2010-12-15 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧化半导体场效应晶体管结构,包括:布置在底部绝缘体上的第一导电类型的第一金属氧化半导体场效应晶体管和第二导电类型的第二金属氧化半导体场效应晶体管;其中,第一金属氧化半导体场效应晶体管与第二金属氧化半导体场效应晶体管共用栅极区域,并且围绕所述栅极区域依次布置有第一金属氧化半导体场效应晶体管的源极区域、第二金属氧化半导体场效应晶体管的源极区域、第一金属氧化半导体场效应晶体管的漏极区域、以及第二金属氧化半导体场效应晶体管的漏极区域本发明所提供的互补金属氧化半导体场效应晶体管结构减小了器件结构,并改进了器件性能。
  • 互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构
  • [发明专利]皂苷缀合-CN201980092610.X在审
  • 鲁本·波斯特尔;亨德里克·福斯 - 萨普雷米科技有限公司;夏里特柏林大学医学院
  • 2019-12-09 - 2021-10-12 - A61K47/55
  • 本发明还涉及包含根据本发明的效应子部分的抗体‑药物缀合,或者包含本发明的效应子部分的配体‑药物缀合,所述效应子部分包含共价偶联的皂苷。本发明还涉及一种治疗性组合,其包含:(a)本发明的效应子部分,所述效应子部分包含至少一个皂苷和任选的药学上可接受的赋形剂;以及(b)抗体‑药物缀合或配体‑药物缀合,以及任选的药学上可接受的赋形剂。此外,本发明涉及药物组合,其包含本发明的效应子部分或本发明的抗体‑药物缀合或本发明的配体‑药物缀合(其包含与效应分子共价连接的至少一个皂苷)和任选的药学上可接受的赋形剂。本发明还涉及本发明的效应子部分或本发明的抗体‑药物缀合或本发明的治疗性组合或本发明的配体‑药物缀合或本发明的药物组合,其用作药物。最后,本发明还涉及本发明的效应子部分或本发明的抗体‑药物缀合或本发明的治疗性组合或本发明的配体‑药物缀合或本发明的药物组合,其用于治疗或预防癌症或自身免疫疾病。
  • 皂苷缀合物
  • [发明专利]一种单芯片集成电路-CN201510244422.8在审
  • 周祥瑞;吴宗宪 - 无锡昕智隆电子科技有限公司
  • 2015-05-13 - 2015-09-30 - H01L27/10
  • 本发明涉及一种单芯片集成电路,包括器件本体,所述器件本体的外周包裹有终端环结构,所述器件本体的底端固定有金属电极;所述器件本体包括第一金属氧化半导体场效应管、第二金属氧化半导体场效应管和二极管,所述第一金属氧化半导体场效应管置于所述第二金属氧化半导体场效应管并列排布,所述二级管集成在所述第一金属氧化半导体场效应管或所述第二金属氧化半导体场效应管中,所述第一金属氧化半导体场效应管和所述第二金属氧化半导体场效应管均与所述金属电极连接。
  • 一种芯片集成电路
  • [发明专利]半导体元件-CN201710205482.8有效
  • 温文莹 - 新唐科技股份有限公司
  • 2017-03-31 - 2021-03-12 - H01L29/78
  • 本发明提供一种半导体元件,包括具有第一导电型的基底、金属氧化半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、隔离结构以及具有第二导电型的埋入层。金属氧化半导体场效应晶体管位于基底上。结型场效应晶体管位于基底上。隔离结构位于金属氧化半导体场效应晶体管与结型场效应晶体管之间。埋入层位于金属氧化半导体场效应晶体管与基底之间。埋入层自金属氧化半导体场效应晶体管的下方延伸至隔离结构的下方以及结型场效应晶体管的下方。
  • 半导体元件

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