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[发明专利]半导体测试结构、其形成方法及导电插塞性能的测试方法-CN201510728589.1在审
发明人：黄冲;李志国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体测试结构、其形成方法及导电插塞性能的测试方法。在基底的器件区与测试区同时形成第M+1层金属图案时，对于测试区，暴露出待金属互连的导电插塞的部分区域，对于器件区，第M+1层金属图案完全覆盖其下的导电插塞，使得若器件区存在过清洗问题，则腐蚀液对测试区的导电插塞腐蚀程度大于对器件区的导电插塞的腐蚀程度；因而，若测试过程中，测试区的导电插塞电连接性能合格，则器件区的导电插塞的电连接性能肯定合格。此外，为利用现有测试结构中导电插塞性能是否合格的判断标准，将测试区的第M+1层金属图案与其下的导电插塞的接触面积选为单个导电插塞的面积，即两者之间的接触电阻与现有测试结构中接触电阻大小相等。
半导体测试结构形成方法导电性能

[发明专利]用于插塞耦联装置的插塞器部件以及具有插塞器部件的插塞耦联装置-CN201680091406.2有效
发明人：达维德·鲁克维德;拉尔夫·赛特 -专利权人：阿尔弗雷德·卡赫欧洲两合公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： F16L37/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于针对高压清洁装置的液体线路的插塞耦联装置(10)的插塞器部件(12)，其中，插塞器部件(12)具有用于处于高压下的液体的、与插塞器部件(12)的纵轴线(16)同轴延伸的贯通通道(18)并且构造出插塞接头(20)，插塞接头能插入插塞耦联装置的插口部件(14)的配属的插塞器容纳部(72)中，并且可以与插塞器容纳部(72)以能松脱的方式锁定。插塞接头(20)具有圆柱形的第一滑动引导区段(38)，在其中布置有具有密封环(36)的在周向方向上环绕的密封环槽(34)；并且具有圆柱形的第二滑动引导区段(44)以及卡锁容纳部，插口部件(14)的两个相互平行取向的为了改进插塞器部件，使其在插入插塞器容纳部中时不歪斜并且也不意外地从插塞器容纳部中松脱，提出的是：第二滑动引导区段(44)的外直径比第一滑动引导区段(32)的外直径大至少四分之一，并且卡锁容纳部布置在第二滑动引导区段
用于插塞耦联装置插塞器部件以及具有

[发明专利]存储器及其形成方法-CN202010209621.6在审
发明人：童宇诚;张钦福 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，此时还有利于进一步实现接触插塞不仅能够与字线的顶表面连接，还可以与字线的侧壁连接，大大增加接触插塞和字线之间的接触面积。即，本发明提供的存储器，不仅有利于降低接触插塞的制备难度，还可以提高接触插塞和字线之间的连接性能。
存储器及其形成方法

[实用新型]存储器-CN202020375883.5有效
发明人：童宇诚;张钦福 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，此时还有利于进一步实现接触插塞不仅能够与字线的顶表面连接，还可以与字线的侧壁连接，大大增加接触插塞和字线之间的接触面积。即，本实用新型提供的存储器，不仅有利于降低接触插塞的制备难度，还可以提高接触插塞和字线之间的连接性能。
存储器

[发明专利]插塞结构及其制作工艺-CN201310109084.8在审
发明人：洪庆文;黄志森;曹博昭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开一种插塞结构及其制作工艺，该插塞结构包含一第一介电层、一第二介电层、一阻障层以及一第二插塞。第一介电层位于一基底上，第一介电层具有一第一插塞位于其中，其中第一插塞连接位于基底中的一源/漏极。第二介电层位于第一介电层上，且第二介电层具有一开口暴露出第一插塞。阻障层顺应覆盖开口，其中阻障层具有一底部以及一侧壁部，且底部为单层并连接第一插塞，而侧壁部为双层。第二插塞填满开口并位于阻障层上。此外，本发明更提供一种形成此插塞结构的制作工艺。
结构及其制作工艺

[发明专利]半导体装置-CN201910119085.8在审
发明人：全辉璨;洪瑟气;金贤洙;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。
接触插塞栅极结构绝缘中间层上表面源图案半导体装置连接图案延伸穿过栅电极接触栅极绝缘层栅电极侧壁覆盖基底图案

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201610642822.9有效
发明人：李广宁;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底中形成沟槽；在所述沟槽中填充金属形成第一插塞，且所述第一插塞的上表面高于所述第一衬底的一表面；提供第二衬底，所述第二衬底中具有第二插塞及与所述第二插塞的一端连接的器件层，所述第二插塞的另一端在所述第二衬底的一表面处暴露；以及将所述第一衬底的一表面与所述第二衬底的一表面键合，且所述第一插塞与所述第二插塞电性连接，所述第一插塞和所述第二插塞形成通孔。
半导体器件制备方法

[发明专利]插塞结构及其制作工艺-CN202010253793.3有效
发明人：洪庆文;黄志森;曹博昭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种插塞结构及其制作工艺，该插塞结构包含一第一介电层、一第二介电层、一阻障层以及一第二插塞。第一介电层位于一基底上，第一介电层具有一第一插塞位于其中，其中第一插塞连接位于基底中的一源/漏极。第二介电层位于第一介电层上，且第二介电层具有一开口暴露出第一插塞。阻障层顺应覆盖开口，其中阻障层具有一底部以及一侧壁部，且底部为单层并连接第一插塞，而侧壁部为双层。第二插塞填满开口并位于阻障层上。此外，本发明更提供一种形成此插塞结构的制作工艺。
结构及其制作工艺

[发明专利]控制设备的印制电路板组件、控制设备和信号处理装置-CN201310523177.5有效
发明人： G.德鲁;M.宾德;T.里普尔 -专利权人：大陆汽车有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：该印制电路板组件具有多层印制电路板和插塞部件，印制电路板具有主区段、连接端区段和弯曲的连接区段，弯曲的连接区段布置在主区段和连接端区段之间并且将它们机械和电连接，该插塞部件具有分别包括至少一个插塞连接器的第一和第二插塞连接器排列，每个插塞连接器具有多个具有连接端部件和接触销的连接元件，连接端部件布置在共同的夹持器中，接触销与连接端区段电和机械连接，第一和第二插塞连接器排列在倾斜于主区段的主伸展平面的堆叠方向上彼此相继，使得第一插塞连接器排列具有比第二插塞连接器排列离主区段更大的距离，弯曲的连接区段半柔性地构造。
控制设备印制电路板组件信号处理装置

[发明专利]密封插塞装置和密封插塞方法-CN201780087066.0有效
发明人：堀川刚;东修平 -专利权人：株式会社水道技术开发机构
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： F16L55/00 文献下载
摘要：一种安装在设置于流体管侧面的穿孔口的密封插塞装置(2)，其中固定于插塞主体(4)的密封橡胶(5)具有：内唇(51)，其具有越向前方越向内周侧倾斜的外周表面(51a)并沿着所述穿孔口的周缘延伸；狭缝(52
密封装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110198188.5在审
发明人：权世汉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，其通过排除储存节点与储存节点接触插塞之间的连接结构来确保储存节点与储存节点接触插塞之间的重叠裕度以及加工裕度。半导体器件包括：设置在位线结构之间的储存节点接触孔；填充储存节点接触孔的下部的第一插塞；从第一插塞突出的第二插塞；覆盖第二插塞的侧壁的绝缘层间隔物；以及位于比第二插塞高的水平处并且包括与第二插塞的另一侧壁和第一插塞的顶表面的一部分接触的延伸部的储存节点
半导体器件及其制造方法

[发明专利]尤其用于电气回路的电缆与导电结构之间的连接装置-CN200980132541.7有效
发明人：吉恩-卢克·比亚斯;迪迪尔·劳伦特;瑟奇·罗克斯 -专利权人：雷比诺公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01R4/48 文献下载
摘要：本发明提供了电气回路的两个元件之间的连接装置。该连接装置包括凹型连接插座(15)、凸型插塞(17)以及锁紧弹簧(40)，所述凹型连接插座(15)紧固到导电结构(13)，所述凸型插塞(17)连接至线缆(12)，所述插塞包括凹槽(37)，所述锁紧弹簧(40)与插塞和插座配合。
尤其用于电气回路电缆导电结构之间连接装置

[发明专利]熔丝结构及形成方法-CN202011086700.9在审
发明人：王蒙蒙;黄信斌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种熔丝结构及形成方法，其中，熔丝结构包括：第一电介质层，以及贯穿所述第一电介质层的至少两个分立的第一导电插塞；第二导电插塞，所述第二导电插塞电连接至少两个所述第一导电插塞；顶层金属层，所述顶层金属层电连接所述第二导电插塞，且位于所述第二导电插塞远离所述第一导电插塞的一侧；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层顶部，且所述第二导电插塞以及所述顶层金属层位于所述第二电介质层内
结构形成方法

[发明专利]用于将插塞连接器接触部件固定在插塞连接器壳体中的装置-CN200410003790.5有效
发明人：马丁·施密特 -专利权人：哈廷电子有限公司及两合公司
申请日： 2004-01-30 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01R13/502 文献下载
摘要：为了将一个配有薄板法兰的插塞连接器接触部件固定在一个由两个相互连接的矩形半壳构成的插塞连接器壳体里面，本发明提出一种固定装置，该装置分别设置在半壳的角部区域。在装配插塞连接器时，薄板法兰装进容纳缝隙中，并且两个半壳相互连接，其中所述弹性部件保证将插塞连接器接触部件耐振地固定在插塞连接器壳体里面。
用于将插塞连接器接触部件固定壳体中的装置

[发明专利]扁平插塞连接器装置和用于扁平插塞连接器装置的扁平接触部-CN201980083049.9有效
发明人：米歇尔·霍尔;蒂尔·林格尔;菲利普·巴布钦斯基 -专利权人：科世达汽车电气有限及两合公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01R13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有扁平接触部的扁平插塞连接器装置，所述扁平接触部具有刀式接触部段，所述扁平插塞连接器装置还具有配合插塞连接器，所述配合插塞连接器具有适用于接收刀式接触部段的接触弹簧对，所述扁平插塞连接器装置此外具有用于减弱刀式接触部段和接触弹簧对之间的相对运动的弹簧臂本发明此外涉及为该扁平插塞连接器装置有利地构造的扁平接触部。
扁平连接器装置用于接触