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[发明专利]一种掺杂镁的锂钒钛复合材料的制备方法-CN201210492865.5在审
发明人：姜波 -专利权人：上海锦众信息科技有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂镁的锂钒钛复合材料的制备方法：将五氧化二钒和草酸溶于去离子水，形成溶液1，将碳酸锂和磷酸二氢铵源加入溶液1中，搅拌形成溶液2，将甘氨酸在超声分散条件下溶于去离子水，得到溶液3，将溶液3缓慢滴加到溶液2中，得到溶液4，反应得到单斜Li3V2(PO4)3；按分子式Li4-xMgxTi5O12/Li3V2(PO4)3配料，其中0.1≤x≤0.3；将准备好的原料，球磨后煅烧，得到掺镁钛酸锂本发明制备的钛酸锂碳复合负极材料，采用了钛酸锂和磷酸钒锂的复合材料并掺杂有镁，因此具有高的倍率和超稳定的循环性能，还具有较高的能量密度，用于锂离子电池时，比容量高，循环性能好，使用寿命长。
一种掺杂锂钒钛复合材料制备方法

[发明专利]一种钒铌酸盐纳米线的制备方法-CN201710368573.3在审
发明人：殷艺晅;李星 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钒铌酸盐KLiV3Nb3O16纳米线的制备方法，本发明将一定量的醋酸锂、偏钒酸铵、草酸铌、草酸和醋酸钾溶于一定体积的N,N‑二甲基甲酰胺中，然后加入适量的聚乙烯吡咯烷酮，搅拌，得到浅灰色的前驱体混合物溶液电化学实验证明本方法制备的钒铌酸盐KLiV3Nb3O16纳米线作为锂离子电池负极材料具有广阔的应用前景。在整个制备过程中，操作简单，原料成本低，设备投资少，适合批量生产。
一种钒铌酸盐纳米制备方法

[发明专利]锆酸锂-磷酸钒锂复合电极材料及其制备方法与应用-CN201810397933.7有效
发明人：曹晓雨;朱利敏;莫璐璐;谢玲玲 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种锆酸锂‑磷酸钒锂复合电极材料，它包括磷酸钒锂和依次包覆在所述磷酸钒锂表面的碳单质、锆酸锂；碳单质和锆酸锂的包覆可以有效提高电极材料的比容量，改善其循环性能。同时，本发明还提供该锆酸锂‑磷酸钒锂复合电极材料的制备方法与应用，制备方法简单易操作，可以制备得到碳单质、锆酸锂均匀包覆的电极材料，具有广阔的应用前景。
锆酸锂磷酸复合电极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种光子集成增益探测器结构-CN202211167921.8在审
发明人：隋军;韩付海;余朝晃 -专利权人：中科鑫通微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明光子集成增益探测器结构，集成掺铒薄膜铌酸锂波导放大器和InP/InGaAs雪崩光电二极管，可实现光信号两级增益放大。
一种光子集成增益探测器结构

[发明专利]一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法-CN201611192111.2有效
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜；制备方法采用将键合体先研磨再退火，然后抛光的方式制备出目标厚度的硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，采用该方法制备的单晶薄膜不仅能够保持钽酸锂或铌酸锂材料的特性，薄膜与硅基底的键合界面清晰，而且能制备出大尺寸、微米级厚度、低残余应力和低缺陷密度的单晶薄膜
制备硅基薄膜钽酸锂铌酸锂单晶基底层微米级退火单晶薄膜功能层合体钽酸锂薄膜铌酸锂薄膜铌酸锂材料残余应力键合界面抛光形变研磨低缺陷清晰

[发明专利]一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件-CN201510703267.1在审
发明人：王定理;傅力;李林松;王任凡 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件，本发明方法在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的介质膜；在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口；在掩模窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；制作调制电极；对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面进行切割，在光输入端面和光输出端面分别制作有增透作用的介质膜；采用本发明的方法，能显著提高铌酸锂光波导芯片的偏振消光比，改善芯片的光学特性。
一种铌酸锂光波导器件制作方法及其

[发明专利]铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法-CN201710953193.6在审
发明人：丁婷婷;郑远林;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：一种铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法，通过首先在铌酸锂单晶薄膜样品表面甩胶后模压得到纳米梳状结构，然后在纳米梳状结构上镀制金属膜层作为顶电极，再通过铌酸锂单晶薄膜样品中的导电电极层和顶电极进行极化处理，最后通过去除甩胶和导电电极层，得到周期性极化铌酸锂薄膜。本发明制备流程方便易操作，通过本发明可以在几百纳米厚的铌酸锂单晶薄膜上获得大面积的纳米级周期性极化畴反转结构。
铌酸锂薄膜纳米周期性极化方法

[发明专利]一种铌酸锂微环与波导集成器件及其制备方法-CN202010171007.5有效
发明人：程亚;方致伟;王哲;汪旻 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂微环与波导集成器件及其制备方法，利用化学机械抛光技术将两片铌酸锂薄膜基片上的微环和波导分别进行抛光减薄，再将这两片铌酸锂薄膜基片对齐贴合并用胶水固化，进而实现铌酸锂微环与波导集成器件本发明基于化学机械抛光工艺的铌酸锂微环与波导集成器件具有空间形状可任意设计、尺寸可调、稳固集成的特点，在光信号处理、精密测量、非线性光学和量子光学等高科技领域具有很大应用前景。
一种铌酸锂微环波导集成器件及其制备方法

[发明专利]折叠式硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法-CN201910715011.0在审
发明人：陈朋鑫;蔡浚明;刘柳;胡金耀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种折叠式硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，包括硅基输入波导，硅基光分路器，硅‑铌酸锂波导耦合结构，第一条波导臂，第二条波导臂，硅基光合路器，硅基输出波导，硅基波导交叉结构，三个电极；其中第一条波导臂、第二条波导臂均包括硅‑铌酸锂波导耦合结构及两条以上铌酸锂波导；第一条波导臂、第二条波导臂还包括硅基弯曲波导，硅基交叉结构；在光路转弯前铌酸锂光波导中的光通过硅‑铌酸锂波导耦合结构从铌酸锂波导中耦合到硅基光波导中
硅基波导臂铌酸锂波导交叉结构耦合结构光路硅基波导弯曲波导转弯铌酸锂光波导电光调制器硅基光波导光分路器光合路器混合集成输出波导输入波导调制器折叠式铌酸锂耦合到电极波导制备转换

[发明专利]一种混合调制器及制备方法-CN202111151650.2在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请公开了一种混合调制器及制备方法，其中，一种混合调制器，包括绝缘体上铌酸锂结构，绝缘体上铌酸锂结构包括依次层叠设置的硅衬底层、二氧化硅光隔离层和铌酸锂薄膜层；在铌酸锂薄膜层远离二氧化硅光隔离层的一侧由于在硅波导层和铌酸锂薄膜层之间加入了氮化硅材料作为过渡波导，本混合调制器实现了硅材料与铌酸锂材料的光学集成。同时，氮化硅材料作为加载条形波导，可以避免在混合调制器制备过程中铌酸锂材料受刻蚀，从而易于设计无源器件。
一种混合调制器制备方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜刻蚀方法-CN202210400657.1在审
发明人：郑煜;唐昕;成杰;段吉安 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-04-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，包括硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂芯层、第一铬金属阻挡层；针对现有的干法刻蚀重新对氟基气体和氩离子刻蚀环节进行优化，以氟基气体为主的化学物理作用侧重于提高刻蚀效率和增加刻蚀深度，以氩离子为主的物理作用侧重于去除前一种刻蚀方法中生成的氟化锂固体沉积物，两者相互结合以实现铌酸锂薄膜的高效和高质量刻蚀。尤其是对于大膜厚的铌酸锂薄膜，在上述刻蚀方法的作用下，也可以起到明显的作用和效果。因此本发明的刻蚀方法适用于所有膜厚的铌酸锂薄膜，具有工艺方案改造成本低、兼容性高、可靠性好及实施便捷等优点。
一种铌酸锂薄膜刻蚀方法

[发明专利]一种黑磷薄膜铌酸锂探测器-CN202211018947.6在审
发明人：王俊嘉;吴晓萱;刘柳;薛煜 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷薄膜铌酸锂探测器，该探测器结构自下而上依次为：第一层是本征硅衬底(1)、第二层是掩埋氧化物层(2)、第三层是薄膜铌酸锂波导(3)、第四层是黑磷(4)、第五层是金属电极；其中，掩埋氧化物层直接在本征硅衬底上氧化生成；薄膜铌酸锂键合在掩埋氧化物层上通过刻蚀定义出纵向脊形的薄膜铌酸锂波导；黑磷横向覆盖在薄膜铌酸锂波导脊形的中段部分，通过范德华力与薄膜铌酸锂波导紧密连接；第一金属电极(5‑1)、第二金属电极(5‑2)分别覆盖在黑磷和薄膜铌酸锂波导脊的两边
一种黑磷薄膜铌酸锂探测器

[发明专利]铌酸锂薄膜芯片、光学器件及光学器件的耦合方法-CN202310458881.0在审
发明人：庄池杰;马昕雨;曾嵘;刘向东 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂薄膜芯片、光学器件及光学器件的耦合方法。其中，铌酸锂薄膜芯片，包括：衬底层、缓冲层以及铌酸锂层，缓冲层设置在衬底层的上方，铌酸锂层设置在缓冲层的上方；光波导，设置在铌酸锂层上，光波导与铌酸锂层为一体成形结构，光波导包括第一波导段以及与第一波导段连接的第二波导段本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的单模光纤与铌酸锂薄膜芯片的光波导光学耦合困难的问题。
铌酸锂薄膜芯片光学器件耦合方法

[发明专利]一种光纤及铌酸锂晶片气动加压研磨机构及研磨方法-CN201510276478.1有效
发明人：李慧鹏;张轩;宋凝芳;高爽;朱伟伟;郑晓 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开一种光纤及铌酸锂晶片气动加压研磨机构及研磨方法，包括三维空间定位装置、气动装置与夹持机构。三维空间定位装置的z轴移动机构转接板上接有气动装置，气动装置上安装有夹持机构。光纤铌酸锂晶片通过夹持装置加持，并通过调节滑杆、梁式力传感器与气缸活塞杆相连。三维空间定位装置可实现铌酸锂晶片夹持工具的精确定位及研磨微进给；气动装置可实现研磨压力的改变是一个渐变过程，铌酸锂晶片夹持工具可稳定、快速地实现铌酸锂晶片的夹持。本发明用于实现光纤铌酸锂晶片的研磨过程中研磨压力恒定不变、研磨压力的变化过程为渐变过程，保证研磨后的端面质量以及研磨过程的平稳可靠，同时方便对研磨后的铌酸锂晶片中的光纤端面进行观测。
一种光纤铌酸锂晶片气动加压研磨机构方法

[发明专利]可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法-CN201410377147.2有效
发明人：李俊慧;杨成惠;郑远生;杨德伟;郝琰 -专利权人：北京世维通科技发展有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开一种可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法，所述双折射率差值的范围在1.5×10‑5～4.8×10‑3，所述制备方法包括在清洗干净的Y切铌酸锂晶片上蒸发一层钛膜，所述钛膜的厚度为65nm～105nm；对所述钛膜进行腐蚀，在所述Y切铌酸锂晶片表面形成沿所述Y切铌酸锂晶片Z方向延伸的钛条，得到包括所述Y切铌酸锂晶片以及所述钛条的芯片，所述钛条的宽度为6μm～8.5μm；将清洗干净的所述芯片置于通入湿氧且设定扩散温度的环境下，静止扩散时间后取出所述芯片即为所述Y切Z传铌酸锂波导，所述扩散时间为6小时～12小时。本发明通过选择钛膜的厚度、钛条的宽度或者扩散时间，从而能够很好地调节Y切Z传铌酸锂波导的双折射率差。
调节双折射 1310 nm 波长传铌酸锂波导制备方法