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[发明专利]复合接触蚀刻停止层-CN201810929762.8有效
发明人：黄海苟;丹尼尔·杰格;吴旭昇;高金晟 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及复合接触蚀刻停止层，其中，一复合蚀刻停止层包括形成于一牺牲栅极结构上方的一氧化物层以及形成于该氧化物层上方的一氮化物层。该氧化物层仅设于该牺牲栅极结构的较低部分的上方，而该氮化物层包封该氧化物层，并直接设于该牺牲栅极结构的一顶表面的上方。例如，于该复合蚀刻停止层的上方形成一层间介电质的期间，氮化物层对氧化的敏感性，通过于该牺牲栅极层的上部消除该氧化物层而降低。
复合接触蚀刻停止

[发明专利]一种用于半导体器件的接触孔的制作方法-CN202210077175.7在审
发明人：毛永吉;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 -专利权人：澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域,公开了一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，包括如下步骤：S1：在衬底上的交互层上制作第一蚀刻停止层；S2：在第一蚀刻停止层上制作氧化层，第一蚀刻停止层的蚀刻率小于氧化层的蚀刻率；S3：蚀刻氧化层，制作第一接触孔，第一接触孔的蚀刻终点在第一蚀刻停止层内；S4：在第一接触孔内蚀刻第一蚀刻停止层，制作第二接触孔，第二接触孔的底部延伸至交互层，在实际使用时，通过第一蚀刻停止层，可以让步骤S3中的刻蚀终点都在第一蚀刻停止层上，然后在第一蚀刻停止层上进行二次刻蚀制作完整的接触孔，进而确保不同位置的接触孔不会出现过刻蚀或者刻蚀不足的情况，而且所有接触孔的差异性变低、性能均一性较好。
一种用于半导体器件接触制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110475799.X在审
发明人：熊德智;张亦谆;吴俊德;王谊珍;涂元添;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成蚀刻停止层并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成穿过所述ILD层延伸到所述蚀刻停止层的栅极接触件开口，使得所述蚀刻停止层的侧壁在所述栅极接触件开口中被暴露；氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁；在氧化所述蚀刻停止层的暴露侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]双接触孔蚀刻停止层工艺-CN200810110737.3有效
发明人：李东兴;杨明宗;柯庆忠;张添昌;张裕东 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种双接触孔蚀刻停止层工艺，包括：提供基板，基板上具有第一元件区、第二元件区以及位于第一元件区与第二元件区之间的浅沟槽区；在基板上形成具有第一应力的第一应力诱发薄膜，第一应力诱发薄膜未覆盖第二元件区；以及在基板上形成具有第二应力的第二应力诱发薄膜上述双接触孔蚀刻停止层工艺能够使制造出的晶体管具有更好的性能。
接触蚀刻停止工艺

[发明专利]栅极接触开口的蚀刻轮廓控制-CN202110637591.3在审
发明人：熊德智;王鹏;林焕哲;吴俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及栅极接触开口的蚀刻轮廓控制。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀刻该栅极结构；在经回蚀刻的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成栅极接触开口，该栅极接触开口延伸穿过ILD层并在到达抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层慢的蚀刻速率来蚀刻抗蚀刻层；以及在经加深的栅极接触开口中形成栅极接触件。
栅极接触开口蚀刻轮廓控制

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201510666379.4有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成接触蚀刻停止层；在所述接触蚀刻停止层上形成层间电介质；其中，在形成所述层间电介质之前，对所述接触蚀刻停止层表层执行处理工艺，以提高所述接触蚀刻停止层表层的界面性能。采用本发明提供的半导体器件制作方法，由于对所述接触蚀刻停止层表层执行处理工艺，提高了所述接触蚀刻停止层表层的界面性能，从而后续形成层间电介质与所述蚀刻停止层结合紧密，这样可以避免后续去除虚拟栅极所带来的层间电介质损伤
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]在集成电路器件中形成薄膜电阻器（TFR）-CN201980095088.0在审
发明人： P·费斯特 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：在IC元件之上形成第一接触蚀刻停止层。包括TFR蚀刻停止层、TFR膜层和第二接触蚀刻停止层的TFR层叠堆形成在第一接触蚀刻停止层之上，并且在一些情况下形成在一个或多个金属前介电层之上。在IC叠堆之上形成图案化掩模，并且穿过第一接触蚀刻停止层和第二接触蚀刻停止层两者蚀刻叠堆，以同时形成(a)暴露IC元件的接触区域的第一接触开口和(b)暴露TFR膜层的第二接触开口。第一接触开口和第二接触开口填充有导电材料，以形成到IC元件的导电接触件和到TFR膜层的导电接触件。
集成电路器件形成薄膜电阻器 tfr

[发明专利]接触场板蚀刻的组合蚀刻停止层、集成芯片及其形成方法-CN201910454866.2在审
发明人：卢卉庭;王培伦;钟于彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：在一些实施例中，集成芯片具有在衬底上方设置在源极区域和漏极区域之间的栅极结构和从栅极结构上方横向地延伸至栅极结构和漏极区域之间的介电层。具有多种不同介电材料的组合蚀刻停止层堆叠在介电层上方。接触蚀刻停止层直接接触组合蚀刻停止层的上表面和侧壁。通过第一层间介电(ILD)层横向围绕场板，并且场板从第一ILD层的顶部、延伸穿过接触蚀刻停止层并且进入组合蚀刻停止层中。本发明的实施例还提供了接触场板蚀刻的组合蚀刻停止层和集成芯片的形成方法。
接触蚀刻组合停止集成芯片及其形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200610173218.2无效
发明人：赵挥元;洪承希;金奭中;郑哲谟 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤，在半导体衬底上形成层间绝缘层和蚀刻-停止氮化物层，对蚀刻-停止氮化物层和层间绝缘层进行来形成接触孔，在接触孔内形成接触，在包含接触的整个表面上形成氧化物层，以蚀刻-停止氮化物层作为目标蚀刻氧化物层，由此形成沟槽，通过所述沟槽暴露所述接触和与接触邻近的蚀刻-停止氮化物层，并且在沟槽中形成位线。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN202110120166.7在审
发明人：朴水贤;朴径范;白宗玟;李长镐;刘禹炅;郑德泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910206680.5在审
发明人：李仁根;朴钟撤;李相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。
蚀刻停止层半导体装置接触插塞栅极结构基底绝缘层层间绝缘层台阶形状穿透层下表面侧壁堆叠

[发明专利]半导体元件结构-CN201110254172.8有效
发明人：张添昌;陈京好;杨明宗 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体元件结构，其包含有基底，其上包含有晶体管；多层接触蚀刻停止层结构，覆盖住晶体管，多层接触蚀刻停止层结构包含有第一蚀刻停止层以及第二蚀刻停止层；以及介电层，设于第二蚀刻停止层上；其中，第一蚀刻停止层与第二蚀刻停止层由不同材料所构成，而第二蚀刻停止层与介电层由不同材料所构成。本发明提供的半导体元件结构中的蚀刻停止层可做为等离子放电层，以转导等离子处理程序中产生的等离子诱发电荷，避免其下的元件遭受到电压差的损害，因此可提升元件的可靠度，且可降低临界电压偏移的数值。
半导体元件结构

[发明专利]具有选择性的蚀刻停止衬层的自对准栅极系紧接触-CN201610649552.4有效
发明人： S·C·范;L·W·利布曼;谢瑞龙 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有选择性的蚀刻停止衬层的自对准栅极系紧接触。一种用于形成栅极系紧的方法，包括露出有源区以形成沟渠接触开口并形成沟渠接触于其中。在沟渠接触上以及相邻栅极结构的间隙壁上形成蚀刻停止层。沉积层间电介质(ILD)以填充在该蚀刻停止层之上。打开该层间电介质及在该栅极结构的一侧上的蚀刻停止层，以提供露出的蚀刻停止层部分。凹陷该栅极结构以露出栅极导体。移除该露出的蚀刻停止层部分。沉积导电材料以提供下到该栅极结构的该一侧上的沟渠接触的自对准接触，以形成下到栅极导体的栅极接触，以及在该栅极导体与该自对准接触之间形成位于有源区之上的层间电介质内的水平连接。
具有选择性蚀刻停止对准栅极系紧接触

[发明专利]高深宽比开口及其制作方法-CN200510118414.5无效
发明人：周珮玉;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种制作高深宽比接触孔的方法，包括提供半导体衬底，其具有导电区域、接触孔蚀刻停止层，及层间介电层；于该层间介电层上形成一光致抗蚀剂图案，包括一开口，其位于该导电区域的正上方；利用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻硬掩模，并利用该接触孔蚀刻停止层为干蚀刻停止层，经由该开口各向异性干蚀刻该层间介电层，形成接触孔上半部部位；去除该光致抗蚀剂图案；以及经由该接触孔上半部部位各向同性干蚀刻该接触孔蚀刻停止层，并形成加宽的接触孔底部
高深开口及其制作方法

[发明专利]凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法-CN01110430.9无效
发明人：许伯如;江明崇;朱聪明 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-04 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法,包括以下步骤首先,提供一基底,表面具有一第一绝缘层。在第一绝缘层上形成一蚀刻停止层。对蚀刻停止层及第一绝缘层进行蚀刻而形成至少一接触孔。在接触孔内依次沉积一导电层及一阻障层而填满该接触孔。在蚀刻停止层及阻障层上形成一第二绝缘层。对第二绝缘层进行蚀刻而在接触孔上方形成至少一深及蚀刻停止层及阻障层表面的凹洞。存凹洞底部及内缘形成一下电极层。
凹陷堆栈电容与其接触及其制造方法

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