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[发明专利]具有改善的触点的薄膜电阻器（TFR）-CN202180060196.1在审
发明人：冷耀俭;J·萨托 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供一种形成在集成电路器件中的薄膜电阻器(TFR)模块。该TFR模块包括连接在第一竖直延伸的TFR侧面触点与第二竖直延伸的TFR侧面触点之间的TFR元件。该TFR元件包括在该TFR侧面触点之间横向延伸的基部部分，以及从该基部部分的相对端部竖直突出的第一TFR元件端部凸缘和第二TFR元件端部凸缘。该第一TFR元件端部凸缘形成在该第一TFR侧面触点的侧壁上，并且该第二TFR元件端部凸缘形成在该第二TFR侧面触点的侧壁上。第一TFR头部接触该第一TFR侧面触点以及该第一TFR元件端部凸缘的顶部，并且第二TFR头部接触该第二TFR侧面触点以及该第二TFR元件端部凸缘的顶部，因此限定该TFR元件与每个TFR头部之间的两个并联导电路径
具有改善触点薄膜电阻器 tfr

[发明专利]一种具有为底层薄膜电阻器（TFR）头部提供扩散屏障的TFR元件的TFR-CN202180066459.X在审
发明人：冷耀俭 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供一种在集成电路器件中形成的薄膜电阻器(TFR)模块。该TFR模块包括一对金属TFR头部(例如，铜镶嵌沟槽结构)、TFR元件和连接到该TFR头部的TFR接触件，该TFR元件在该金属TFR头部上直接形成以限定穿过该TFR元件位于该对TFR头部之间的导电路径。该TFR头部可与该集成电路器件的各种互连元件一起在金属互连层中形成。可以通过在该金属互连层中形成的TFR头部和互连元件上沉积并图案化TFR元件/扩散屏障层来形成该TFR元件。该TFR元件可由材料形成，该材料还提供抵抗来自各个金属TFR头部和互连元件的金属扩散(例如，铜扩散)的屏障。例如，该TFR元件可由氮化钽(TaN)形成。
一种有为底层薄膜电阻器 tfr 头部提供扩散屏障元件

[发明专利]使用薄膜电阻器(TFR)盖层作为蚀刻停止件和/或硬掩模在集成电路器件中形成的TFR-CN202080079200.4在审
发明人： P·费斯特;J·威廉姆斯;J·考夫曼 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在集成电路(IC)器件中形成薄膜电阻器(TFR)的方法。在包括IC元件和IC元件触点的IC结构之上形成TFR膜并且使该TFR膜退火。形成至少一个TFR盖层，并且TFR蚀刻从该TFR膜限定TFR元件。TFR触点蚀刻在该TFR元件之上形成TFR触点开口，并且金属层在该IC结构之上形成并延伸到这些TFR触点开口中以形成到这些IC元件触点和该TFR元件的金属触点。在该TFR膜之上形成的该TFR盖层，例如SiN盖和/或氧化物盖，可以(a)在该TFR触点蚀刻期间提供蚀刻停止件，和/或(b)在该TFR蚀刻期间提供硬掩模，这可以免于使用光掩模并由此免于蚀刻后去除光掩模聚合物
使用薄膜电阻器 tfr 盖层作为蚀刻停止硬掩模集成电路器件形成

[发明专利]使用氧化物盖层作为薄膜电阻器（TFR）蚀刻硬掩模在集成电路器件中形成TFR-CN202080079267.8在审
发明人： P·费斯特;G·迪克斯;J·威廉姆斯;J·考夫曼 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在集成电路(IC)器件中形成薄膜电阻器(TFR)的方法。在包括IC元件和IC元件触点的IC结构之上形成TFR膜并且使该TFR膜退火。在该TFR膜之上形成氧化物盖，该氧化物盖在该TFR膜的TFR蚀刻期间充当硬掩模以限定TFR元件，该TFR元件可以消除光掩模的使用，从而消除光掩模聚合物的蚀刻后去除。可以在该TFR元件的侧向边缘之上形成TFR边缘间隔件，以使此类TFR元件边缘绝缘。在该TFR元件之上的该氧化物盖中蚀刻TFR触点开口，并且金属层在该IC结构之上形成并延伸到这些TFR触点开口中以形成到这些IC元件触点和该TFR元件的金属触点。
使用氧化物盖层作为薄膜电阻器 tfr 蚀刻硬掩模集成电路器件形成

[发明专利]集成电路中的薄膜电阻器及制造方法-CN201980031505.5在审
发明人： Y·冷;B·哈姆林;A·泰勒;J·范德丽特;J·萨托 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2019-05-02 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法包括：在衬底上形成TFR元件；使所述TFR元件退火以减小所述TFR元件的电阻温度系数(TCR)；以及在形成该TFR元件并将其退火之后，形成与该TFR元件的相对侧接触的一对导电TFR头。通过在该TFR头之前形成该TFR元件，该TFR元件可以在不影响该TFR头的情况下进行退火，并且因此可以由具有不同退火特性的各种材料(例如SiCCr和SiCr)形成。因此，该TFR元件可以进行退火以实现接近0ppm的TCR，而不影响稍后形成的TFR头。可以使用镶嵌CMP方法并且仅使用单个添加的掩模层来形成该TFR模块。此外，可以去除或消除在该TFR元件边缘处竖直延伸的“脊”，以进一步改善该TCR性能。
集成电路中的薄膜电阻器制造方法

[发明专利]铝兼容薄膜电阻器(TFR)及其制造方法-CN201980039662.0在审
发明人： J·H·萨托;冷耀俭;G·A·斯托姆 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在集成电路(IC)结构中制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法，该方法可包括：在电介质区域中形成沟槽；在该沟槽中形成TFR元件，该TFR元件包括横向延伸的TFR区域和从横向延伸的TFR区域向上延伸的TFR脊；在所述TFR元件上方沉积至少一个金属层；以及图案化该至少一个金属层并且使用金属蚀刻来蚀刻该至少一个金属层以在该TFR元件上方限定一对金属TFR头部，其中该金属蚀刻还移除所述向上延伸的TFR脊的至少一部分该方法也可包括形成至少一个导电TFR触点，该触点延伸穿过TFR元件并与相应TFR头部接触，从而增加相应TFR头部与TFR元件之间的导电路径。
兼容薄膜电阻器 tfr 及其制造方法

[发明专利]集成电路中的薄膜电阻器及其制造方法-CN201980040967.3在审
发明人：冷耀俭;J·萨托;G·斯托姆 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种在集成电路(IC)结构中制造薄膜电阻器(TFR)模块的方法。TFR沟槽可形成于氧化物层中。可在该结构上方沉积电阻TFR层并使其延伸到沟槽中。可通过CMP移除TFR层在沟槽外部的部分以限定TFR元件，该TFR元件包括横向延伸的TFR底部区域和从横向延伸的TFR底部区域向上延伸的多个TFR脊。可进行至少一次CMP以移除全部或部分的氧化物层以及TFR脊的至少部分高度。然后，可在TFR元件的相对端部区域上方形成一对间隔开的金属互连件，其中每个金属互连件与各自的向上延伸的TFR脊接触，从而经由TFR元件限定金属互连件之间的电阻器。
集成电路中的薄膜电阻器及其制造方法

[发明专利]使用电介质盖的湿法蚀刻形成于集成电路器件中的薄膜电阻器(TFR)-CN202080079210.8在审
发明人： P·费斯特 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在包括集成电路(IC)元件和IC元件触点的IC器件中形成集成薄膜电阻器(TFR)的方法。在IC结构上方形成TFR膜层和TFR电介质层，并且执行湿法蚀刻以在该TFR膜层上方限定具有倾斜侧向边缘的电介质盖。对该TFR膜层的暴露部分进行蚀刻以限定TFR元件。TFR触点蚀刻在该TFR元件上方形成触点开口，并且形成金属层以形成到该IC元件触点和该TFR元件的金属层连接。该电介质盖的倾斜边缘可以改进对与该TFR元件相邻的金属的去除，以防止完整的器件中的电短路。在形成该金属层之前，在任何合适的时间执行TFR退火以减小TFR的TCR。
使用电介质湿法蚀刻形成集成电路器件中的薄膜电阻器 tfr

[发明专利]多晶硅-金属电介质中的镶嵌薄膜电阻器(TFR)及制造方法-CN201880050912.6在审
发明人： Y·冷 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2018-10-01 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镶嵌薄膜电阻器(TFR)，例如使用单个添加的掩膜层在多晶硅‑金属电介质(PMD)层内形成的镶嵌薄膜电阻器模块，以及用于制造这种器件的方法。一种用于制造TFR结构的方法可包括：形成一对间隔开的TFR头部，该对间隔开的TFR头部形成为自对准硅化物多晶硅(自对准多晶硅化物)结构；将电介质层沉积在自对准多晶硅化物TFR头部之上；图案化并蚀刻沟槽，该沟槽在每个自对准多晶硅化物TFR头部的至少一部分之上侧向延伸，以及暴露每个自对准多晶硅化物TFR头部的表面；以及将TFR材料沉积到沟槽中并沉积到暴露的TFR头部表面上，从而形成桥接对间隔开的TFR头部的TFR层。
多晶金属电介质中的镶嵌薄膜电阻器 tfr 制造方法

[发明专利]具有贯穿通孔的薄膜电阻器-CN201910034769.8在审
发明人： D·坎德;Q·Z·洪;A·阿里;G·B·希恩 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有贯穿通孔的薄膜电阻器，其中公开了包括薄膜电阻器(TFR)结构的器件。TFR结构是通过一个或多个导电通孔可访问的，所述导电通孔从上金属层垂直延伸以完全穿透位于其下方的TFR层。导电通孔在穿透部位处或其附近耦合到TFR层的一个或多个侧壁。TFR结构可以通过包括以下步骤的方法制造：蚀刻完全穿过TFR层和TFR层上方的介电层的通孔沟槽，并且用耦合到TFR层的侧壁的导体填充通孔沟槽。
薄膜电阻器导电通孔通孔耦合到侧壁穿透蚀刻导体填充通孔上金属层介电层可访问贯穿穿过申请制造

[发明专利]TfR1肺组织特异性敲除小鼠模型及其构建方法和应用-CN202011147609.3有效
发明人：郗艳丽;徐斌;左丽丽;许娜 -专利权人：吉林医药学院
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： A01K67/027 文献下载
摘要：TfR1肺组织特异性敲除小鼠模型及其构建方法和应用，属于小鼠模型构建领域，包括：将TfR1‑/‑和Sftpc‑CreERT2小鼠杂交；将F1代TfR1+/‑；Sftpc‑CreERT2转基因小鼠和F1代TfR1+/‑转基因小鼠杂交，得到F2代，基因型分别为TfR1+/‑；Sftpc‑CreERT2、TfR1+/+；Sftpc‑CreERT2和TfR1+/+；将F2代TfR1+/‑；Sftpc‑CreERT2转基因小鼠杂交，得到F3代TfR1‑/‑；Sftpc‑CreERT2本发明为深入研究TfR1在肺组织疾病和肺癌发病过程中的作用提供了坚实的研究基础。
tfr1 组织特异性小鼠模型及其构建方法应用

[发明专利]TFR1基因人源化非人动物及其构建方法和应用-CN202210831119.8在审
发明人：刘畅;尚诚彰;周小飞 -专利权人：百奥赛图（北京）医药科技股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C07K14/705 文献下载
摘要：本发明提供了一种人源化TFR1蛋白、一种人源化TFR1基因、一种TFR1基因的靶向载体、一种TFR1基因人源化的非人动物及其构建方法和其在生物医药领域的应用，利用同源重组的方式将编码人TFR1蛋白的核苷酸序列导入非人动物基因组中，该动物体内能正常表达人或人源化TFR1蛋白，可以作为人TFR1信号机理研究、肿瘤及自身免疫性疾病药物筛选的动物模型，对免疫靶点的新药研发具有重要的应用价值。
tfr1 基因人源化非人动物及其构建方法应用

[发明专利]形成在集成电路结构中的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器和薄膜电阻器（TFR）-CN202180071887.1在审
发明人：冷耀俭 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路结构，包括使用共享材料层的部件同时形成的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和薄膜电阻器(TFR)。第一金属层可被图案化以形成互连结构、MIM电容器和TFR的下部部件，并且第二金属层可被图案化以形成该互连结构、该MIM电容器和该TFR的上部部件。通孔层可被沉积以形成互连通孔、该MIM电容器的杯形底部电极部件以及该TFR的一对TFR接触通孔。绝缘体层可被图案化以形成该MIM电容器的绝缘体以及TFR元件上的绝缘体帽。
形成集成电路结构中的金属绝缘体 mim 电容器薄膜电阻器 tfr

[发明专利]经工程改造的多肽-CN201880024844.6在审
发明人：陈晓诚;米哈利斯·卡里奥利斯;罗伯特·C·威尔斯 -专利权人：戴纳立制药公司
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C07K14/705 文献下载
摘要：本文还提供了转铁蛋白受体(TfR)构建体，所述构建体包含单体TfR顶端结构域或所述TfR顶端结构域相对于全长TfR序列环形排列的一个或多个部分。
多肽顶端结构构建体转铁蛋白受体环形排列血脑屏障物靶转运细胞

[发明专利]用于集成电路上的薄膜电阻器的等离子体处理-CN201811609858.2在审
发明人：柳凯平;I·M·卡恩 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种制作包含薄膜电阻器TFR的IC(200)的方法在包含半导体表面的衬底(210)上沉积电介质衬里层，所述半导体表面具有形成于其中的多个IC裸片，每一IC裸片包含包括多个互连晶体管的功能电路(212b)在所述电介质衬里层上沉积包括铬(Cr)的TFR层。用原子氮及原子氢对所述TFR层进行等离子体处理。在所述等离子体处理之后，在所述TFR层上沉积电介质帽盖层。在所述帽盖层上形成图案，且蚀刻所述TFR层以形成包括所述TFR层的至少一个电阻器。
等离子体处理薄膜电阻器沉积电介质半导体表面衬里层集成电路蚀刻电介质帽功能电路电阻器帽盖层申请案原子氮原子氢晶体管互连衬底盖层图案制作

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