“截止层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2547872个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]指纹感测模块的制造方法-CN202111411691.0在审
发明人：黄振明 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种指纹感测模块的制造方法，该制造方法包括：在基底上依序形成平坦层和光致抗蚀剂材料层，其中基底包括包含感光阵列的像素区以及围绕像素区的周边区；移除光致抗蚀剂材料层于像素区上的部分，以形成暴露出平坦层的光致抗蚀剂图案；移除平坦层于像素区上的部分，以形成暴露出基底的图案化平坦层；在光致抗蚀剂图案上和基底的像素区上形成红外线截止层；移除光致抗蚀剂图案及光致抗蚀剂图案上的红外线截止层，以在基底的像素区上形成红外线截止图案；在红外线截止图案上以及图案化平坦层上形成遮光层；以及图案化遮光层，以在红外线截止图案上形成包括针孔阵列的准直结构层，并在图案化平坦层上形成标记图案。
指纹模块制造方法

[发明专利]场截止绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201410828072.5在审
发明人：钟圣荣;王根毅;邓小社;周东飞 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种场截止绝缘栅双极晶体管的制备方法，包括：提供P型衬底；在P型衬底上外延形成N型的场截止层；在场截止层上通过外延形成至少两层N型漂移区，漂移区中越靠近场截止层的一层其N型杂质浓度越低、电阻率越高；形成场截止绝缘栅双极晶体管的正面结构；对P型衬底进行背面减薄处理；对场截止绝缘栅双极晶体管进行背面金属化处理。本发明还涉及一种场截止绝缘栅双极晶体管。本发明采用两次以上的外延制备漂移区，相同外延厚度情况下，可以优化电场分布，增加器件击穿电压。也就是说，在达到相同击穿电压的基础上，可以有效地降低器件的外延层厚度，一方面降低成本，一方面可以降低器件的关断损耗和热阻，提升器件性能。
截止绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]红外截止滤光片、其制备方法及应用-CN201811595462.7在审
发明人：李守军;周风 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外截止滤光片、其制备方法及应用。该红外截止滤光片包括红外截止滤光片本体和位于其第一表面和/或第二表面上的红外吸收染料层，该红外吸收染料层包括树脂基层和分散在所述树脂基层中的红外吸收染料，且按重量份计，树脂基层为30～50份，红外吸收染料为上述红外截止滤光片中，在滤光片本体的基础上增加了红外吸收染料层，该红外吸收染料层在尺寸较薄的状态下即可起到有效的红外截止作用，上述红外截止滤光片具有较高的近红外的OD值，甚至可以达到4。总之，本发明提供的红外截止滤光片在较小的厚度尺寸下仍旧能够达到较高的近红外OD值，应用于摄像头时能够明显改善图像质量。
红外截止滤光制备方法应用

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202110065123.3有效
发明人：杨文奕;何键华;黄嘉敬;杜伟;胡丹 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池，其特征在于，包括柔性衬底(1)；置于柔性衬底(1)表面的粘结层(2)；设置于粘结层(2)表面的背金属层(3)；设置于背金属层(3)表面的电池材料层(4)；等间隔设置于电池材料层(4)表面的正面电极层(5)；设置于背金属层(3)表面的截止层(6)，且截止层(6)与电池材料层(4)相邻；嵌设于截止层(6)中的背电极(7)；设置于正面电极层(5)之外的电池材料层(4)表面，以及背电极(7)之外的截止层(6)表面的减反膜层(8)。
一种太阳能电池及其制备方法

[实用新型]超高截止EVA封装胶膜-CN201620445197.4有效
发明人：张好宾;吕松;何胡送 -专利权人：常州斯威克光伏新材料有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C09J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及封装胶膜技术领域，尤其是一种超高截止EVA封装胶膜；所述超高截止EVA封装胶膜包括从上到下依次层压设置的第一封装胶膜层、近紫外线截止膜层、光催化杀菌膜层、耐氧化膜层、第二封装膜层，所述近紫外线截止膜层由二氧化锆膜层和二氧化硅膜层交替堆叠而成，所述二氧化锆膜层和二氧化硅膜层各有两层；本实用新型的超高截止EVA封装胶膜，能够将380‑390nm以下的紫外线全部截止，而且在400‑1100nm之间的透光率可以达到90％以上，耐紫外老化性能得到显著的提高
超高截止 eva 封装胶膜

[发明专利]一种功率器件结终端及其制作方法-CN201510358779.9在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件结终端及其制作方法，该方法包括：在硅片的第一导电类型的外延层内形成具有重掺杂第二导电类型的主结区、具有轻掺杂第二导电类型的耗尽区和具有第一导电类型的截止环，耗尽区位于主结区与截止环之间，耗尽区与主结区相连通，耗尽区与截止环不连通，在第一导电类型的外延层上制备厚层氧化硅层，对厚层氧化硅层进行刻蚀，露出部分主结区和部分截止环，在厚层氧化硅层上制备高阻多晶硅层，高阻多晶硅层的两端分别与主结区和截止环相接触通过厚层氧化硅层隔离高阻多晶硅层，防止高阻多晶硅层接触耗尽区和外延层产生电位变化，降低厚层氧化硅层末端的电场强度，提高器件击穿电压，减小分压区域面积，降低器件制造成本。
一种功率器件终端及其制作方法

[发明专利]一种VCSEL阵列结构及其制备方法-CN201910156085.5有效
发明人：彭钰仁;贾钊;赵炆兼;郭冠军;曹广亮;赵丽 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种VCSEL阵列结构及其制备方法，VCSEL阵列结构包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、蚀刻截止层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个沟槽，所述沟槽自所述电极延伸至所述第二DBR层，至少一个的所述沟槽隔离出两个以上的裸露单元，每个所述裸露单元包括依次层叠设置的所述第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个与所述沟槽连通的氧化孔，所述氧化孔自所述沟槽延伸至所述蚀刻截止层以暴露出所述氧化层通过设置蚀刻截止层将蚀刻有效截止在氧化层，既确保了氧化充分，又有效避免了因有源层外露导致的失效、老化等问题。
一种 vcsel 阵列结构及其制备方法

[实用新型]一种VCSEL阵列结构-CN201920262266.1有效
发明人：彭钰仁;贾钊;赵炆兼;郭冠军;曹广亮;赵丽 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、蚀刻截止层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个沟槽，所述沟槽自所述电极延伸至所述第二DBR层，至少一个的所述沟槽隔离出两个以上的裸露单元，每个所述裸露单元包括依次层叠设置的所述第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个与所述沟槽连通的氧化孔，所述氧化孔自所述沟槽延伸至所述蚀刻截止层以暴露出所述氧化层。通过设置蚀刻截止层将蚀刻有效截止在氧化层，既确保了氧化充分，又有效避免了因有源层外露导致的失效、老化等问题。
蚀刻截止层氧化层欧姆接触层依次层叠氧化孔电极源层裸露本实用新型电极延伸沟槽隔离外露衬底连通老化截止暴露延伸

[发明专利]一种红外短波截止滤光片-CN202111395598.5有效
发明人：魏博;刘旺海;古华;吴尚 -专利权人：中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明属于光学零件薄膜制造技术领域，具体涉及一种红外短波截止滤光片，滤光片膜系结构为MLMHM|Sub|(MH)^14M，其中，Sub为基底，(MH)^14M为长波通滤光膜系，MLMHM为增透膜膜系，H为Ge膜层，M为ZnS膜层，L为YbF3膜层。本发明的红外短波截止滤光片在7～9μm波段截止，9.5～11μm波段平均透射率T≥93％，具有良好的的膜层环境与可靠性；本发明的红外长波截止滤光片采用本发明制作的红外短波截止滤光片在7.0～9μm波段截止
一种红外短波截止滤光

[发明专利]减小栅极高度损失的方法-CN202111515971.6在审
发明人：徐长文 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小栅极高度损失的方法，在栅极上形成第一截止层与第二截止层，所述第二截止层作为第一次平坦化的停止层，所述第一截止层作为第二次平坦化的停止层，能够避免两次平坦化直接接触栅极，从而减少了栅极高度的损失并且在制作栅极时栅极的高度无需再增加，则栅极线条刻蚀和源漏外延生长刻蚀以及栅极切断三个步骤中的深宽比无需再增加，从而扩大了工艺窗口；另外，平坦化工艺不接触到栅极会使工艺难度降低，而且在进行栅极切断时采用第二截止层作为掩膜，减少了一次硬掩膜层的沉积，简化了工艺。
减小栅极高度损失方法

[发明专利]镜头模组的制备方法-CN200910312646.2无效
发明人：裴绍凯 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G02B7/02 文献下载
摘要：一种镜头模组的制备方法，包括以下步骤：提供透明基板；在透明基板上形成第一光阻层，第一光阻层包括主体及拱起部；在透明基板和第一光阻层上形成硬化层；在硬化层上形成第二光阻层；对硬化层进行研磨处理，以使拱起部暴露在外；将第一光阻层及第二光阻层去除，以使硬化层形成一镜筒部；在透明基板及镜筒部上形成红外截止滤光层；在红外截止滤光层上形成第三光阻层；将红外截止滤光层的除被第三光阻层覆盖以外的部分去除；将第三光阻层去除，以形成光学元件，光学元件包括红外截止滤光片部及镜筒部；将一镜片组安装在镜筒部内且位于红外截止滤光片部的一侧；及将安装有镜片组的镜筒部封装在一电路板上。
镜头模组制备方法

[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法-CN201510300081.1有效
发明人：马万里;闻正锋;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括划片道区与多个芯片区，划片道区用于分隔多个芯片区，每个芯片区包括截止环区，截止环区邻接划片道区，截止环区上覆盖有金属层，金属层的一部分设置在划片道区上本发明打破不在划片道内设置金属的传统做法，将靠近划片道区侧的截止环区域的金属层放置到划片道内，节省了截止环区的面积，进而减小了半导体功率器件的面积，降低了成本。
一种功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管的背面结构及其制作方法-CN201510961999.0有效
发明人：戚丽娜;周东海;井亚会;张景超;刘利峰 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的背面结构，在硅片的背面间隔设有背面沟槽，背面沟槽的槽壁与水平面之间的夹角α在60～88°，在背面沟槽的沟槽底部及侧壁通过注入形成沟槽状的N+型场截止层及沟槽状的P+型集电极层，沟槽状的N+型场截止层与N型衬底相连，沟槽状的P+型集电极层与N+型场截止层的槽底及侧壁相连，N+型场截止层的沟槽顶面和P+型集电极层的沟槽顶面与N+型集电极层相连，连接在N+型集电极层6上的背面的金属层5及设置在对应背面沟槽4内金属层5的凸起5‑1形成集电极。本发明能降低制造成本和碎片率，不需要借助薄片工艺即可实现场截止型绝缘栅双极晶体管。
绝缘双极晶体管背面结构及其制作方法

[发明专利]一种FS-IGBT器件的制备方法-CN201210315975.4无效
发明人：李泽宏;杨文韬;单亚东;夏小军;李长安;张蒙;张金平;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明使用衬底上进行N型杂质注入形成场截止层，然后生长外延层，制作正面图形，然后背部减薄，背部P型集电区注入并退火，背部金属化的方法来制作场截止型晶体管，可以使场截止层杂质充分激活。此外，通过控制热预算及背部减薄的位置，本方法可以在场截止层与P型集电区之间引入N型过渡区，提高器件性能。
一种 fs igbt 器件制备方法

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池组件-CN201720353398.6有效
发明人：肖梅金;李磊;勾学江;张财 -专利权人：巨力新能源股份有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池组件，包括太阳能背板、高截止EVA层、电池方阵组、超透EVA层以及光伏钢化玻璃层，太阳能背板、高截止EVA层、电池方阵组、超透EVA层以及光伏钢化玻璃层由上至下依次设置，超透EVA层敷设在光伏钢化玻璃层的上表面，电池方阵组敷设在超透EVA层的上表面，高截止EVA层敷设在电池方阵组的上表面，太阳能背板敷设在高截止EVA层的上表面。上述晶体硅太阳能电池组件通过超透EVA层、太阳能背板及特殊叠层工艺的配合，降低组件内部电流，提高组件的转换效率。
一种晶体太阳能电池组件