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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]叠层涂膜和涂装物-CN201580038370.7有效
发明人：加藤秀和;春木佳奈;和久直人;寺本浩司 -专利权人：马自达汽车株式会社
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B32B7/02 文献下载
摘要：本发明公开的叠层涂膜具有含有着色剂的下层涂膜(30)、重叠在该下层涂膜上的上层涂膜(20)和重叠在该上层涂膜上的防护涂膜(10)，上层涂膜的成膜材料的折射率既小于下层涂膜中除去着色剂以外的成膜材料的折射率，又小于防护涂膜的成膜材料的折射率。
叠层涂膜涂装物

[发明专利]成膜方法-CN201880006036.7有效
发明人：室谷裕志;堀口由纪夫;菅原卓哉 -专利权人：学校法人东海大学;株式会社新柯隆
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供一种机械强度高、折射率低的表面层的成膜方法。在基板(S)的表面重复下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜，上述工序为：通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序；和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序。
方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法-CN201810204001.6有效
发明人：任思雨;陈卓;徐先新;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法，多晶硅薄膜的制备方法包括：采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜；采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。通过变化的成膜速率对非晶硅薄膜进行沉积成膜，使得非晶硅薄膜可分别在较大和较小的成膜速率下成膜，在较大的成膜速率下，能够有效提高生产效率，并且使得非晶硅薄膜的折射率较低，进而减小与氛围气体之间的折射率的差值，降低了界面反射的反射率，有效提高激光的利用率，而在较小的成膜速率下成膜时，能够使得非晶硅薄膜的成膜效果更佳。
多晶薄膜制备方法薄膜晶体管及其

[发明专利]防反射膜、硫属化合物玻璃透镜以及摄像装置-CN201580052924.9有效
发明人：高桥裕树;饭田毅 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明提供一种耐磨性优异的防反射膜、透镜以及摄像装置。在光学基材的表面成膜碳氢膜，作为以高折射率层发挥功能的第1层。在第1层上成膜折射率低于第1层的折射率的MgF₂膜，作为以低折射率层发挥功能的第2层。通过相同的方法形成包括碳氢膜的第3层、包括MgF₂膜的第4层、包括碳氢膜的第5层。利用RF磁控溅射装置成膜碳氢膜以及MgF₂膜。在成膜碳氢膜时，将氩和氢的混合气体供给至真空槽，将膜中的一部分C‑C键取代为C‑H键。通过C‑H键获得耐磨性以及粘附性优异的低折射率的防反射膜。
反射透镜以及摄像装置

[发明专利]成膜装置、成膜系统以及成膜方法-CN201910733755.5在审
发明人：品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板
装置系统以及方法

[发明专利]成膜方法、成膜系统以及成膜装置-CN201980041837.1在审
发明人：山口克昌;前川浩治;鲛岛崇;中岛滋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：成膜方法包括以下工序：将形成有绝缘膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下向处理容器内重复供给含Ti气体、含Al气体以及反应气体来形成基底膜；以及通过金属材料在形成有基底膜的基板形成金属层。
方法系统以及装置

[发明专利]成膜装置、成膜单元和成膜方法-CN202080106929.6在审
发明人：饭塚贵嗣 -专利权人：饭塚贵嗣
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本公开内容的主题是提供被配置成改善涂覆形成在基底中的孔的内周表面的膜的粘附性的成膜装置、成膜单元和成膜方法。成膜装置(1)包括：待容纳基底(2)的室(3)；设置在室(3)中的支撑体(4)，所述支撑体(4)被配置成支撑具有在垂直方向上开放的基底(2)的孔(20)的基底(2)；和设置在室(3)中的蒸发源(5)，所述蒸发源
装置单元方法

[发明专利]成膜装置、成膜头和成膜方法-CN201080044833.8有效
发明人：小野裕司;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出；无机成膜材料供给部(24)，其设置于处理室的内部，喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室(23)，其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合，混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。
装置成膜头方法

[发明专利]成膜装置、成膜系统和成膜方法-CN200780029265.2无效
发明人：松林信次;茂山和基;户部康弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、成膜系统和成膜方法。该成膜系统能够避免在有机EL元件等的制造工序中所形成的各层的相互污染、而且所占空间也小、且具有高生产率。成膜装置(13)用于在基板上进行成膜，其中，在处理容器(30)的内部包括用于成膜第1层的第1成膜机构(35)和用于成膜第2层的第2成膜机构(36)。设置用于使处理容器(30)内减压的排气口(31)，并将第1成膜机构(35)配置在相比第2成膜机构(36)更靠近上述排气口(31)的位置上。第1成膜机构(35)例如利用蒸镀在基板上成膜第1层，第2成膜机构(36)例如利用溅射在基板上成膜第2层。
装置系统方法

[发明专利]成膜装置、成膜系统及成膜方法-CN200780029415.X无效
发明人：茂山和基;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层的相互污染、且占地面积较小、生产率较高的成膜系统。一种在基板(G)上成膜的成膜装置(13)，在处理容器(30)的内部具有用于形成第1层的第1成膜机构(35)和用于形成第2层的第2成膜机构(36)，第1成膜机构(35)包括：配置于处理容器(30)的内部的、用于向基板供给成膜材料的蒸气的喷嘴(34)；配置在处理容器的外部的、用于产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部(45)；将在蒸气产生部(45)产生的成膜材料的蒸气输送到喷嘴(34)的配管(46)。
装置系统方法

[发明专利]反射率测定装置、成膜装置-CN202211298857.7在审
发明人：朴笑敏 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明涉及反射率测定装置、成膜装置。用于防止反射率的测定精度降低。反射率测定装置具备：光源；投受光头，所述投受光头具备投光部、反射光输入部及修正光输入部，所述投光部向被测定物照射被输入到投受光头的来自光源的光所包含的第一光和第二光中的第一光，所述反射光输入部将第一光由被测定物反射后的反射光输入到第一线材所述修正光输入部将第二光不照射到被测定物而输入到第二线材；测定构件，所述测定构件对经由第一线材传送的第三光的强度和经由第二线材传送的第四光的强度进行测定；以及确定构件，所述确定构件基于由测定构件测出的第三光的强度和第四光的强度来确定被测定物的反射率。
反射率测定装置

[发明专利]丙烯酸酯常规乳液和核壳乳液的成膜过程及涂膜形貌-CN201510274982.8在审
发明人：任磊 -专利权人：合肥卓元科技服务有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C09D133/00 文献下载
摘要：本发明公开了丙烯酸酯常规乳液和核壳乳液的成膜过程及涂膜形貌。分别以MMA（甲基丙烯酸甲酯）、（St-BA）为核层单体，BA（丙烯酸丁酯）、（MMA-BA）为壳层单体制备了核壳乳液，利用TEM和AFM（原子力显微镜）分析了丙烯酸酯常规乳液和核壳乳液的成膜过程及涂膜形貌；通过重量分析法，建立起乳液的干燥速率曲线，在核壳比小于2/3的时候核壳乳液粒间能够充分变形融合形成平坦的涂膜。本发明制备过程随着成膜助剂用量的增加，成膜过程中乳液聚合物的扩算系数增大，乳液更容易形成致密涂膜，使得涂膜的透光率增大，吸水率减小，而过量的成膜助剂残留在涂膜中未及时散去，会降低涂膜的透光率并使得涂膜吸水率变大
丙烯酸酯常规乳液过程形貌

[发明专利]铟锡氧化膜的制造方法-CN02125163.0有效
发明人：菱田光起 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻率较高且为低电阻的高透光率的ITO膜。在常温及添加水份的环境下形成铟锡氧化物(ITO)膜，成膜后，进行约180℃以上及约1小时以上的热处理。添加水份环境设为使成膜室内的水份总分压约为8.2×10－3帕以下，而在后续的退火过程发挥膜质改善效果，并且，通过使成膜室内的水份总分压为3.20×10－3帕以上，则可形成非晶质性的ITO膜，而在成膜后可迅速进行蚀刻处理成膜后(图案化后)的热处理优选以约180℃以上(例如约220℃)的温度进行约1小时以上(例如约1小时～约3小时)为条件，由此，膜片将被多晶化，得到低电阻且高透光率的ITO膜。
氧化制造方法

[发明专利]溅射装置及溅射成膜方法-CN200610059588.3有效
发明人：志堂寺荣治;安藤英一;山田朋广;真下尚洋 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2002-02-06 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90％，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。
溅射装置方法

[发明专利]溅射装置及溅射成膜方法-CN02804597.1有效
发明人：志堂寺荣治;安藤英一;山田朋广;真下尚洋 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2002-02-06 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90％，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。
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