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[发明专利]硒碲合金薄膜、光导型红外光探测器及制备方法-CN202210548998.3有效
发明人：王飞;赵东旭;王云鹏;范翊 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料设计生长技术领域，尤其涉及一种硒碲合金薄膜及其制备方法，还涉及一种光导型红外光探测器。所述制备方法包括：将碲粉、硒粉和衬底放入三温区CVD管式炉中加热，并向所述三温区CVD管式炉中通入惰性气体；实现在所述衬底上所述硒碲合金薄膜的生长；所述硒粉和碲粉的摩尔比为(1：10)～(10：1)；所述三温区CVD管式炉沿所述惰性气体的气流方向依次包括低温区、高温区和第三温区；所述碲粉置于所述高温区，所述硒粉置于所述低温区；所述衬底置于所述第三温区。通过本发明的方法制备得到的硒碲合金薄膜具有较好的结晶质量及光学质量，并为光导型红外光探测器提供了一种性能最佳的二元合金薄膜材料。
合金薄膜光导型红外光探测器制备方法

[发明专利]一种单晶β-氧化镓纳米片的制备方法-CN202310063870.2在审
发明人：康黎星;刘帅;张蓉;李清文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶β‑氧化镓纳米片的制备方法。所述制备方法包括：采用化学气相沉积的方法，以氧气作为氧化剂对金属镓进行直接氧化，在具有限域空间的衬底材料表面生长形成单晶β‑氧化镓纳米片。本发明通过引入空间限域的方法来实现对二维超薄单晶β‑氧化镓纳米片的合成，利用氧气做氧化剂，实现对金属镓直接氧化来制备氧化镓纳米片，无需催化剂、工艺简单、生产成本低，制备出大尺寸、高质量、厚度可控的单晶β‑氧化镓纳米片，可用于紫外光电探测器和大功率电子器件等方面的研究和应用。
一种氧化纳米制备方法

[发明专利]半导体生长-退火循环-CN202180031260.3在审
发明人：米泽田;D·拉勒延;王平 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括提供衬底，实施生长工序以形成由衬底支撑的半导体层，进行半导体层的退火，其中在比生长工序更高的温度下执行退火，和重复生长工序和退火。在半导体层的分解温度或大于半导体层的分解温度下执行退火。
半导体生长退火循环

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211199827.0在审
发明人：刘曦光 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括半导体基底和设置于半导体基底上的介质层，介质层中开设有露出半导体基底的接触孔；通过化学气相沉积的方式在接触孔的侧壁上沉积钛金属层，第一沉积工艺和第二沉积工艺沉积的钛金属层完全覆盖接触孔的侧壁；沉积钛金属层的制程包括第一沉积工艺和第二沉积工艺。通过结合第一沉积工艺和第二沉积工艺，能够形成完全覆盖接触孔的侧壁的钛金属层，进而有效降低氮化钛的用量、或是避免氮化钛的使用，进而显著降低接触结构的电阻。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种碱金属源的制备方法-CN202011101048.3有效
发明人：郭德宇;杜昊瑾;张庆猛;熊玉华;徐晓强 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碱金属源的制备方法，主要包括前驱原料提纯、粒度控制、混合、速冷、真空冷冻干燥等。本发明对原料的粒度和混合状态进行控制，从而实现对碱金属源工作时的反应速率进行控制。基于本发明制备的碱源，具有原料混合均匀、粒度一致性高等优点。
一种碱金属制备方法

[发明专利]沉积含硼硅锗层的方法-CN202210522460.5在审
发明人： R.卡扎卡;谢琦 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：外延生长掺硼硅锗层的方法和器件。这些层可以用作例如场效应晶体管中的p型源极和/或漏极区。
沉积含硼硅锗层方法

[发明专利]一种钼基热氧化型抗熔蚀陶瓷涂层及其制备方法和应用-CN201911262193.7有效
发明人：刘恩泽;张冲;郑志;郑力玮;佟健;谭政;宁礼奎 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼基热氧化型抗熔蚀陶瓷涂层及其制备方法和应用，属于金属防护涂层技术领域。本发明首先在基体上制备Mo‑Si‑Al中间层，然后通过高温热氧化工艺，使Mo‑Si‑Al中间层表面发生氧化形成所述陶瓷抗熔蚀涂层。制备Mo‑Si‑Al中间层时，先沉积硅，再沉积铝，得到的中间层铝活性高且含量也高，在高温热氧化过程中，氧化铝生长速度快，得到高含量氧化铝的陶瓷涂层。该陶瓷抗熔蚀涂层具有良好的抗氧化性，在真空条件及1500℃以上能够抵抗高温合金熔体的侵蚀。该陶瓷抗熔蚀涂层用于铸造系统中以钼或钼合金为基体的金属构件的防护。
一种钼基热氧化型抗熔蚀陶瓷涂层及其制备方法应用

[发明专利]反射膜生长的方法-CN202180018843.2在审
发明人：李路平;杰奎琳·S·阮奇;陈玟婷;杨逸雄;黄仁锡;陈世忠;斯里尼瓦斯·甘迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本文描述了用于形成反射膜的方法和装置。在基板表面上形成衬垫，接着形成反射层，以使得在衬垫和反射层的形成之间不存在氧暴露。在一些实施方式中，通过在结构的顶部抑制生长的同时，用反射材料部分填充结构，使基板的顶部再活化，且随后用反射材料填充结构来用反射材料填充高深宽比结构。
反射生长方法

[实用新型]一种用于制备单晶金刚石微通孔的装置-CN202122927088.X有效
发明人：王艳丰 -专利权人：西安德盟特半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备单晶金刚石微通孔的装置，包括：图形化金属薄膜制备装置，用于在待制备微通孔的单晶金刚石衬底的上、下表面制备图形化金属薄膜；氢等离子体发生装置，用于发生氢等离子体；所述氢等离子体用于包裹所述待制备微通孔的单晶金刚石衬底以及其上、下表面制备的图形化金属薄膜，并对图形化金属薄膜下方的单晶金刚石衬底刻蚀；去除装置，用于在上、下表面的图形化金属薄膜在单晶金刚石衬底内部相遇后，去除单晶金刚石衬底的上、下表面的图形化金属薄膜。本实用新型可以大幅度提升刻蚀金刚石的速率，缩短刻蚀时间。
一种用于制备金刚石微通孔装置

[发明专利]沉积钒金属的方法、结构、器件和沉积组件-CN202111224369.7在审
发明人： C.德泽拉;E.J.希罗;谢琦;G.A.沃尼;P.德明斯基 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的制造，具体涉及在衬底上形成钒金属的方法。该方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供钒前体，并且以气相向反应室提供还原剂，以在衬底上形成钒金属。本公开还涉及由该方法形成的结构和器件，以及沉积组件。
沉积金属方法结构器件组件

[发明专利]原料气体供给系统和原料气体供给方法-CN202080063295.0在审
发明人：冈部庸之;大仓成幸;小森荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统，所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的，所述原料气体供给系统包括：将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置；送出机构，其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系，其中，所述分散系是在液体中分散所述固态原料而成的；和分离机构，其在所述气化装置内从所述分散系中分离出所述固体原料。
原料气体供给系统方法

[发明专利]一种高镍三元正极材料Al2-CN202010015406.2有效
发明人：陆潇晓;王寅峰;刘蓉;裘洁琼;席俊华;郭家瑞;桂培培;金浙广;胡畅 -专利权人：杭州电子科技大学;浙江酷锐特表面技术有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高镍三元正极材料Al2O3/Al复合改性层的化学气相沉积制备方法。本发明利用AlCl3和Al粉作为反应原料，基于反应原理，通过调控区间的温度差，定向将反应原料中的Al以气相形式运输至高镍三元正极材料表面，与材料表面的残余碱性成分发生反应，生成一层均匀地、具有保护作用、可提高材料电导率的Al2O3/Al复合改性层，进而提高高镍三元正极材料的循环寿命、循环稳定性和安全性。该方法具有成本低廉、操作简单、反应时间短、反应温度低、不引入杂相、有效降低碱度等的优点。
一种三元正极材料 al base sub

[发明专利]电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法-CN202110745661.7有效
发明人：高政宁;宋维聪 -专利权人：陛通半导体设备（苏州）有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法，该钴锗合金薄膜中，锗的原子百分比含量为15％‑20％，钴锗合金薄膜的电阻温度系数小于200ppm/℃，制备方法包括将生长基底放置于沉积腔室内，依次或者先后向沉积腔室内通入含钴气体和含锗气体，以于生长基底上制备电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的步骤。该钴锗合金薄膜电阻温度系数小，此外还具有抗氧化性好，稳定性高等优点，在用于制备诸如接触孔等互连结构时，可以显著提高器件本身的抗温度性能，从而实现在不改变器件设计的情况下，减小器件发热和提高器件性能的效果。且可以采用PECVD和PEALD工艺制备，可以与现有的半导体制备工艺完美融合，有助于降低其制备成本，提高其适用性。
电阻温度系数趋于合金薄膜制备方法

[发明专利]一种用于制备单晶金刚石微通孔的装置及方法-CN202111417530.2在审
发明人：王艳丰 -专利权人：西安德盟特半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备单晶金刚石微通孔的装置及方法，所述装置包括：图形化金属薄膜制备装置，用于在待制备微通孔的单晶金刚石衬底的上、下表面制备图形化金属薄膜；氢等离子体发生装置，用于发生氢等离子体；所述氢等离子体用于包裹所述待制备微通孔的单晶金刚石衬底以及其上、下表面制备的图形化金属薄膜，并对图形化金属薄膜下方的单晶金刚石衬底刻蚀；去除装置，用于在上、下表面的图形化金属薄膜在单晶金刚石衬底内部相遇后，去除单晶金刚石衬底的上、下表面的图形化金属薄膜。本发明可以大幅度提升刻蚀金刚石的速率，缩短刻蚀时间。
一种用于制备金刚石微通孔装置方法

[发明专利]形成材料层的方法、半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110737506.0在审
发明人：金润洙;金在员;金海龙;李珍镐;翼白鸟 -专利权人：三星电子株式会社;株式会社ADEKA
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：根据本发明构思的一些实施例的形成材料层的方法可以包括沉积循环，沉积循环包括：在衬底上提供吸附抑制剂；吹扫过量的吸附抑制剂；在衬底上提供金属前体；吹扫过量的金属前体；以及供应反应剂以在衬底上形成材料层。吸附抑制剂可以包括15族元素或16族元素。
形成材料方法半导体装置制造

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