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[实用新型]等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置-CN202321216174.2有效
发明人：长江亦周;青山贵昭;冈田胜久;渡边健 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。
等离子体发生装置线圈

[发明专利]成膜装置-CN202180057905.0在审
发明人：五十岚诚;斋藤优;野中裕弥 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：提供一种运转率高的成膜装置。其具备：成膜室(2)，该成膜室(2)至少设置有成膜材料M和被成膜物(S)，能够设定为规定的成膜气氛；炉膛内衬(23)，该炉膛内衬(23)设置于上述成膜室(2)的内部，容纳上述成膜材料M；加热源(24)，该加热源(24)设置于上述成膜室(2)的内部，对容纳在上述炉膛内衬(23)的成膜材料(M)进行加热；和材料供给室(3)，该材料供给室(3)具有填充用于供给至上述炉膛内衬(23)的成膜材料(M)的材料填充部(35)，通过具有闸阀(37)的连通路径(36)与上述成膜室(2)连接，能够设定为规定的压力气氛。在供给成膜材料(M)的情况下，在将成膜室(2)设定为成膜气氛的状态下，将上述材料供给室(3)的内部设定为上述规定的压力气氛后，打开上述闸阀(37)，通过上述连通路径(36)将填充在上述材料填充部(35)的成膜材料(M)供给至上述炉膛内衬(23)。
装置

[发明专利]成膜控制装置、成膜装置以及成膜方法-CN202280005853.7在审
发明人：大泷芳幸;松平学幸;山口刚;宫内充祐 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：成膜控制装置具有：光源(42)，其对配置于旋转体(25)的基板(S)照射光；受光部(46)，对于从所述光源照射的光，该受光部接收透过形成在所述基板上的薄膜的层的透过光或者被形成在所述基板上的薄膜的层反射的反射光；位置信息取得部(48)，其取得与所述旋转体的圆周方向的位置对应的位置信息；以及控制部(4)，其对成膜条件进行控制，所述控制部包含：时机控制部，其根据由所述位置信息取得部取得的所述旋转体的圆周方向的位置信息来确定作为目标的基板的位置，对接收从所述光源向该确定的位置的基板照射的光的透过光或者反射光的时机进行控制；膜厚判定部，其根据由所述受光部接收到的透过光或者反射光，计算由多个层构成的薄膜的各层的膜厚，判定所述各层的膜厚与构成具有期望的分光特性的薄膜的各层的目标膜厚的膜厚差；以及成膜条件设定部，其在所述各层的膜厚相对于所述目标膜厚存在规定值以上的膜厚差的情况下，对针对该层的成膜条件进行校正以使得存在该膜厚差的层的膜厚成为该层的目标膜厚，然后设定所述成膜条件。
控制装置以及方法

[发明专利]离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法-CN202111638914.7在审
发明人：长江亦周;青山贵昭;宫内充祐;松本繁治;斋藤大嗣 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。
离子引出栅极离子源以及制造方法

[发明专利]磁控溅射源及其溅射成膜装置-CN202110312735.8在审
发明人：长江亦周;宫内充祐 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种磁控溅射源以及溅射成膜装置，其中，一种磁控溅射源，包括：被驱动围绕一转动轴线旋转的旋转靶材；设置在所述旋转靶材内部的磁体组件；用于调节至少部分所述磁体组件相对于所述转动轴线的位置的磁场调整机构。该磁控溅射源及其溅射成膜装置能够在成膜过程中能够根据基板的形状使得膜的沉积可被控制，以此在基板的表面获得均一的膜厚。
磁控溅射及其溅射装置

[发明专利]移载装置及使用了该移载装置的成膜装置-CN202080006975.9有效
发明人：大胡嘉规;青山贵昭 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：为了提供一种可确保成膜品质的稳定性、生产率高、小型且廉价的成膜装置，其具备：旋转体(21)，其为能够旋转的旋转体(21)，沿着该旋转体(21)的外周部设置有保持部(212)，应移载的对象物(3)以能够装卸的方式保持于该保持部(212)；以及移载机构(22)，其具有能够把持以及释放上述对象物(3)的把持机构(223)，将保持于规定设备(111)的对象物(3)移载到上述旋转体(21)的保持部(212)，并且将保持于上述旋转体(21)的其他对象物(3)移载到上述规定设备(111)。
装置使用

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202080064503.9在审
发明人：室谷裕志;宫内充祐;大泷芳幸;长谷川友和;松平学幸 -专利权人：学校法人东海大学;株式会社新柯隆
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将成膜室(2a)的内部的包含基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将成膜室(2a)的内部的包含蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在基板(S)上，并且在第1区域(A)中向基板(S)照射离子。
方法装置

[实用新型]离子引出栅极以及离子源-CN202123375764.3有效
发明人：长江亦周;青山贵昭;宫内充祐;松本繁治;斋藤大嗣 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种离子引出栅极以及离子源。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。
离子引出栅极以及离子源

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202080064516.6在审
发明人：室谷裕志;宫内充祐;大泷芳幸;长谷川友和;松平学幸 -专利权人：学校法人东海大学;株式会社新柯隆
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。
方法装置

[发明专利]溅射装置和使用了该溅射装置的成膜方法-CN202180005205.7在审
发明人：大胡嘉规;宫内充祐;青山贵昭 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：具备：成膜室(11)，其中，在基板(S)形成膜；减压装置(19)，其使上述成膜室内为减压气氛；圆盘状的基板架(12)，其可旋转地设置于上述成膜室内，在一个主表面具有可自转地保持上述基板的基板保持部(14)；驱动装置(13)，其使上述基板架旋转；成膜工艺区(R1)，其形成于上述成膜室内的与上述基板架的外周区域对应的空间，设有溅射电极(16)；反应工艺区(R2)，其形成于上述成膜室内的与上述基板架的中心区域对应的空间，设有等离子体产生装置(17)；和气体导入装置(18)，其向上述成膜室内导入放电气体和反应气体。
溅射装置使用方法

[发明专利]反应性溅射装置和使用了该反应性溅射装置的复合金属化合物或混合膜的成膜方法-CN201880001742.2有效
发明人：税所慎一郎 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明具备：成膜室；基板支托，其设置于上述成膜室，对进行成膜的基板S进行保持；减压机，其将上述成膜室减压至规定压力；放电气体导入机，其将放电气体导入至上述成膜室；与一个上述基板对置的两个以上的溅射电极，它们分别具备作为成膜材料的靶材；直流电源，其对上述两个以上的溅射电极供给电力；两个以上的脉冲波转换开关，它们连接在上述直流电源与上述两个以上的溅射电极之间，将施加至各个溅射电极的直流电压转换成脉冲波电压；可编程发送器，其能够将与供给至上述两个以上的溅射电极的各个电力相对应的脉冲产生控制信号图案编程，按照该编程，分别对上述两个以上的脉冲波转换开关进行控制；和脉冲反应气体导入机，其基于来自上述电力控制器的脉冲产生控制信号图案，对从上述反应气体导入机向上述成膜室的反应气体的导入进行控制。
反应溅射装置使用复合金属化合物混合方法

[发明专利]成膜方法-CN201880006036.7有效
发明人：室谷裕志;堀口由纪夫;菅原卓哉 -专利权人：学校法人东海大学;株式会社新柯隆
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供一种机械强度高、折射率低的表面层的成膜方法。在基板(S)的表面重复下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜，上述工序为：通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序；和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序。
方法

[发明专利]薄膜形成装置-CN202010092653.2在审
发明人：长江亦周;宫内充祐;高坂佳弘;青山贵昭;远藤光人 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请公开一种低折射率薄膜形成装置，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。
薄膜形成装置

[发明专利]成膜装置-CN201911094854.X在审
发明人：盐田有广;青山贵昭;远藤光人;长江亦周 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请提供一种成膜装置，包括：真空容器；绕垂直轴线转动的基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；可拆卸地安装于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开。本申请提供的成膜装置能够改善成膜质量。
装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710229298.7有效
发明人：长江亦周;宫内充祐;大泷芳幸;重田勇辉;佐守真悟 -专利权人： 株式会社新柯隆
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。
装置方法

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