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[发明专利]氮化硅膜的成膜方法和成膜装置-CN202111318553.8在审
发明人： 渡边幸夫;高藤哲也;内田博章;佐藤吉宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。
氮化方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201910695080.X有效
发明人：高藤哲也;藤永元毅;渡边幸夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于在形成氧化物半导体的保护膜时减少等离子体对氧化物半导体给予的损伤。成膜方法包括：第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF4气体以及SiCl4气体、且SiCl4气体与SiF4气体的流量比为第一流量比的混合气体的等离子体，并在氧化物半导体上形成第一氧化硅膜；以及第二成膜工序，使用第二高频电力来生成含有含氧气体、SiF4气体以及SiCl4气体、且SiCl4气体与SiF4气体的流量比为第二流量比的混合气体的等离子体，并在第一氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，其中，第一高频电力低于第二高频电力，第一流量比小于第二流量比。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201810447691.8有效
发明人：高藤哲也;内田博章;渡边幸夫;里吉务;佐佐木和男;吉田守 -专利权人：东京毅力科创株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。
方法装置

[发明专利]成膜方法和TFT的制造方法-CN201710457272.8有效
发明人：佐藤吉宏;渡边幸夫;窪田真树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体。在成膜步骤中，利用供给到处理容器内的、含有第一气体、第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu部上形成保护膜。第一气体为含卤素原子的硅系气体。第二气体为O
方法 tft 制造

[发明专利]多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置-CN201410299457.7有效
发明人：高藤哲也;渡边幸夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置。该多层保护膜的形成方法能够不必进行脱氢工序。在形成与由IGZO构成的信道(32)接触的、并且具有氮化硅膜(31a、35b)和氧化硅膜(31b、35a)的栅保护膜(31)、钝化层(35)时，使用氯化硅气体和不含有氢原子的氧气形成氧化硅膜(31b、35a)，使用氯化硅气体和不含有氢原子的含氮气体形成氮化硅膜(31a、35b)，连续地执行氧化硅膜(31b、35a)的成膜和氮化硅膜(31a、35b)的成膜。
保护膜多层氮化硅膜氧化硅膜氯化硅气体形成装置氢原子成膜氮气脱氢工序钝化层信道氧气

[发明专利]活性炭赋活再生炉、以及利用了该活性炭赋活再生炉的气体净化方法和装置-CN201510648539.2在审
发明人：须藤幸寿;渡边幸夫 -专利权人：株式会社吴羽环境
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： B01J20/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供容易组装到气体净化装置中的紧凑化活性炭赋活再生炉(赋活再生方法)，另外，本发明的目的是利用该活性炭赋活再生炉，提供能够长期维持高水平的排出气体中所包含的化学物质的除去率的气体净化方法和装置。本发明使用下述活性炭赋活再生炉，该活性炭赋活再生炉具备：用于供给吸附能力降低了的活性炭K的活性炭供给部21；用于使所供给的活性炭借助重力向下移动形成移动层，在该移动层中使活性炭K和水蒸气V一边加热一边对流接触，发生水性气体反应，从而使活性炭K再生的活性炭再生部22；用于将再生后的活性炭冷却的冷却部26；用于将冷却后的活性炭排出的活性炭排出部27。活性炭赋活再生炉2中对流接触的水蒸气的流量W_V(kg/h)与活性炭的流量W_K(kg/h)的重量比(W_V/W_K)优选设定为0.05～1.0。
活性炭再生以及利用气体净化方法装置

[发明专利]活性炭赋活再生炉、以及利用了该活性炭赋活再生炉的气体净化方法和装置-CN200980150220.X无效
发明人：须藤幸寿;渡边幸夫 -专利权人：株式会社吴羽工程
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： B01J20/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供容易组装到气体净化装置中的紧凑化活性炭赋活再生炉(赋活再生方法)，另外，本发明的目的是利用该活性炭赋活再生炉，提供能够长期维持高水平的排出气体中所包含的化学物质的除去率的气体净化方法和装置。本发明使用下述活性炭赋活再生炉，该活性炭赋活再生炉具备：用于供给吸附能力降低了的活性炭K的活性炭供给部21；用于使所供给的活性炭借助重力向下移动形成移动层，在该移动层中使活性炭K和水蒸气V一边加热一边对流接触，发生水性气体反应，从而使活性炭K再生的活性炭再生部22；用于将再生后的活性炭冷却的冷却部26；用于将冷却后的活性炭排出的活性炭排出部27。活性炭赋活再生炉2中对流接触的水蒸气的流量WV(kg/h)与活性炭的流量WK(kg/h)的重量比(WV/WK)优选设定为0.05～1.0。
活性炭再生以及利用气体净化方法装置

[发明专利]气体净化装置和方法-CN200980138870.2有效
发明人：蛭田一雄;渡边幸夫;佐藤克史;坂口雅也;大山宏树 -专利权人：株式会社吴羽工程
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： B01D53/44 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种可以抑制化学物质在借助重力下降的吸附剂的表面上凝结，使吸附剂的流动稳定，可以使吸附剂的再生良好进行的气体净化装置和方法。进而，目的在于提供一种可以抑制乙酸乙酯等化学物质的分解，可以回收高纯度的化学物质的气体净化装置和方法。一种气体净化装置1，具有吸附部A、脱去部D、和位于吸附部A与脱去部D之间的吸附剂温度控制部C，所述吸附部A通过使含有化学物质的气体G与吸附剂K接触，来使该化学物质被吸附剂K吸附；所述脱去部D通过使从该吸附部A通过、一边形成移动层一边下降的吸附剂K与非凝结性气体Ga对流接触，来使化学物质从吸附剂K脱去；所述吸附剂温度控制部C用于使下降的吸附剂K保持在从脱去部穿出来的含有化学物质的非凝结性气体Ga的露点～露点+50℃的温度。
气体净化装置方法

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