专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板处理装置以及电子零件的制造方法-CN201811362771.X有效
  • 渡部新;阿部可子 - 佳能特机株式会社
  • 2018-11-16 - 2023-09-08 - H01J37/32
  • 本发明提供基板处理装置以及电子零件的制造方法,在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中,用于抑制处理区域间的气氛气体的混合。基板处理装置具有如下构造的腔室,即,该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域,且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放,其中,所述腔室具有:第一导入口,向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体;第二导入口,向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体;以及排气口,设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。
  • 处理装置以及电子零件制造方法
  • [发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法-CN201910697733.8有效
  • 菅原洋纪;渡部新 - 佳能特机株式会社
  • 2019-07-31 - 2023-07-04 - C23C14/35
  • 本发明提供成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。在靶上的产生溅射粒子的溅射区域相对于腔室移动的情况下,准确地取得溅射区域周边的压力。成膜装置(1)具有内部配置成膜对象物(6)及靶(2)的腔室(10),一边使从上述靶(2)产生溅射粒子的溅射区域(A1)在腔室(10)内移动,一边使溅射粒子堆积在成膜对象物(6)上进行成膜,其特征在于,该成膜装置(1)具有:配置在腔室(10)内,取得上述腔室(10)内的压力的压力传感器(7);以及使压力传感器(7)与溅射区域(A1)的移动一起移动的移动部件(12)。
  • 装置方法以及电子器件制造
  • [发明专利]基板处理装置以及成膜装置-CN201811273183.9有效
  • 阿部可子;渡部新;阿部大和;竹见崇 - 佳能特机株式会社
  • 2018-10-30 - 2023-06-09 - H01L21/67
  • 本发明提供基板处理装置以及成膜装置,在使用了反溅射原理的基板表面处理中,能够对被处理面整个区域进行均匀的处理。该基板处理装置(14)具备:配置有基板(2)并且被导入放电气体的腔室(41);在腔室内保持基板的基板保持架(42);在腔室内支承基板保持架的基板保持架支承部(43);以及将基板保持架作为阴极,且至少将腔室以及基板保持架支承部作为阳极,对基板施加电压的电压施加部件(44),通过向基板的表面照射离子或电子,进行基板的表面处理,所述离子或电子通过由电压施加部件的电压施加产生的放电而在腔室内产生,其中,基板保持架和基板保持架支承部经由相对于基板保持架以及基板保持架支承部电绝缘的浮动部(50)连结。
  • 处理装置以及
  • [发明专利]溅射装置及其使用方法-CN201811070875.3有效
  • 阿部大和;渡部新;青沼大介 - 佳能特机株式会社
  • 2018-09-14 - 2023-04-11 - C23C14/35
  • 提供一种能够提高冷却液的排出性的溅射装置及其使用方法,其特征在于,具有:环状的第一冷却液流路(R1),形成于靶(110)和磁铁单元(130)之间,流过冷却靶(110)的冷却液;第二冷却液流路(R2),设置于磁铁单元(130)的内部,流过所述冷却液;以及排液装置(P2),从第一冷却液流路(R1)朝向第二冷却液流路(R2)送入使所述冷却液排出的气体,并且第一冷却液流路(R1)和第二冷却液流路(R2)的连接部位(RJ)构成为能够配置于环状的第一冷却液流路(R1)中的偏铅垂方向下方的位置。
  • 溅射装置及其使用方法
  • [发明专利]溅射装置-CN201811070874.9有效
  • 三泽启太;阿部大和;渡部新;竹见崇;青沼大介 - 佳能特机株式会社
  • 2018-09-14 - 2022-10-21 - C23C14/35
  • 提供一种抑制冷却液附着于磁铁的溅射装置,在靶(100A)和形成由靶100A的构成原子形成的薄膜的基板(50)之间形成磁场的状态下进行溅射的磁控溅射方式的溅射装置(1),其特征在于,具有:圆筒状的靶(100A),设置于与基板(50)相对的位置,且在溅射时旋转;冷却液流路,流过冷却靶(100A)的冷却液;以及设置于靶(100A)内的密闭容器,形成所述磁场的磁铁(151)配置于密闭容器(100C)内,从而与所述冷却液流路隔离。
  • 溅射装置
  • [发明专利]溅射装置及其控制方法-CN201811070888.0有效
  • 三泽启太;中村谕;青沼大介;渡部新;阿部大和;竹见崇 - 佳能特机株式会社
  • 2018-09-14 - 2022-09-27 - C23C14/35
  • 本发明提供能够将用于使靶旋转的驱动源的动力也利用于其它的用途的溅射装置及其控制方法。溅射装置是磁控管溅射方式的溅射装置,具备:马达(500);通过马达(500)而旋转的旋转轴(510);通过由第1驱动机构传递旋转轴(510)的旋转动力而旋转的靶(110);以及设于靶(110)的内部的磁铁,该溅射装置在靶(110)与基于靶(110)的构成原子形成薄膜的基板之间形成由上述磁铁产生的磁场的状态下进行溅射,其特征在于,该溅射装置设有与第1驱动机构不同的、传递旋转轴(510)的旋转动力的第2驱动机构。
  • 溅射装置及其控制方法
  • [发明专利]成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法-CN202210154432.2在审
  • 绪方俊宏;渡部新;安川英宏 - 佳能特机株式会社
  • 2022-02-21 - 2022-09-06 - C23C14/24
  • 本发明提供提高对基板的成膜工艺中的膜厚的测定和控制的精度的成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法。使用将蒸镀材料向基板蒸镀而进行成膜的成膜装置,其中,该成膜装置具备:蒸发源,相对于基板在相对移动的同时放出蒸镀材料;第一控制部件,控制来自蒸发源的蒸镀材料的放出量;第二控制部件,控制基板和蒸发源的相对速度;监视部件,在成膜中,测定来自蒸发源的蒸镀材料的放出量;膜厚测定部件,在成膜后,测定蒸镀在基板上的膜的膜厚;以及控制部,基于由监视部件测定出的放出量及由膜厚测定部件测定出的膜厚,控制第一控制部件及第二控制部件。
  • 装置控制方法以及电子器件制造
  • [发明专利]溅射装置-CN201811070887.6有效
  • 青沼大介;渡部新 - 佳能特机株式会社
  • 2018-09-14 - 2022-07-22 - C23C14/35
  • 本发明涉及一种溅射装置,提供能够实现成膜精度的提高的技术,并能够实现成膜精度的提高并实现靶材料的浪费少的消耗的技术。在与圆筒形的靶(40A)的中心轴线正交的截面中,从靶(40A)的中心点开始以通过第一磁铁(401A)与第二磁铁(402A)之间的方式沿靶(40A)的径向延伸的假想直线中的、通过靶(40A)的表面中的该表面的法线方向上的磁通密度分量为0的第一点(Z1)的第一假想直线(L1)与基板(10)的被处理面(11)垂直地相交,假想直线中的通过靶(40A)的表面中的与第一点(Z1)不同且磁通密度分量为0的第二点(Z2)的第二假想直线(L2)与基板(10)不相交。
  • 溅射装置

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