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[实用新型]一种耐高温微孔橡塑管-CN201820614723.4有效
发明人：刘强生 -专利权人：中山市保珑橡塑制品有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： F16L9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐高温微孔橡塑管，包括管体、阻燃层、防护层、防潮层、耐高温层和微孔，所述管体内部设置有第一间隙，所述阻燃层设置在第一间隙内侧，且阻燃层内侧设置有第二间隙，所述防护层设置在第二间隙内侧，且防护层内侧设置有第三间隙，所述防潮层设置在第三间隙内侧，且防潮层内侧设置有第四间隙，所述耐高温层设置在第四间隙内侧，且耐高温层内侧设置有第五间隙，所述微孔开设在第一间隙、第二间隙、第三间隙、第四间隙以及第五间隙的内部该耐高温微孔橡塑管在第一间隙、第二间隙、第三间隙、第四间隙以及第五间隙的内部随着了微孔，并且微孔呈交替分布，能够很好地进行透气，同时微孔呈交替分布也能够很好地减少水汽进入。
微孔耐高温层防潮层防护层耐高温橡塑管阻燃层交替分布本实用新型管体内部水汽管体透气

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN201410341635.8有效
发明人：吕曼绫;洪裕祥;张仲甫;吴彦良;沈文骏;刘家荣;傅思逸;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在衬底上依序形成第一间隙壁材料层、第二间隙壁材料层以及第三间隙壁材料层，且第一间隙壁材料层、第二间隙壁材料层以及第三间隙壁材料层覆盖堆叠结构。蚀刻第一间隙壁材料层、第二间隙壁材料层以及第三间隙壁材料层，以于堆叠结构的侧壁上形成三层间隙壁结构。从堆叠结构的一侧算起，三层间隙壁结构包括第一间隙壁、第二间隙壁以及第三间隙壁，且第二间隙壁的介电常数小于第一间隙壁以及第三间隙壁的每一者的介电常数。基于上述，第一间隙壁和第三间隙壁可以保护第二间隙壁，以减少栅极对接触窗的寄生电容，同时可避免栅极受损以提升元件效能。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法和使用电脑设计其布局的方法-CN201611219689.2有效
发明人：吴於贝;魏圣轩;李莉渝;吴岱洋;陈殿豪;郑价言 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置，包括设置于基板上方的第一层间介电层，金属导线，设置于第一层间介电层和金属导线上方的第二层间介电层，第一空气间隙和第二空气间隙。金属导线内嵌于第一层间介电层中，金属导线之间以第一间隙或第二间隙配置，第二间隙的长度大于第一间隙的长度。第一空气间隙，利用第二层间介电层形成，第一空气间隙形成于第一区域中，且夹设于以第一间隙配置的相邻两条金属导线之间。第二空气间隙，利用第二层间介电层形成，第二空气间隙形成于第二区域中，且夹设于以大于第一间隙的一间隙配置的相邻两条金属导线之间。没有相邻两条金属导线以小于第一间隙的一间隙配置。
半导体装置及其制造方法使用电脑设计布局

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211715003.4在审
发明人：庄晴凯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：该制备方法包括：在一基底上形成一位元线；在该位元线上形成一第一间隙子层并与之共形；在该第一间隙子层上形成一牺牲层并与之共形；在该牺牲层上形成一第二间隙子层并与之共形；形成覆盖该第二间隙子层一下部的一遮罩层；移除该第二间隙子层的一上部；移除该牺牲层；以及在该第一间隙子层和该第二间隙子层上形成一第三间隙子层，因此形成由该第二间隙子层该下部所包围的一第一气隙。
半导体结构制备方法

[发明专利]显示面板-CN201710924626.5有效
发明人：沈孟纬;叶永城 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：一种显示面板包括第一基板、主动元件层、像素电极层、辅助导电层、第一间隙物及第二间隙物。主动元件层配置于第一基板上。像素电极层配置于第一基板上且与主动元件层电性连接。辅助导电层配置于主动元件层上。第一间隙物配置于辅助导电层上。第一间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层重叠。第二间隙物配置于主动元件层上。第二间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层不重叠。第一间隙物的顶点与第一基板的距离大于第二间隙物的顶点与第一基板的距离。
显示面板

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN201510252441.5在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干CMOS器件和覆盖所述CMOS器件的层间介电层，其中所述层间介电层中形成有接触孔开口，以露出用于互连的CMOS器件；步骤S2：沉积第一间隙壁材料层，以覆盖所述层间介电层和所述接触孔开口；步骤S3：在所述第一间隙壁材料层上形成第二间隙壁材料层，以覆盖所述第一间隙壁材料层；步骤S4：图案化第二间隙壁材料层，以在所述第一间隙壁材料层的侧壁上形成第二间隙壁并露出所述接触孔开口底部的所述第一间隙壁材料层；步骤S5：对所述接触孔开口底部进行底切，以去除所述接触孔开口底部的所述第一间隙壁材料层，以扩大所述接触孔开口底部的尺寸。
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810048649.9有效
发明人：刘志建;张家隆;吴姿锦;徐伟伦 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法包括，主要先形成一位线结构于基底上，然后形成第一间隙壁、第二间隙壁以及第三间隙壁环绕位线结构，形成层间介电层于位线结构上，平坦化层间介电层，去除层间介电层以及第二间隙壁以于第一间隙壁以及第三间隙壁之间形成一凹槽，之后再形成一衬垫层于凹槽内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210106735.7在审
发明人：周俊廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本揭露内容提供一种半导体元件的制造方法，包含形成栅极介电层及虚拟栅极层；形成罩幕于在虚拟栅极层上；图案化栅极介电层及虚拟栅极层，以形成虚拟栅极结构，其中虚拟栅极结构包含栅极介电层的残留部分及虚拟栅极层的残留部分；磊晶成长第一间隙层于虚拟栅极结构及基材上，其中第一间隙层在虚拟栅极结构及基材的多个暴露表面的成长率比在罩幕的多个暴露表面上更高；掺杂第一间隙层，以形成掺杂间隙层，其中掺杂间隙层具有不同于基材的晶格常数；沉积第二间隙层于掺杂间隙层上；以及蚀刻第二间隙层及掺杂间隙层，以形成栅极间隙。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201611123480.6有效
发明人：蔡巧明;杨列勇;王金刚;夏华婷;王龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区上形成有栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有栅极硬掩膜层；形成覆盖所述栅极结构的第一间隙壁层，所述第一间隙壁层具有露出所述栅极硬掩膜层的开口；形成覆盖所述栅极硬掩膜层及所述第一间隙壁层的第二间隙壁层；刻蚀位于所述PMOS区的第二间隙壁层和第一间隙壁层，以在所述PMOS区中栅极结构的侧壁上形成间隙壁结构；在所述PMOS区的栅极结构两侧的半导体衬底内形成嵌入式锗硅结构；去除第二间隙壁层及所述栅极硬掩膜层。根据本发明提供的方法，可省去一次NMOS区域第一间隙壁层的光刻与刻蚀制程。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]制作电容器的方法-CN201710011359.2有效
发明人：陈界得;张峰溢;李甫哲 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种制作电容器的方法，包括提供基板与设置于基板上的第一蚀刻停止层；在第一蚀刻停止层上形成多条第一间隙壁；在第一间隙壁上依序形成有机层以及第二蚀刻停止层，其中有机层覆盖第一间隙壁；在第二蚀刻停止层上形成多条第二间隙壁，其中各第二间隙壁横跨第一间隙壁；将第二间隙壁的图案转移至有机层，以形成有机图案；以有机图案与第一间隙壁为掩模进行蚀刻制作工艺，以形成蚀刻停止图案并移除第二蚀刻停止层；将蚀刻停止图案转移至基板，以形成多个穿孔
间隙壁蚀刻停止层有机层基板电容器蚀刻停止图案有机图案蚀刻制作工艺图案转移穿孔掩模移除制作横跨覆盖

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201610966683.5有效
发明人：张海洋;王彦;蒋鑫 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有目标材料层；在所述目标材料层上形成若干间隔排列的第一间隙壁；进行第一等离子体处理，以改性所述第一间隙壁形成改性的第一间隙壁；形成第二间隙壁材料层，以覆盖所述改性的第一间隙壁和部分所述目标材料层的表面；进行第二等离子体处理，以改性所述第二间隙壁材料层位于所述改性的第一间隙壁顶面上的部分以及位于所述目标材料层表面上的部分，从而形成改性的第二间隙壁材料层；去除所述改性的第一间隙壁和所述改性的第二间隙壁材料层，以形成若干间隔排列的第二间隙壁。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202111643264.5在审
发明人：杨永刚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器及其制造方法，所述三维存储器具有台阶区，所述制造方法包括：提供堆叠结构，所述堆叠结构包括堆叠设置的层间绝缘层，相邻的层间绝缘层之间设置有第一间隙，在所述台阶区，至少部分所述层间绝缘层端部依次延伸形成阶梯台阶，介质层覆盖所述台阶区，且所述介质层与所述阶梯台阶顶面之间具有第二间隙，所述第二间隙的高度大于所述第一间隙的高度；于所述第一间隙及所述第二间隙中填充第一材料，至所述第一间隙被填满为止；于所述第二间隙内填充第二材料，至所述第二间隙被填满为止。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]半导体组件的多重间隙壁宽度的制造方法-CN200410033425.9有效
发明人：刘埃森;彭宝庆;雷明达;林义雄;林正忠;林佳惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体组件的多重间隙壁宽度(MultipleSpacer Widths)的制造方法，其在半导体组件的侧壁上形成第一间隙壁后，再进行选择性沉积(SelectiveDeposition)处理，以使第一间隙壁的表面产生悬浮键(Dangling Bonds)，而使后续沉积的第二间隙壁的材料层仅与具有悬浮键的第一间隙壁的表面反应，进而改变位于第一间隙壁上的第二间隙壁的材料层的性质。如此一来，即可轻易去除沉积于第一间隙壁以外未参与反应的第二间隙壁的材料层，而形成具有一间隙壁与二间隙壁的宽度的间隙壁结构。
半导体组件多重间隙宽度制造方法

[发明专利]芯片封装体结构及其形成方法-CN202210960826.7在审
发明人：赖柏辰;游明志;林柏尧;汪金华;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：芯片封装体结构包括一中介基底，其包括由一间隙区所隔开的第一及第二晶粒区。芯片封装体结构也包括分别排置于第一及第二晶粒区上的第一及第二半导体晶粒。另外，芯片封装体结构包括第一及第二间隙填充层形成于间隙区上并彼此分开，以及一第三间隙填充层位于间隙区上及第一与第二间隙填充层之间。第三间隙填充层的杨氏模数小于第一间隙填充层的杨氏模数及第二间隙填充层的杨氏模数。
芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202111180868.0在审
发明人：许茗舜;黄韦清;陈文吉;陈辉煌 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在第一区中的基底上形成第一介电层。在第二区中的基底上形成第二介电层。在第一介电层上形成第一栅极。在第二介电层上形成第二栅极。在第一栅极的侧壁上形成第一间隙壁，且同时在第二栅极的侧壁上形成第二间隙壁。形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层覆盖第一间隙壁且暴露出第二间隙壁。利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除第二间隙壁。在移除第二间隙壁之后，移除图案化光致抗蚀剂层。在第一间隙壁的侧壁上形成第三间隙壁，且同时在第二栅极的侧壁上形成第四间隙壁。
半导体结构制造方法

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