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[发明专利]IGBT器件的制作方法及IGBT器件-CN202310422245.2在审
发明人：颜天才;钟育腾;吕昆谚;黄任生;杨列勇;陈为玉 -专利权人：物元半导体技术（青岛）有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺)、沉积层间介质层；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法，在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺，此时的第一硅片不再是薄片，IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题；同时，在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。
igbt 器件制作方法

[发明专利]IGBT器件的制作方法及IGBT器件-CN202310425489.6在审
发明人：颜天才;钟育腾;吕昆谚;黄任生;杨列勇;陈为玉 -专利权人：物元半导体技术（青岛）有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺)、沉积层间介质层、第一金属层以及第一硬掩膜；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法，在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺，此时的第一硅片不再是薄片，IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题；同时，在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。
igbt 器件制作方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管阻隔结构的形成方法及半导体元件-CN202310410972.7在审
发明人：颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种鳍式场效应晶体管阻隔结构的形成方法及半导体元件，该形成方法包括：在硅衬底上形成条状鳍片和伪多晶硅栅极；在条状鳍片上形成源极和漏极；沉积层间介质层并进行第一平坦化；依次沉积硬掩膜层和光刻胶层，在硬掩膜层和光刻胶层形成单扩散区及栅极隔离区的图形；曝光刻蚀单扩散区和栅极隔离区内的伪多晶硅栅极至预设深度后，同时形成单扩散区沟槽及栅极隔离区沟槽并沉积填充材料；进行第二平坦化直至露出层间介质层，形成单扩散区切断结构及栅极切割隔离结构；将伪多晶硅栅极替换为金属栅极。该技术方案通过对工艺过程的改进，提高器件性能和良率。
场效应晶体管阻隔结构形成方法半导体元件

[发明专利]沟槽栅功率器件的制作方法及沟槽栅功率器件-CN202310716074.4在审
发明人：任世强;颜天才;吕昆谚;黄任生;杨列勇;陈为玉 -专利权人：物元半导体技术（青岛）有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种沟槽栅功率器件的制作方法及沟槽栅功率器件，该方法包括：在衬底的正面形成第二通孔，第二通孔中延伸至衬底背面的漏区，因而将漏极引入衬底的正面，因此省去了衬底减薄及背面金属工艺。一方面衬底的厚度可以更薄，进而降低了衬底电阻，获得更低导通电阻的沟槽栅功率器件；另一方面省去了背面减薄工艺和背面金属工艺，使得工艺制程与传统logic工艺制程更容易兼容，而且避免了背面减薄工艺产生的破片等问题，提高了产品良率。同时，省去的背面减薄工艺，也不再需要薄片机台,可节省生产成本。
沟槽功率器件制作方法

[发明专利]IGBT器件的制作方法及IGBT器件-CN202310422241.4在审
发明人：颜天才;吕昆谚;黄任生;杨列勇;陈为玉 -专利权人：物元半导体技术（青岛）有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件，制作方法包括：提供一第一硅片和第二硅片；在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺),沉积层间介质层、第一金属层以及第一硬掩膜；在第二硅片正面沉积第二硬掩膜，将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法，在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺，此时的第一硅片不再是薄片，IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题；同时，在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。
igbt 器件制作方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管阻隔结构的形成方法及半导体元件-CN202310410961.9在审
发明人：颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提出一种鳍式场效应晶体管阻隔结构的形成方法及半导体元件，该形成方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成条状鳍片和伪多晶硅栅极；在条状鳍片上形成源极和漏极；沉积层间介质层并进行第一平坦化，以露出伪多晶硅栅极的顶部；刻蚀伪多晶硅栅极以去除伪多晶硅栅极，形成沟槽；在所述沟槽内沉积金属层，形成金属栅极；依次沉积硬掩膜层和光刻胶层，在所述硬掩膜层和光刻胶层形成单扩散区及栅极隔离区的图形；曝光刻蚀所述单扩散区和栅极隔离区，形成单扩散区沟槽及栅极隔离区沟槽；在所述单扩散区沟槽及栅极隔离区沟槽经一次沉积、二次沉积形成单扩散区切断结构SDB及栅极切割隔离结构CPO。该技术方案通过对工艺过程的改进，提高器件性能和良率。
场效应晶体管阻隔结构形成方法半导体元件

[发明专利]金属互连结构的形成方法、金属互连结构及半导体器件-CN202211729832.8在审
发明人：刘文俊;颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及一种金属互连结构的形成方法、金属互连结构及半导体器件，其中，该形成方法包括：提供一层间介质层，用于形成所需金属互连结构；在所述层间介质层蚀刻形成金属互连所需的沟槽和通孔；在所述通孔内至少部分地沉积填充钨，形成无阻挡层的钨塞；沿所述沟槽内壁及所述钨塞的顶面在所述沟槽内依次沉积阻挡层、内里层；沿所述内里层内壁沉积填充铜，形成铜互连导线，所述铜互连导线与所述钨塞形成金属互连结构。通过本申请，以至少实现低阻值的后段互连导线，降低填洞难度，解决填洞不良或空泡缺陷等问题。
金属互连结构形成方法半导体器件

[发明专利]硅通孔的形成方法、半导体元件的形成方法及半导体元件-CN202211547993.5在审
发明人：颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种硅通孔的形成方法、半导体元件的形成方法及半导体元件，在基底中形成第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层，并去除第二阻挡层形成气隙间。本申请提供的硅通孔的形成方法，其具有气隙间，该方法一方面保留硅通孔中阻挡层与导电层的接触关系；另一方面，去除第二阻挡层时导电层被第三阻挡层保护，可以减少对导电层和整个基底的损伤。气隙间环绕导电层设置，以使气隙间内的低介电常数的空气分布在导电层周围，因此形成较低寄生电容硅通孔。
硅通孔形成方法半导体元件

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202211639300.5在审
发明人：黄任生;杨列勇;颜天才;任佳栋 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。半导体结构的形成方法包括以下步骤：在衬底上形成凸出的鳍片；形成覆盖在鳍片上方以及衬底上方的虚设栅极层；对虚设栅极层执行离子植入工艺，所植入的离子为P型掺杂离子或N型掺杂离子；对经离子植入后的虚设栅极层执行退火工艺，以形成所植入离子由虚设栅极层的表面向内部变化的浓度分布；对虚设栅极层执行蚀刻工艺，以形成虚设栅极结构；利用栅极结构来替换虚设栅极结构。该半导体结构的形成方法可以直接快速地对栅极的形态进行调整，工艺简单，操作便捷。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体元件的形成方法-CN202211547990.1在审
发明人：颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成一介电层，其中所述介电层内形成有一第一栅极沟槽；所述第一栅极沟槽内形成有第一介质层以及第一高介电常数介电层；对所述第一高介电常数介电层进行第一退火工艺；在所述第一栅极沟槽内进行一第一阈值电压掺杂制作工艺；在所述第一栅极沟槽内形成第一栅极。该半导体元件的形成方法，在高介电常数介电层形成之后对沟道区域进行阈值电压掺杂制作工艺注入离子，可以减少高介电常数介电层退火工艺的热效应对离子扩散的影响。
半导体元件形成方法

[发明专利]晶圆接合方法及半导体器件-CN202211548583.2在审
发明人：刘文俊;张添尚;颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提出一种晶圆接合方法及半导体器件，该方法通过在第一晶圆的金属连接层区域形成第一凹陷区；在第一凹陷区内沉积一粘附层；然后将第一晶圆和第二晶圆接合形成晶圆堆叠；接着，进行升温键结和降温退火工艺，使第一晶圆和第二晶圆形成金属键键合。本申请提供的晶圆接合方法，通过平坦化工艺形成凹陷区，然后在凹陷区形成粘附层，利用粘附层的高附着力，增加金属与金属接合界面的附着力，来增加界面键结强度，从而减少空泡，解决晶圆接合不良的缺陷,解决例如电性断路、接触不良的问题,提高产品良率。
接合方法半导体器件

[发明专利]非晶硅的应用、晶圆上芯片的形成方法及晶圆上芯片-CN202211654496.5在审
发明人：张添尚;杨列勇;颜天才 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶硅在晶圆上芯片中作为芯片之间填充材料的应用、晶圆上芯片的形成方法及晶圆上芯片。其中，晶圆上芯片的形成方法，包括以下步骤：提供待接合的晶圆以及多个芯片；执行接合工艺，在所述晶圆之上接合所述多个芯片且在所述多个芯片之间形成间隙；执行间隙填充工艺，以非晶硅作为填充材料填充所述间隙并覆盖所述芯片的表面；执行化学机械研磨工艺，以露出所述芯片的表面。采用非晶硅作为填充材料填充至各芯片之间的间隙中，由于非晶硅与作为芯片基材的硅的材质相近，在后续利用化学机械研磨工艺进行减薄的过程中，可以降低化学机械研磨工艺的负载效应，使得减薄后的间隙填充区域的表面与芯片表面近似相平。
非晶硅应用晶圆上芯片形成方法

[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件-CN202211554643.1在审
发明人：颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法及半导体器件。该制作方法,通过在基底层上加工鳍结构，在鳍结构外加工围绕鳍结构的氧化物层，使鳍结构伸出至氧化物层表面外，以及，在氧化物层表面、鳍结构之间加工伪多晶硅栅极，在相邻的伪多晶硅栅极之间，氧化物层表面形成层间介电层；去除伪多晶硅栅极，至氧化物层暴露；将氧化物层向下刻蚀一定的深度；在刻蚀之后的氧化物层表面沉积形成金属栅极。该制作方法在去除伪多晶硅栅极之后加工鳍结构，可用于制作半导体器件，尤其是鳍式场效应晶体管。
半导体器件制作方法

[发明专利]SOI晶圆的制备方法及SOI晶圆-CN202211660990.2在审
发明人：曹学文;邱哲夫;颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI晶圆的制备方法及SOI晶圆，制备方法包括：晶圆准备步骤：提供一第一晶圆及一第二晶圆；研磨停止层制作步骤：通过向第二晶圆植入一介质后在第二晶圆中成型一具有介质的研磨停止层；半成品晶圆制作步骤：将第二晶圆与第一晶圆粘结后通过退火炼结形成半成品晶圆；SOI晶圆制作步骤：对半成品晶圆进行研磨至研磨停止层后，通过刻蚀去除研磨停止层，通过本发明在SOI晶圆制备时能够对硅厚度及均匀度进行精准控制，从而改善硅表面的粗糙度与缺陷。
soi 制备方法晶圆

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN202211661016.8在审
发明人：曹学文;颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。半导体装置的制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽内形成栅极电介质；在栅极电介质之上填充多晶硅至高于栅极沟槽的表面；利用化学机械研磨工艺进行平坦化至露出栅极沟槽的开口，并且在栅极沟槽的开口处至栅极沟槽内的填充区域形成凹陷；去除栅极沟槽内的多晶硅；以金属材料填充栅极沟槽内的剩余区域。该半导体装置的制造方法可以在填充金属材料之前，降低栅极沟槽待填充区域的深宽比，并且增大栅极沟槽待填充区域开口的尺寸，使得后续金属材料填充不易产生空隙等缺陷，提高半导体装置的电性良率。
半导体装置制造方法

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