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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]封装件及其形成方法-CN202310206280.0在审
  • 余振华;王垂堂;郑文豪;邵栋梁;蔡仲豪 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-03-06 - 2023-08-01 - H01L23/31
  • 一种封装件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的密封剂、嵌入密封剂中的第一集成电路管芯和第二集成电路管芯，以及位于密封剂的第一侧上的第一中介层。第一中介层机械耦接且电耦接至第一集成电路管芯和第二集成电路管芯。封装件还包括位于密封剂的第二侧上的第二中介层。第二中介层机械耦接且电耦接至第一集成电路管芯和第二集成电路管芯。第二中介层将第一集成电路管芯光耦接或电耦接至第二集成电路管芯。本发明的实施例还提供了形成封装件的方法。
  • 封装及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110856920.3在审
  • 余振华;谢政宪;王垂堂;陈颉彦 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-07-28 - 2022-08-23 - H01L25/16
  • 本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括位于晶片上的第一多个管芯、位于所述第一多个管芯之上的第一重布线结构及与所述第一多个管芯相对地位于所述第一重布线结构上的第二多个管芯。所述第一重布线结构包括第一多个导电特征。所述第一多个管芯中的每一管芯在所述第一重布线结构的底侧上通过多个金属‑金属接合而接合到所述第一多个导电特征中的相应的多个导电特征。所述第二多个管芯中的每一管芯在所述第一重布线结构的顶侧上通过多个金属‑金属接合而接合到所述第一重布线结构中的所述第一多个导电特征中的相应的多个导电特征。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [发明专利]封装件及其形成方法-CN202210038417.1在审
  • 余振华;陈颉彦;王垂堂;蔡仲豪 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-01-13 - 2022-07-19 - H01L25/065
  • 方法包括形成重构晶圆，包括：在载体上方形成再分布结构，在再分布结构上方接合第一多个存储器管芯，在再分布结构上方接合多个桥接管芯，以及在第一多个存储器管芯和多个桥接管芯上方接合多个逻辑管芯。多个桥接管芯中的每个互连多个逻辑管芯中的四个并且与多个逻辑管芯中的四个的角部区域重叠。第二多个存储器管芯接合在多个逻辑管芯上方。多个逻辑管芯形成第一阵列，并且第二多个存储器管芯形成第二阵列。本申请的实施例涉及封装件及其形成方法。
  • 封装及其形成方法
  • [发明专利]形成管芯堆叠件的方法及集成电路结构-CN202010250523.7有效
  • 余振华;蔡仲豪;王垂堂 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-04-01 - 2022-06-28 - H01L21/98
  • 方法包括减薄器件管芯的半导体衬底，以露出延伸至半导体衬底中的衬底通孔；以及形成第一再分布结构，形成第一再分布结构包括在半导体衬底上方形成第一多个介电层，以及在第一多个介电层中形成第一多个再分布线。第一多个再分布线电连接至衬底通孔。该方法还包括将第一存储器管芯放置在第一再分布结构上方，以及在第一再分布结构上方形成第一多个金属柱。第一多个金属柱电连接至第一多个再分布线。将第一存储器管芯密封在第一密封剂中。在第一多个金属柱和第一存储器管芯上方形成电连接至第一多个金属柱和第一存储器管芯的第二多个再分布线。本发明的实施例还涉及形成管芯堆叠件的方法及集成电路结构。
  • 形成管芯堆叠方法集成电路结构
  • [发明专利]封装件及其形成方法-CN202210091693.4在审
  • 余振华;蔡仲豪;王垂堂;陈颉彦 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-06-03 - H01L23/538
  • 本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。方法包括将电容器管芯接合至器件管芯。器件管芯包括：第一半导体衬底；有源器件，位于第一半导体衬底的表面处；多个低k介电层；第一介电层，位于多个低k介电层中的顶部低k介电层上方并且与多个低k介电层中的顶部低k介电层接触；和第一多个接合焊盘，位于第一介电层中。电容器管芯包括：第二介电层，接合至第一介电层；第二多个接合焊盘，位于第二介电层中并且接合至第一多个接合焊盘；和电容器，电耦接至第二多个接合焊盘。在将电容器管芯接合至器件管芯之后，在电容器管芯上方形成含铝焊盘，含铝焊盘电耦接至器件管芯。在含铝焊盘上方形成聚合物层。
  • 封装及其形成方法
  • [发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN201711275840.9有效
  • 余振华;王垂堂 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2017-12-06 - 2021-10-08 - H01L21/768
  • 提供一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一孔洞和一第二孔洞于一基板的一第一表面中；形成一第一绝缘层于第一孔洞和第二孔洞中；形成一导电层于第一绝缘层之上及第一孔洞和第二孔洞中，其中导电层具有一第一凹部于第一孔洞中并填充第二孔洞；形成一第二绝缘层于导电层之上及第一凹部中，其中第二绝缘层具有一第二凹部于第一凹部中；形成一导电结构于第二凹部中；从基板的一第二表面部分地移除基板、第一绝缘层、导电层、和第二绝缘层，以暴露出导电结构及第一孔洞和第二孔洞中的导电层，其中第二表面相对于第一表面。亦提供一种半导体装置结构。
  • 半导体装置结构及其形成方法
  • [发明专利]无源器件模块-CN202110056766.1在审
  • 黄诗雅;蔡仲豪;余振华;王垂堂 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-01-15 - 2021-07-23 - H01L25/04
  • 一种无源器件模块包含第一层级、第二层级以及连接端子。第一层级包含第一半导体芯片和第一密封体。第一半导体芯片具有接触柱。密封体密封第一半导体芯片。第二层级设置在第一层级上，且包含第二半导体芯片、层间贯穿壁以及第二密封体。层间贯穿壁位于第二半导体芯片的侧壁旁侧并面向第二半导体芯片的侧壁，且电连接到接触柱。第二密封体密封第二半导体芯片和层间贯穿壁。连接端子设置在第二层级上方且经由层间贯穿壁电连接到第一半导体芯片。第一半导体芯片和第二半导体芯片包含无源器件。本公开可减小外观尺寸、寄生电阻以及电感。
  • 无源器件模块
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