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[发明专利]MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法-CN202210544654.5在审
发明人：赵凤俭 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法，包括：提供MOSFET驱动回路的RLC二阶等效电路，所述RLC二阶等效电路包括电连接的驱动信号源、驱动电阻、驱动回路寄生电感以及所述MOSFET的栅源寄生电容、栅漏寄生电容和漏源寄生电容；使所述MOSFET的栅源寄生电容值、栅漏寄生电容值及漏源寄生电容值达到稳定值；将所述RLC二阶等效电路由过阻尼状态转变为欠阻尼状态，期间所述MOSFET不开通，并获得所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系；基于所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系，获得震荡周期及幅值，进而获得驱动回路寄生电感值。本申请技术方案在不对器件造成损害的情况下，解决了MOSFET驱动回路寄生电感难以获取的问题。
mosfet 驱动回路寄生电感确定方法

[发明专利]一种触摸屏电容检测电路-CN202011566325.8有效
发明人：张瑛;周梦波;蒋文超;张靖宇 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：一种触摸屏电容检测电路，包括主放大单元和寄生电容校准回路，主放大单元将输入的电容量转化为电压量，寄生电容校准回路消除寄生电容带来的影响；检测电路的输入为待测电容Cx和寄生电容Cpar，待测电容Cx输入路中设有开关K1；其中，主放大单元包括运算放大器、并联在反相输入端和输出端之间的分路以及同相输入端的接地支路和参考电压输入支路；寄生电容校准回路包括依次相连的补偿电路、运算放大器、校准电路和比较器。本电容检测电路，通过增加的寄生电容校准回路能够完全消除输入端寄生电容的影响，即使输入端寄生电容随环境发生变化，也能准确测量输入端电容的变化量。
一种触摸屏电容检测电路

[发明专利]用于晶体管的补偿设备-CN201811575232.4在审
发明人：大卫·西巴克;安德烈亚·代尔基亚罗;彼得·辛格尔;赵寄 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：提供一种设备，所述设备包括晶体管，所述晶体管在至少一个控制端子和第一类型的至少一个负载端子之间具有寄生电容。此外，该设备包括有利地设置的电感，所述电感彼此电磁耦合，并且配置为在谐振频率附近的范围中至少部分地补偿寄生电容的作用。
晶体管电感补偿寄生电容补偿设备电磁耦合负载端子寄生电容控制端子谐振频率配置

[发明专利]带通滤波器-CN200810107921.2有效
发明人：李宝男 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H03H5/02 文献下载
摘要：带通滤波器包括一输入端、一第一电感、一第一电容、一第一寄生电容、一第二电容、一第二电感、一第二寄生电容、一第三电感、一第三寄生电容以及一输出端。输入端、第一电感、第一电容、第二电容、第三电感以及输出端依序电性串联。第一寄生电容产生于第一电感以及第一电容与接地端之间。第二电感与第一电容、第二电容及接地端电性连接。第二寄生电容产生于第二电感、第一电容以及第二电容与接地端之间。第二寄生电容电性并联于第二电感。第三寄生电容产生于第三电感以及第二电容与接地端之间。
带通滤波器

[发明专利]一种晶圆的电容测试方法和测试装置-CN201711465714.X有效
发明人：王俊美;郝瑞庭;尹诗龙 -专利权人：北京华峰测控技术股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的电容测试方法和测试装置。测试方法包括获取对应晶圆第一测试位置处的误差寄生电容，误差寄生电容为电容测试设备中测试线路的寄生电容；获取第一测量电容；根据晶圆第一测试位置处的误差寄生电容和第一测量电容获取晶圆第一测试位置处的实际被测电容；更新晶圆第一测试位置处的误差寄生电容至晶圆第二测试位置处的误差寄生电容；获取第二测量电容；根据更新后的误差寄生电容和第二测量电容获取晶圆第二测试位置处的实际被测电容，直至获取晶圆的所有测试位置的实际被测电容通过本发明的技术方案，提高了晶圆各测试位置的实际电容的测试准确性。
一种电容测试方法装置

[发明专利]一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法-CN202210522862.5在审
发明人：徐建;杨逸凡;闵可;秦唐臻 -专利权人：东南大学;南京矽志微电子有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法，基于密勒效应产生负电容，与寄生电容对消，解决了目前电容测量领域中由于寄生电容导致测量范围受限和测量精度不高的问题。同时，能通过逻辑功能动态适应寄生环境变化导致寄生电容发生改变，解决了普通电路不能消去此类寄生电容影响的问题，从而提高电容测量的准确度和测量范围。本方法能广泛应用于电容传感器和触摸屏设计等领域中。
一种消除测量电路寄生电容测量方法

[发明专利]硅通孔阵列结构的射频模型方法-CN201210362613.0有效
发明人：黄景丰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明方法考虑到了硅通孔阵列结构中条形硅通孔的寄生电感、寄生电阻和趋肤效应，以及条形硅通孔之间的耦合电容、条形硅通孔之间的互感，以及硅通孔和衬底的寄生电容，以及衬底效应等，能很好的表征硅通孔阵列结构的高频特征，模拟出准确的硅通孔阵列结构的寄生电感、寄生电容与频率的关系。
硅通孔阵列结构射频模型方法

[发明专利]寄生电容过载的检测方法-CN202110090042.9在审
发明人：曹云 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明提供一种寄生电容过载的检测方法，所述寄生电容过载的检测方法包括：在存储电路中选定节点。获取所述存储电路中所有MOS管的驱动能力值。判断每一所述MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内；若是，则所述MOS管对应的节点的寄生电容合格；若否，则所述MOS管对应的节点的寄生电容过载。因此，本发明提供的所述寄生电容过载的检测方法将所述节点处的寄生电容是否过载，映射为所述节点对应的MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内。故本发明不需要对整个存储电路进行仿真，即可检测出每一所述节点处的寄生电容是否过载，大大的缩短了检测的时间，提高了寄生电容过载的检测效率。
寄生电容过载检测方法

[发明专利]一种基于新型DreaMOS工艺的Doherty射频功率放大器模组及其输出匹配网络-CN202011330267.9在审
发明人：顾滕锋 -专利权人：苏州华太电子技术有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于新型DreaMOS工艺的Doherty射频功率放大器模组及其输出匹配网络，所述输出匹配网络包括主寄生电容、辅寄生电容和电感，主寄生电容一端接主路放大器的漏极，另一端接电感；辅寄生电容一端接辅路放大器的漏极，另一端接电感，主路放大器和辅路放大器并联，且主路放大器和辅路放大器均为DreaMOS晶体管，主寄生电容和辅寄生电容分别为主DreaMOS晶体管中的寄生电容和辅DreaMOS晶体管中的寄生电容。
一种基于新型 dreamos 工艺 doherty 射频功率放大器模组及其输出匹配

[发明专利]一种电梯控制系统的死区补偿方法、装置以及存储介质-CN202310750765.6在审
发明人：何志明;郑伟;曹力研;钟玉涛;贾兴虎 -专利权人：深圳市海浦蒙特科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02P21/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电梯控制系统的死区补偿方法、装置以及存储介质，用于电机控制技术领域，本申请实施例方法包括：基于电梯控制系统控制电梯处于稳定运行状态；在稳定运行状态中，选取多个寄生电容对电梯控制系统进行死区补偿，并对死区补偿后电梯控制系统的d轴输出电压进行采样，得到输出电压的采样值；其中，多个寄生电容为不同大小的寄生电容；根据输出电压的采样值得到多个寄生电容下输出电压的波动值；根据多个寄生电容下输出电压的波动值，从多个寄生电容中确定目标寄生电容；基于目标寄生电容确定进行死区补偿的电流阈值，并使用电流阈值对电梯控制系统的三相电机进行死区补偿；能有效提高电梯控制系统中死区补偿的效果。
一种电梯控制系统死区补偿方法装置以及存储介质

[发明专利]射频压焊块的仿真方法-CN200810043906.6有效
发明人：周天舒 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-04 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频压焊块的仿真方法，首先确定射频压焊块等效电路电学模型，包括串联电阻、介质层所带来的寄生电阻、介质层所带来的寄生电容、硅衬底所带来的寄生电阻、硅衬底所带来的寄生电容；所述介质层所带来的寄生电阻、寄生电容并接，所述硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接，所述介质层所带来的寄生电阻、寄生电容并接后一端接所述串联电阻的一端，另一端接所述硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接后的一端；然后以上述确定的射频压焊块等效电路电学模型的串联电阻的另一端作为射频端口，将硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接后的另一端接地，进行仿真。
射频压焊块仿真方法

[发明专利]角速度传感器-CN201080002523.X有效
发明人：佐佐木刚;黑田启介 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：本发明提供一种传感器装置，相对于在第1驱动电极与检测电极之间产生的第1寄生电容、和在第2驱动电极与检测电极之间产生的第2寄生电容的比，将第1驱动信号的振幅与第2驱动信号的振幅的比设定为其倒数。由此，能够高效地抵消由电容耦合所产生的噪声分量，能够提高角速度传感信号的检测精度。
角速度传感器

[发明专利]一种喇叭的保护系统及方法-CN201511019714.8在审
发明人：叶菁华 -专利权人：钰太芯微电子科技（上海）有限公司;钰太科技股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H04R9/02 文献下载
摘要：线圈和磁缸，所述线圈在所述磁缸中产生声音振动的动能，寄生电容形成于所述线圈和所述磁缸之间；检测单元检测所述寄生电容的容抗值；计算单元根据所述寄生电容的容抗值计算所述寄生电容的变化率；判断单元，与所述计算单元连接，判断所述寄生电容的变化率是否在阈值范围内。
一种喇叭保护系统方法

[发明专利]AMOLED驱动电路结构及其制作方法-CN201610823018.0有效
发明人：韩佰祥 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本发明提供了一种AMOLED驱动电路结构及其制作方法，通过增大栅极保护层在寄生电容区的厚度，来减少AMOLED驱动电路中的寄生电容，包括AMOLED驱动电路中的薄膜晶体管的寄生电容及布线寄生电容，进而减少寄生电容对
amoled 驱动电路结构及其制作方法

[发明专利]一种消影电压控制系统和方法-CN201711380225.4在审
发明人：陈克勇;符传汇;李照华 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供了一种消影电压控制系统，与寄生电容相连，包括充电模块、放电模块和电压检测模块，电压检测模块连接于充电模块和放电模块，其中，电压检测模块用于检测寄生电容的端口电压，根据寄生电容的端口电压控制充电模块对寄生电容进行充电或控制放电模块对寄生电容进行放电以使寄生电容的端口电压等于预设消影电压本发明实现了不依赖于具体寄生电容大小来控制消影电压，不需要在不同显示屏中分别设置消影时间即可达到相同的特定消影电压，并且可以很好改善甚至消除消影电压一致性较差的情况。
一种电压控制系统方法