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[发明专利]一种应用于级联H桥光伏逆变器的漏电流抑制方法-CN201610701466.3在审
发明人：宣荣喜;滕飞;胡辉勇;唐子程;宋建军;舒斌;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：桥光伏逆变器的漏电流抑制方法，包括：根据两个H桥模块的四个桥臂的开关状态分别列出两个H桥模块包含的16个开关状态；在两个H桥模块的直流输入电压相同时，计算所述16个开关状态中每个开关状态对应的每个H桥模块的寄生电容电压及两个H桥模块总的寄生电容电压之和；选出两个H桥模块总的寄生电容电压之和相同的所有开关状态形成开关状态组合；根据开关状态组合，通过调制波与载波进行比较，生成PWM驱动信号对两个H桥模块的开关管进行控制，从而实现漏电流的抑制本发明通过控制级联H桥光伏逆变器寄生电容为恒定值，抑制级联H桥光伏逆变器中的漏电流。
一种应用于级联桥光伏逆变器漏电抑制方法

[发明专利]一种半导体激光发射器-CN202011200779.3在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器，其特征在于，包括：第一DBR层，第二DBR层，配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区；还包含降低寄生电容特性的出光限制孔，本发明将现有技术的氧化限制孔变换为降低寄生电容特性的出光限制孔，例如采用空气、氮气等等气体作为出光限制孔的填充材料，如此通过与现有技术的氧化限制孔相比，本发明材料的介电常数仅为氧化物的1/4，因此按照寄生电容的计算公式，通过本发明的方案可以从最底层的设计中在相同的限制孔尺寸下将氧化限制孔的寄生电容减小为原来的
一种半导体激光发射器

[发明专利]发射线圈组件、磁共振系统及控制方法-CN202110341062.9在审
发明人：车韶 -专利权人：上海联影医疗科技股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R33/34 文献下载
摘要：当所述第一开关装置关断时，所述本体失谐，所述第一开关装置存在寄生电容。寄生电容导致发射线圈组件的信号泄漏。随频率的上升而发射线圈组件的信号泄漏量增大。在高频应用场景下，寄生电容会导致所述第一开关装置的截止特性迅速恶化。所述第一失谐电路并联连接于所述第一开关装置的两端。所述第一失谐电路用于抵消所述第一开关装置关断时产生的寄生电容，提高所述第一开关装置的截止特性，进而提高所述发射线圈组件的失谐隔离度。
发射线圈组件磁共振系统控制方法

[发明专利]基于多线程随机行走的寄生电容提取方法及装置-CN202210367550.1在审
发明人：何裕;焦吾振;胡超;曾宪强;贺青 -专利权人：杭州行芯科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于多线程随机行走的寄生电容提取方法、装置、电子装置及存储介质，该方法包括：控制与目标导体对应的多个工作线程开始随机行走；在工作线程的随机行走步数达到预设的目标路径数时，将工作线程进行的每次随机行走所对应的采样值存入预设的与工作线程对应的存储空间，确定工作线程完成数据更新，其中，每个工作线程所对应的存储空间彼此独立；在所有工作线程均完成数据更新时，分别从每个工作线程所对应的存储空间中获取采样值，确定目标导体的寄生电容值。通过本申请，解决了利用多线程随机行走方法对导体寄生电容进行提取时的提取效率低的问题，实现了提高对导体进行基于多线程随机行走的寄生电容提取效率的技术效果。
基于多线程随机行走寄生电容提取方法装置

[发明专利]高压检测电路、电流采样单元、检测器、电池装置、运载工具与供电装置-CN201710992684.1有效
发明人：但志敏;侯贻真;蔡金博 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B60L58/10 文献下载
摘要：基于所述高压检测电路可以通过以下方法获得寄生电容值：导通所述预充电路；通过所述处理器采集所述外侧触点的至少三个实时电压；根据所述至少三个实时电压，通过所述处理器获得寄生电容值。因此本发明实施例提供的技术方案能够通过寄生电容值的大小判断是否可以导通主充电路，从根本上杜绝在寄生电容过大时导通主充支路，避免了主充回路中的开关损坏，提高了电池的安全性。
高压检测电路电流采样单元检测器电池装置运载工具供电

[发明专利]高压检测电路、电流采样单元、检测器、电池装置、运载工具与供电装置-CN202010565793.7有效
发明人：但志敏;侯贻真;蔡金博 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B60L53/00 文献下载
摘要：基于所述高压检测电路可以通过以下方法获得寄生电容值：导通所述预充电路；通过所述处理器采集所述外侧触点的至少三个实时电压；根据所述至少三个实时电压，通过所述处理器获得寄生电容值。因此本发明实施例提供的技术方案能够通过寄生电容值的大小判断是否可以导通主充电路，从根本上杜绝在寄生电容过大时导通主充支路，避免了主充回路中的开关损坏，提高了电池的安全性。
高压检测电路电流采样单元检测器电池装置运载工具供电

[发明专利]一种LDMOS器件及制造工艺-CN201810283071.5有效
发明人：杨震;赵国旭;彭坤;赵磊;周川淼 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：LDMOS器件还包括导体板，所述导体板一部分设置在所述场氧化层上，并至少还有一部分沿接近所述漏极的方向延伸至所述漂移区上，所述导体板与所述漏极间设置有将两者相隔离的电介质层，所述漏极与所述导体板构成第一寄生电容，所述导体板与所述漂移区间设置有将两者相隔离的电介质层，所述导体板与所述漂移区构成第二寄生电容，所述第一寄生电容与所述第二寄生电容串联设置。
一种 ldmos 器件制造工艺

[发明专利]液晶显示装置及其阵列基板、阵列基板的制造方法-CN201210487352.5无效
发明人：董成才;许哲豪;党娟宁 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开一种液晶显示装置及其阵列基板、阵列基板的制造方法，所述的阵列基板包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有栅极扫描线以及像素电极，所述像素电极的边缘与所述栅极扫描线具有重叠区域，所述像素电极与栅极扫描线在该重叠区域形成寄生电容，所述栅极扫描线与所述像素电极之间在重叠区域设置有至少一层用于减小所述寄生电容的保护材料层。本发明通过在像素电极的边缘与栅极扫描线之间的重叠区域设置有至少一层用于减小寄生电容的保护材料层，可以在像素电极与栅极扫描线之间增加一层保护层，这样能够有效的减小像素电极跟栅极扫描线之间的寄生电容Cst，
液晶显示装置及其阵列制造方法

[发明专利]像素结构-CN201611270668.3有效
发明人：陈猷仁 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素结构，其包括：像素电极；主动开关，耦接于所述像素电极；共通线，跟所述像素电极之间形成有一第一存储电容；以及L形导电线，跟所述像素电极之间形成有一第二存储电容。本发明像素结构具有并列的多个存储电容同时保持像素结构的像素电压大小，减小多个寄生电容的影响，改善耦合效应的影响。
像素结构

[实用新型]半导体测试结构-CN201922127743.6有效
发明人：钱仕兵 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体测试结构，用于在测试MOS器件的栅电容时作为栅电极的引出端与外部测试结构连接。本实用新型的技术方案通过串联连接多个寄生电容的方法，减小了与栅电容并联连接的总寄生电容，从而降低了总寄生电容对栅电容测试结果的影响，获得了准确的栅电容测试结果。
半导体测试结构

[实用新型]一种减小寄生电容couple影响的阵列基板-CN202320116235.1有效
发明人：毛清平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示器技术领域，提供一种减小寄生电容couple影响的阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成了间隔分布的栅极、第一CK信号走线与第三CK信号走线；栅绝缘层，镀在玻璃衬底与第一金属层的上表面本实用新型的优点在于：导电层的电位高低与栅极的电位高低相反，栅极对于漏极的耦合效应和导电层对于漏极的耦合效应相互抵消，减小寄生电容couple影响，从而减小Feedthrough电压。
一种减小寄生电容 couple 影响阵列

[发明专利]一种无电感完全集成的电容翻转整流电路-CN202111391938.7在审
发明人：陈之原;左祺;程旭;韩军;曾晓洋 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种无电感完全集成的电容翻转整流电路，包括可变电容阵列(101)、整流器(102)、相位发生和整合电路(103)、开关驱动电路(104)，所述的可变电容阵列(101)通过开关实现电容大小可变，用于完成压电能量采集器的正负电压翻转过程，所述的正负电压翻转过程划分为放电周期、短周期和充电周期，分别表示压电能量采集器的寄生电容给可变电容阵列(101)充电、压电能量采集器的寄生电容对地放电和可变电容阵列(101)对压电能量采集器的寄生电容充电。
一种电感完全集成电容翻转整流电路

[发明专利]触摸式输入装置-CN201580030738.5有效
发明人：今井贵夫;高井祐治;吉川治 -专利权人：株式会社东海理化电机制作所;SMK株式会社
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触摸式输入装置，具备：触摸面板，其包括多个驱动电极和多个感测电极，多个驱动电极和多个感测电极以网格状的图案配置，并且在多个驱动电极和多个感测电极的交点处形成电容器；以及控制器，其检测对触摸面板的操作面进行的触摸操作控制器根据数据组判定有无触摸操作，该数据组表示每个所述电容器的静电电容相对于针对每个电容器预先设定的基准值的变化量。控制器通过在启动时取得各个电容器的寄生电容来设定基准值，并且在根据多个电容器的寄生电容的偏差范围(A)判定为取得了错误的基准值时，重新取得寄生电容(S23)。
触摸式输入装置

[发明专利]排除寄生电容影响的电容感测电路-CN201310284643.9有效
发明人：黄宗文 -专利权人：安沛科技股份有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明提供一种排除寄生电容影响的电容感测电路，其使用在一具有电容式触控板的电子装置中，包括一触控产生电容量变化的待测电容、一积分电容及一数字控制器，数字控制器记录一寄生电容充电至一预设电压值所需的偏移补偿时间，当电容式触控板被触控时，待测电容充电，当待测电容的充电时间到达偏移补偿时间时，积分电容充电，当待测电容上的电压高于预设电压值时，积分电容停止充电，则，在积分电容的充电程序中排除寄生电容量成分，致使积分电容上只会充电产生待测电容的电容变化量所对应的电压信号
排除寄生电容影响电路

[发明专利]触摸显示装置和触摸面板-CN201810558098.0有效
发明人：李在均;黄旷兆;郑志炫;李得秀;安秀昌;李娄多;李杨植 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本公开涉及触摸显示装置和触摸面板，并且更具体地涉及具有可以减小在金属触摸传感器诸如触摸电极和触摸线中出现的寄生电容差异的结构的触摸显示装置和触摸面板。根据本公开，通过寄生电容差异减小可以提高触摸灵敏度。
触摸显示装置面板