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[发明专利]字线驱动器电路及存储器-CN202111007287.7在审
发明人：杨桂芬 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种字线驱动器电路及存储器，字线驱动器电路至少包括：第一类字线驱动器和第二类字线驱动器，每一字线驱动器包含PMOS管和NMOS管，所述第一类字线驱动器中的第一类PMOS管和所述第二类字线驱动器中的第二类PMOS管用于接收不同的第一控制信号；所述第一类PMOS管和所述第二类PMOS管并排设置，所述第一类字线驱动器和所述第二类字线驱动器中的部分所述NMOS管位于所述第一类PMOS管和所述第二类PMOS管的一侧，所述第一类字线驱动器和所述第二类字线驱动器中的另一部分所述NMOS管位于所述第一类PMOS管和所述第二类PMOS管的相对的另一侧。本申请实施例有利于提升字线驱动器电路的电学性能。
驱动器电路存储器

[发明专利]驱动存储器设备的字线的电路和方法-CN200610101119.3有效
发明人：郑钟勋;李孝祥;方薰振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：字线驱动电路可以包括第一字线驱动器、第二字线驱动器、以及通路晶体管。响应于字线选择信号，第一字线驱动器可以在第一操作模式下利用第一字线驱动电压信号来驱动字线，或者第二字线驱动器可以利用第二字线驱动电压信号来驱动字线。耦合于第一字线驱动器与字线之间的通路晶体管可以响应于控制电压信号将第一字线驱动电压信号传送给字线，其中该控制电压信号在第一操作模式的初始阶段被自升压、并且在一时间周期之后被维持在稳定的电压电平上。
驱动存储器设备电路方法

[发明专利]具有行锤击应力缓解的DRAM阵列架构-CN202010138924.3在审
发明人： C·J·卡瓦姆拉;C·L·英戈尔斯;T·H·金 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种设备包含多个主字线电路。每一主字线电路将相应全局字线驱动到有效状态值、中间电压状态或预充电状态中的一个。中间电压状态电压低于有效状态电压且高于预充电状态电压。存储器装置还包含多个子字线驱动器。每一子字线驱动器连接到对应全局字线且经配置以在对应全局字线电压与低电压值之间驱动相应局部字线。所述设备进一步包含多个相位驱动器。每一相位驱动器连接到预定数目的子字线驱动器，其中所述预定数目的子字线驱动器中的每一者连接到不同全局字线。
具有行锤击应力缓解 dram 阵列架构

[发明专利]具有第一和第二字线的多端口SRAM电路-CN201580049316.2有效
发明人：詹特星·林;保罗·巴塞特;苏雷什·文库马洪蒂 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G11C8/16 文献下载
摘要：一种位于静态随机存取存储器SRAM装置中的多端口混合型全摆幅/低摆幅存储器电路包括：第一字线驱动器，所述第一字线驱动器包括读取字线驱动器；第二字线驱动器，所述第二字线驱动器包括读取字线驱动器抑或读取/写入字线驱动器；存储器单元，所述存储器单元耦合到所述第一和第二字线驱动器；读出放大器，所述读出放大器耦合到所述存储器单元；以及锁存器，所述锁存器耦合到所述存储器单元。所述存储器电路能够达成高速低摆幅或低速全摆幅操作，同时避免对于集成电路上的大电路面积的需要。
具有第一第二多端 sram 电路

[发明专利]半导体存储器件和控制其子字线驱动器的方法-CN200610006168.9无效
发明人：尹鸿九;李宗彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括子字线驱动器，用于选择性地将子字线之一与主字线相连、并且将具有比电源电压高的电平的升高电压施加到所选的子字线。器件包括子字线驱动器控制信号生成器。子字线驱动器控制信号生成器接收施加的隔离信号来将读出放大器与连接到构成器件存储单元阵列的存储单元的位线电隔离，并且生成驱动器控制信号，用来确定子字线驱动器是否工作。因此，可以降低子字线驱动器控制信号生成器的负载，从而降低功耗。
半导体存储器件控制子字线驱动器方法

[实用新型]与非逻辑字线选择-CN201120540899.8有效
发明人： S·高希;D·索马谢卡尔;B·萨利尼瓦森;F·哈姆扎奥卢 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：公开了在DRAM中选择字线驱动器的与非架构。使用低、中和高范围中的独立解码的地址来选定最终的字线驱动器。对于被取消选定的字线而言，字线驱动器的输出处于相对于地的负电势，而对于选定的字线而言，字线驱动器的输出处于比电源电势更正的正电势。
逻辑选择

[发明专利]具有软着陆的子字线驱动器-CN202010813870.6有效
发明人：李奎锡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本申请案涉及具有软着陆的子字线驱动器。一种存储器装置包含多个子字线驱动器，其中每一子字线驱动器经配置以接收主字线信号，且经配置以基于所述主字线信号及相位信号而将相应局部字线驱动到作用中状态、软着陆状态或断开状态中的至少一者。所述存储器装置还包含多个相位驱动器，其中每一相位驱动器经配置以产生所述相应相位信号。所述存储器装置可进一步包含处理装置，其经配置以在从所述作用中状态转变到所述断开状态时在进入所述断开状态之前将所述相应局部字线驱动到所述软着陆状态，以便提供对应于所述多个子字线驱动器的邻近局部字线之间的行锤击应力缓解每一子字线驱动器包含二极管连接的晶体管。
具有软着陆子字线驱动器

[发明专利]共享晶体管的字线驱动器以及相关的存储器装置和系统-CN202010837392.2有效
发明人： T·H·金 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：描述了共享晶体管的字线驱动器以及相关的存储器装置和系统。存储器装置包含耦合到第一字线的第一字线驱动器和耦合到第二字线的第二字线驱动器。所述存储器装置还包含晶体管，所述晶体管包括耦合到所述第一字线驱动器的输出端的第一端子，以及耦合到所述第二字线驱动器的输出端的第二端子。
共享晶体管驱动器以及相关存储器装置系统

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN202210222692.9在审
发明人：林钟观 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储器装置及其操作方法，所述存储器装置后具备多条全局字线及多个主门开关，包括：单元阵列，所述单元阵列包含多个存储器块；以及行译码器，所述行译码器包含与多个所述存储器块分别对应的多组字线驱动器，所述多组字线驱动器的每一组字线驱动器包含多个字线驱动器，属于不同组的所述多个字线驱动器中的一部分彼此共用多条所述全局字线中的一部分。
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]字线调节方案-CN201780020747.5有效
发明人： R·萨胡;S·K·古普塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：提供了存储器以及用于操作存储器的方法。该存储器包括具有晶体管的存储器单元和输出耦合到存储器单元的字线的字线驱动器。该字线驱动器调节字线的电压电平以补偿晶体管的参数。该方法包括断言字线电压以存取具有晶体管的存储器单元并调节字线电压以补偿晶体管的参数。提供了另一存储器。该存储器包括存储器单元和输出耦合到存储器单元的字线的字线驱动器。该字线驱动器基于字线的反馈来调节字线的电压电平。
字线存储器单元字线驱动器存储器补偿晶体管电压电平输出耦合字线电压晶体管操作存储器存取断言反馈

[发明专利]半导体存储装置-CN201310014875.2有效
发明人：李明珍;安进弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置及其驱动方法。所述半导体存储装置包括：主字线译码器，配置成对行地址的较高位进行译码，以生成主字线选择信号；子字线选择线译码器，配置成对所述行地址中比所述较高位低的所述行地址的位进行译码，以生成子字线选择信号；主字线驱动器，配置成响应于所述主字线选择信号而驱动多条主字线；子字线选择线驱动器，配置成响应于所述子字线选择信号而驱动多条子字线选择线；子字线关断电压线驱动器，配置成响应于所述子字线选择信号或所述主字线选择信号而利用不同的电压电平来驱动多条子字线关断电压线；子字线驱动器，配置成响应于所述主字线、所述子字线选择线和所述子字线关断电压线上的信号来驱动多条子字线。
半导体存储装置

[发明专利]字线驱动器电路及存储器-CN202110864945.8在审
发明人：杨桂芬;池性洙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种字线驱动器电路及存储器，字线驱动器电路至少可以包括：多个字线驱动器，每一所述字线驱动器包含PMOS管和NMOS管，多个所述字线驱动器包含多个PMOS管和多个NMOS管本发明实施例有利于提升字线驱动器电路的电学性能。
驱动器电路存储器

[发明专利]一种低漏电的本地字线驱动器控制电路及控制方法-CN201610202325.7有效
发明人：熊保玉;段会福 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明一种低漏电的本地字线驱动器控制电路及控制方法，所述控制电路，包括依次连接用于控制本地字线驱动器的延时单元，控制电路和输出驱动器；延时单元的输入端连接主字线使能信号/字线复位使能信号，输出端连接控制电路输入端；控制电路输入端还连接主字线使能信号/字线复位使能信号和列预译码信号；输出驱动器用于驱动本地字线驱动器，其由两个P型场效应管和一个N型场效应管组成；控制电路的输出用于控制输出驱动器中N型场效应管和P型场效应管导通与关断所述控制方法，在动态随机存储器预充电操作开始时，主字线使能信号和字线复位使能信号由高变低；本地字线驱动器N型场效应管在待机时处于线性区，其漏电电流与其过驱动电压成正比。
一种漏电本地驱动器控制电路控制方法

[实用新型]一种低漏电的本地字线驱动器控制电路-CN201620269270.7有效
发明人：熊保玉;段会福 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本实用新型一种低漏电的本地字线驱动器控制电路，其包括依次连接用于控制本地字线驱动器的延时单元，控制电路和输出驱动器；延时单元的输入端连接主字线使能信号/字线复位信号使能，输出端连接控制电路输入端；控制电路输入端还连接主字线使能信号/字线复位信号使能和预译码信号；输出驱动器用于驱动本地字线驱动器，其由两个P型场效应管和一个N型场效应管组成；控制电路的输出用于控制输出驱动器中N型场效应管和P型场效应管导通与关断。其在动态随机存储器预冲电操作开始时，主字线使能信号和字线复位使能信号由高变低；本地字线驱动器N型场效应管在待机时处于线性区，其漏电电流与其过驱动电压成正比。
一种漏电本地驱动器控制电路

[发明专利]储存器阵列结构及其局部字线驱动模块和驱动方法-CN201110077017.3有效
发明人：俞冰;亚历山大 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种储存器阵列结构，包括：第一存储器阵列和第二存储阵列，所述第一存储器阵列包括第一子阵列，所述第二存储器阵列包括第二子阵列；所述第一子阵列和第二子阵列均包括耦合到局部字线和局部位线的若干存储器单元；全局字线驱动器；所述全局字线驱动器与所述第一存储器阵列和第二存储阵列相关联，所述全局字线驱动器耦合若干全局字线和解码信号线；局部字线驱动器，设置于所述第一子阵列和第二子阵列间；所述局部字线驱动器耦合第一子阵列的第一局部字线、第二子阵列的第二局部字线和对应的全局字线；驱动电路连接对应的解码信号线和局部字线驱动器。本发明储存器阵列将边界模块的面积降到最低，使其应用范围更加广泛。
储存器阵列结构及其局部驱动模块方法