专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]存储及电子设备-CN202220340250.X有效
  • 张建军;金伟民 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-06-28 - G11C11/409
  • 本实用新型公开了一种存储及电子设备,其中,该存储包括:字线延迟锁相环、第一字线驱动、第二字线驱动、读出电路及存储单元阵列;字线延迟锁相环分别连接第一字线驱动及第二字线驱动;第一字线驱动连接字线的第一端,第二字线驱动连接字线的第二端;存储单元阵列通过位线连接读出电路;字线延迟锁相环同时控制发送字线时钟信号至第一字线驱动及第二字线驱动;第一字线驱动及第二字线驱动同时将字线驱动信号提供到字线,读出电路通过位线读出信号本实用新型能够消除字线远端的驱动信号及字线近端的驱动信号的延时差,提高存储的读出速度。
  • 存储器电子设备
  • [发明专利]字线驱动电路以及相关联的方法、装置和系统-CN202010837387.1在审
  • T·H·金 - 美光科技公司
  • 2020-08-19 - 2021-02-26 - G11C8/08
  • 本发明公开了字线驱动电路以及相关联的方法、装置和系统。字线驱动电路可以包括被配置成基于第一固定电源电压并且响应于接收到触发活动模式的第一控制信号而生成箝位电压的电路。所述电路可以进一步被配置成在所述活动模式期间基于所述箝位电压生成内部全局字线电压。此外,所述字线驱动电路可以包括至少一个主字线驱动,所述至少一个主字线驱动被配置成接收所述内部全局字线电压并生成全局字线电压。另外地,所述字线驱动电路可以包括至少一个子字线驱动,所述至少一个子字线驱动被配置成接收所述全局字线电压并且生成字线电压。
  • 驱动器电路以及相关方法装置系统
  • [发明专利]高速访问存储和方法-CN201080055681.1有效
  • 张家宝;M.J.H.李;S.沃德 - 国际商业机器公司
  • 2010-11-16 - 2012-08-29 - G06F12/08
  • 提供了一种用于门控已经无效的高速缓存访问存储中的任何行的读取访问的机制。高速缓存访问存储中的地址解码发送存储访问到与所述存储访问相关联的非门控字线驱动和门控字线驱动。响应于非门控字线驱动确定所述存储访问是读取访问,非门控字线驱动输出有效位存储单元中存储的数据到门控字线驱动。响应于门控字线驱动确定所述存储访问是读取访问,门控字线驱动确定通过非门控字线驱动来自有效位存储单元的数据指示有效数据或无效数据,并且响应于数据无效,拒绝与门控字线驱动相关联的存储单元的行中的数据的输出
  • 高速访问存储器方法
  • [发明专利]字线驱动电路及存储-CN202111007247.2在审
  • 杨桂芬 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-30 - 2023-02-03 - G11C8/08
  • 本申请实施例涉及半导体领域,提供一种字线驱动电路及存储字线驱动电路至少包括:第一类字线驱动和第二类字线驱动,每一字线驱动包含PMOS管和NMOS管,所述第一类字线驱动中的第一类PMOS管和所述第二类字线驱动中的第二类PMOS管用于接收不同的第一控制信号;所述第一类PMOS管和所述第二类PMOS管并排设置,所述第一类字线驱动包含的NMOS管和所述第二类字线驱动包含的NMOS管位于所述第一类PMOS管和所述第二类PMOS本申请实施例有利于提升字线驱动电路的电学性能。
  • 驱动器电路存储器
  • [发明专利]字线驱动电路及存储-CN202110864906.8在审
  • 杨桂芬 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-29 - 2023-02-03 - G11C5/02
  • 本申请实施例涉及半导体领域,提供一种字线驱动电路及存储字线驱动电路至少可以包括:多个字线驱动,每一所述字线驱动包含对应的PMOS管和NMOS管,多个所述字线驱动包含的多个所述PMOS管并排设置,多个所述字线驱动包含的多个所述NMOS管并排设置,在所述PMOS管的排列方向上,多个所述PMOS管位于多个所述NMOS管的同一侧。本发明实施例有利于提升字线驱动电路的电学性能。
  • 驱动器电路存储器

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