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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于存储器内乘法及累加运算的电路及其方法-CN201910977183.5有效
发明人：吕函庭;张弘升;刘逸青 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：W个字线耦接至L个电平中的各别电平中的(B×S个)存储器单元。源极线耦接至区块中的(B×S个)NAND串。串选择线驱动器提供电压以使多个串选择线的NAND串同时连接至对应位线。字线驱动器经耦接以将字线电压施加于经选电平中的一或多个字线。多个位线驱动器同时将输入数据施加于B个位线。电流感测电路耦接至源极线。
用于存储器乘法累加运算电路及其方法

[发明专利]具有改善的写入操作的二端口SRAM-CN200780039169.6有效
发明人： G·C·阿伯林;J·D·伯纳特;L·N·赫尔;J·M·希格曼 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：存取晶体管(54)耦合在每个存储节点(SN，SNB)和写入位线(WWB0)之间，并且由写入字线(WWL0)控制。写入字线也耦合到该对交叉耦合的反相器(40)的电源端。在写入操作期间，该写入字线被断言。在交叉耦合的反相器(40)的电源端处的电压跟随写入字线电压，由此使得在存储节点处的逻辑状态在必要时更容易改变。在写入操作结尾，写入字线被去断言，允许交叉耦合的反相器(40)正常工作并且保持存储节点(SN)的逻辑状态。耦合交叉耦合的反相器的电源节点允许更快的写入操作而不损害单元稳定性。
具有改善写入操作端口 sram

[发明专利]半导体存储器件-CN03138344.0有效
发明人：折笠宪一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-05-27 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：在字线电压发生器中，将比提供给存储单元的第1电源电压Vdd还高的第2电源电压Vdd3施加给第1运算放大器电路及参考电压发生电路，参考电压发生电路产生的电压比与第1电源电压Vdd成比例的电压还高出因对P沟道晶体管进行二极管连接而产生的发生电压，作为第1参考电压Vref，第1运算放大器电路输出与第1参考电压Vref相等的电压，作为字线驱动电压Vwl。
半导体存储器件

[发明专利]具有三维堆叠结构的闪速存储器设备以及驱动其的方法-CN200810179901.6有效
发明人：金杜坤;朴起台;李永宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：行解码器电耦合到所述多个层并被配置成向所述多个层提供字线电压。在所述多个层的至少两层中提供的存储器单元属于相同存储器块并且与所述多个层的至少两层的存储器单元相关联的字线电耦合。
具有三维堆叠结构存储器设备以及驱动方法

[发明专利]一种宽电压SRAM时序跟踪电路-CN202010500489.4在审
发明人：王镇;顾东志;杨亮亮 -专利权人：南京博芯电子技术有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明提出一种宽电压SRAM时序跟踪电路，属于专用集成电路设计技术领域。采用放电切换模块和可配置型SRAM时序逻辑模块实现具有时序跟踪能力的放电切换操作，通过轮流使能复制字线来控制复制位线轮流放电，从而产生周期性的时钟脉冲信号，信号的周期是复制位线放电的延时和。本发明提出的宽电压SRAM时序跟踪电路，有效降低灵敏放大器SAE使能延时变化，提高电路抗工艺偏差能力；放电切换模块动态调节复制单元字线电压，进一步提高电路抗工艺偏差能力；放电切换模块能够检测恒定放电阈值电压，提高电路的电压跟踪性能。
一种电压 sram 时序跟踪电路

[实用新型]一种宽电压SRAM时序跟踪电路-CN202021005077.5有效
发明人：王镇;顾东志;杨亮亮 -专利权人：思诺威科技（无锡）有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明提出一种宽电压SRAM时序跟踪电路，属于专用集成电路设计技术领域。采用放电切换模块和可配置型SRAM时序逻辑模块实现具有时序跟踪能力的放电切换操作，通过轮流使能复制字线来控制复制位线轮流放电，从而产生周期性的时钟脉冲信号，信号的周期是复制位线放电的延时和。本发明提出的宽电压SRAM时序跟踪电路，有效降低灵敏放大器SAE使能延时变化，提高电路抗工艺偏差能力；放电切换模块动态调节复制单元字线电压，进一步提高电路抗工艺偏差能力；放电切换模块能够检测恒定放电阈值电压，提高电路的电压跟踪性能。
一种电压 sram 时序跟踪电路

[发明专利]使用多页编程来写入非易失性存储器的方法与装置-CN201910026253.9在审
发明人：许富菖 -专利权人：许富菖
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：该方法包括：去激活漏极选择栅(DSG)和源极选择栅(SSG)，施加编程电压至所选择的字线，以及向非选择的字线施加中高电压。该方法也包括：重复多个编程操作，同时从第一编程操作到最后一个编程操作维持字线电压电平。
编程操作群组选择栅多页编程数据加载漏极字线写入非易失性存储器施加编程电压非易失性中高电压装置使用字线电压非选择去激活脉冲源极写入重复

[发明专利]使用自升压对闪存器件编程的方法-CN200910133782.5有效
发明人：李珉圭 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-04-13 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：通过施加编程电压给选择的存储单元以及施加通过电压给未选择的存储单元、以增量步进脉冲编程(ISPP)的方式对闪存器件进行编程。通过改变通过电压以使得在所述未选择的存储单元的沟道电压和字线电压之间保持预定范围的差距来执行所述编程。
使用升压闪存器件编程方法

[发明专利]半导体器件-CN202210392184.5在审
发明人：良田雄太;薮内诚;横山佳巧 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明基于想要有效利用通过因FINFET的微型化而能够存在的第0布线层(M0)在第3布线层(M3)产生的空间的基本思想，在第3布线层产生的空间配置辅助线(AL)，使该辅助线(AL)与字线(WL)电连接。由此，实现基于字线电压的上升时间受到字线的布线电阻的影响很大这一新见解的对策(研究)，由此能够实现使用了FINFET的SRAM的高速动作。
半导体器件

[发明专利]可编程半熔丝连接只读存储器及其极限测试方法-CN200580026623.5有效
发明人：奥利弗·布兰南;丹尼斯·多勒 -专利权人：阿纳洛格装置公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： G11C17/00 文献下载
摘要：一种可编程只读存储器包括半熔丝连接存储单元的矩阵，每个半熔丝连接存储单元包括具有未损阻抗和熔断阻抗的半熔丝连接；位线电压源切换电路，用于对至少一个选择的位线施加电流；字线地址解码器，用于选择字线；和程序控制逻辑电路，用于熔断通过选择的字线和位线的交点所识别的存储单元中的半熔丝连接；还公开了一种对已编成和未编程只读存储器进行测试的方法。
可编程半熔丝连接只读存储器及其极限测试方法

[发明专利]单层多晶硅非易失性存储单元的操作方法-CN201810010973.1有效
发明人：许家荣;孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元的擦除操作方法，将一源极线电压VSL施加到PMOS选择晶体管的P+源极掺杂区，其中VSL＝0V，将字线电压VWL施加到PMOS选择晶体管的选择栅极，其中VWL＝0V，将位线电压VBL施加到PMOS浮置栅极晶体管的P+漏极掺杂区，其中VBL＝0V，对擦除栅极区施加擦除线电压VEL，其中VEL＝VEE，VEE是相对高于VBL的正电压，对N型阱施加N型阱电压VNW，其中V
单层多晶硅非易失性存储单元操作方法

[发明专利]多重位闪存的参考电流产生电路-CN02142262.1有效
发明人：范左鸿;叶致锴;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：一种多重位闪存的参考电流产生电路，使用相同的一推升字线电压，来施加于不同参考电流产生单元的一分压电路，以产生不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极电压，而达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压
多重闪存参考电流产生电路

[发明专利]存储器装置的字线特性监测器和相关联方法及系统-CN202111240035.9在审
发明人： M·A·布莱瑟;R·J·鲁尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器装置的字线特性监测器和相关联方法及系统。在一个实施例中，所述存储器装置包含存储器阵列，所述存储器阵列包含字线(例如，局部字线)及耦合到所述字线的字线驱动器。当所述存储器装置激活所述字线驱动器时，所述存储器装置可响应于字线电压达到阈值而生成诊断信号。此外，所述存储器装置可生成参考信号以将所述诊断信号与所述参考信号进行比较。在一些情况下，如果所述诊断信号指示字线特性的降级的征兆，那么所述存储器装置可基于将所述诊断信号与所述参考信号进行比较来生成警报信号。所述存储器装置可在检测到所述征兆时实施某些预防及/或防备措施。
存储器装置特性监测器相关方法系统

[发明专利]电荷泵系统及用其产生读写操作字线电压的方法、存储器-CN201110248240.X有效
发明人：刘铭 -专利权人：北京兆易创新科技有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明涉及一种电荷泵系统及用其产生读写操作字线电压的方法和一种存储器。；或门电路；振荡器；两电荷泵的输出端相连；负载电容分别接两电荷泵的输出和地；待机模式电荷泵的输出接一号分压电路，受控开关的两端分别接工作模式电荷泵的输出端与二号分压电路；一、二号比较器分别比较相应基准电压与相应分压电路的输出本发明能提高读写操作字线电压的建立速度。
电荷系统产生读写操作电压方法存储器

[实用新型]Nor Flash存储器电路和Nor Flash-CN202121443287.7有效
发明人：高益;蒋丁;王振彪;吴彤彤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：第三泄压管闭合，因其导通电阻较小，限流电路相当于被短接；在过擦除修复状态和擦除前检查状态阶段，擦除使能均为0，当过擦除修复使能从高变低时，尽管切换瞬间被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线电压几乎等于Vssp点的电压，但此时第二选择开关接通，第二选择开关、第二泄压管、第三泄压管构成了低阻快速放电通路，被选中执行擦除操作的存储单元所在的阵列的全部存储单元的字线电压可以快速泄放，可有效减小阵列中未选中的存储单元读出漏电从而导致选中的存储单元的读出数据的判定错误的风险
nor flash 存储器电路

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