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[发明专利]大面积薄膜沉积设备-CN201210330664.5无效
发明人：胡安红;张津燕;徐希翔;李沅民;单洪青 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积薄膜沉积设备，包括腔体和腔体内部的平行放置的激励电极板和接地电极板、射频电源、进气管路以及排气阀门，基板位于接地电极板表面，所述激励电极板面向接地电极板的表面为具有高斯分布形状的曲面本发明大面积薄膜沉积设备能够提高快速沉积大面积微晶硅薄膜的均匀性。
大面积薄膜沉积设备

[发明专利]一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法-CN201611072696.4在审
发明人：时元振;庞霖 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大面积纳米缝隙阵列的制作方法，涉及微纳加工领域。将角度沉积的阴影效应与基底旋转结合起来，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度参数相互配合，制作新型且大面积的纳米缝隙阵列结构。并且利用本发明所公开的技术，以光栅为沉积掩模基底，已经制作出大面积周期性纳米缝隙阵列结构。
一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法

[发明专利]一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法-CN201910920956.6在审
发明人：张希威;孟丹;汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法。该方法主要包括方法如下步骤：1)将衬底放入原子层沉积系统反应腔；2)将原子层沉积系统反应腔抽取真空；3)向原子层沉积系统反应腔交替通入前驱体，使之在衬底表面发生自限性化学反应并生长大面积二硫化铪薄膜。本发明具有所涉及的一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法，能够实现所制备的二维二硫化铪薄膜具有原子级厚度精确可控、大面积、均匀等优点；且反应温度较低，能兼容柔性衬底，并且能与后序的光刻等半导体工艺结合实现所制备薄膜的图案化
硫化原子层沉积系统反应腔薄膜原子层沉积工艺薄膜制备衬底制备化学反应半导体工艺衬底表面前驱体图案化原子级自限性二维放入光刻可控抽取兼容生长

[发明专利]大面积基板用水平型原子层层积装置-CN201811485964.4有效
发明人：申雄澈;崔圭政;白敏;杨澈勋 -专利权人： NCD有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种对于适宜制造显示器元件等的大面积基板将大面积基板以配置型装载的状态下，能够维持优秀的生产量，并能够执行稳定性的原子层沉积工艺的大面积基板用水平型原子层层积装置。
大面积基板用水平原子层积装置

[发明专利]一种制备大面积高质量均匀少数层石墨烯薄膜的方法-CN201910187322.4在审
发明人：任文才;辛星;徐川;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一种制备大面积高质量均匀少数层石墨烯薄膜的方法，适于制备大面积高质量均匀层数的石墨烯薄膜。采用铜镍合金作为生长基底，通过化学气相沉积技术制备出大面积高质量均匀层数的石墨烯薄膜，后续用鼓泡转移的方法得到高质量均匀少数层石墨烯薄膜。本发明具有制备周期短，工艺简单，生产成本低，产物尺寸及厚度易于调控并适于大面积制备等特点，为大面积高质量均匀少数层石墨烯薄膜在场效应晶体管、透明导电薄膜，柔性电子器件等领域的研究和应用奠定基础。
石墨烯薄膜质量均匀制备化学气相沉积柔性电子器件透明导电薄膜生产成本低效应晶体管研究和应用铜镍合金制备周期生长基石墨烯鼓泡调控

[发明专利]生产铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的电化学方法-CN201080049913.2有效
发明人：刘焕明;丁志峰;大卫·安东尼·洛夫;穆罕默德·哈拉迪;杨军 -专利权人：西安大略大学
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明描述了生产光伏太阳能电池的方法，所述光伏太阳能电池具有化学计量p型铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2)(简写为CIGS)作为其吸收层和II-VI半导体层作为n型层，并电沉积所有这些层。所述方法包括采用离子液体方法的一系列新步骤和电沉积条件以克服本领域的技术挑战用于低成本和大面积生产CIGS太阳能电池，与现有技术相比所述方法具有下列创新优点：(a)以一锅法低成本并大面积电沉积CIGS而不需要沉积后的热烧结或硒化；(b)低成本并大面积电沉积n型II-VI半导体用于完成所述CIGS太阳能电池生产；以及(c)采用简单化学浴方法低成本并大面积沉积CdS或其它化合物的缓冲层。
生产铜铟镓硒 cigs 太阳能电池电化学方法

[发明专利]阴极等离子电解大面积沉积涂层和表面改性的方法-CN201410275842.8有效
发明人：何业东;王鹏;邓舜杰;权成;王伟泽 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C25D9/08 文献下载
摘要：本发明为阴极等离子电解大面积沉积涂层和表面改性的方法。在电解液中加入非离子型水溶性高分子，采用传统的电解池进行阴极等离子电解，或采用喷电解液，阳极与阴极相对运动的电解池进行阴极等离子电解。对电解池施加一定的直流电压或脉冲电压，非离子型水溶性高分子吸附在阴极材料表面引发均匀、连续的大面积阴极等离子高能微弧放电，在不同成分的电解液中大面积沉积氧化物、碳化物、氮化物、硼化物及其复合陶瓷涂层，大面积沉积氧化物+弥散贵金属微粒复合涂层，大面积清理材料表面并实现材料表面纳米化。
阴极等离子电解大面积沉积涂层表面改性方法

[发明专利]一种基于电沉积法制备大面积钒酸铋薄膜的方法-CN201910939662.8有效
发明人：朱宏伟;黄美榕 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：一种基于电沉积法制备大面积钒酸铋薄膜的方法，属于材料制备技术领域。该方法首先将工作电极导电一侧和对电极面对面摆放并置于电沉积液中，调节工作电极的距离和角度；通过恒电压沉积，在工作电极上沉积出一层钒酸铋的前驱体薄膜；然后在前驱体薄膜上滴加钒源溶液，并将其置于加热装置上进行热扩散和溶剂蒸发，在前驱体薄膜上覆盖薄薄的一层钒源；最后将该薄膜退火，在碱性溶液中清洗后获得大面积的钒酸铋薄膜。本发明制备方法简单，能克服难以通过电沉积‑退火法获得大面积均匀的钒酸铋薄膜的问题。将所得大面积钒酸铋薄膜制成光电极后用于光电催化，有望推动光电催化分解水的实际应用。
一种基于沉积法制大面积钒酸铋薄膜方法

[发明专利]一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN201910370103.X在审
发明人：张洪旭;唐泽国 -专利权人：北京宏泰创新科技有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：采用刮涂法制备预沉积层；对所述预沉积层采用浸渍提拉法生成钙钛矿活性层。实现了钙钛矿太阳能电池的大面积制备。
钙钛矿太阳能电池制备预沉积层浸渍提拉法活性层刮涂

[发明专利]一种获得大面积铁电薄膜晶体管阵列制备工艺的方法-CN201510332231.7有效
发明人：钟向丽;黄健;王金斌;李山;李波 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：发明名称一种获得大面积铁电薄膜晶体管阵列制备工艺的方法摘要本发明公开了一种获得大面积铁电薄膜晶体管阵列制备工艺的方法，主要包含以下步骤：(1)将小面积基片放在大面积基片架的镂空方格基片位上；(2)在基片背面放置一块与基片架相同尺寸的硅晶圆片挡板；(3)采用物理气相沉积方法在基片上依次制备铁电薄膜绝缘层和氧化物半导体薄膜沟道层；(4)采用物理气相沉积方法结合掩膜技术在沟道层之上制备源极和漏极，形成大面积铁电薄膜晶体管阵列；(5)对大面积铁电薄膜晶体管阵列的性能进行测试，根据晶体管单元性能以及阵列性能的一致性，优化大面积铁电薄膜晶体管阵列制备过程中的工艺参数，得到性能满足要求且一致性好的大面积铁电薄膜晶体管阵列及其制备工艺。
一种获得大面积薄膜晶体管阵列制备工艺方法

[发明专利]采用多次间断共蒸发制备大面积高质量较厚铝膜的方法-CN201410781834.0无效
发明人：高劲松;李资政;杨海贵;王延超;王笑夷;申振峰;刘震;刘海 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：采用多次间断共蒸发制备大面积高质量较厚铝膜的方法，涉及薄膜制备领域，解决了现有的厚铝成膜工艺存在的无法制备大面积铝膜的问题。该方法为：在镀膜机中，利用多个中心对称设置的电子束蒸发源同时蒸发多个坩埚中的铝料，在大面积铝膜基底上沉积铝膜；停止蒸发，暂停一段时间，暂停过程中保持整个镀膜机腔内高真空状态；暂停后，更换每个坩埚中的铝料继续蒸发，在大面积铝膜基底上沉积铝膜；多次重复上述蒸发、暂停过程，直到在大面积铝膜基底上形成满足要求厚度的铝膜。本发明制备的大面积较厚铝膜质量一致性好，整体致密性好，表面粗糙度相比电子束蒸发直接镀制较厚铝膜降低至少两个数量级，均方根表面粗糙度最低达到4.5nm。
采用多次间断蒸发制备大面积质量较厚铝膜方法

[发明专利]一种大面积均匀单层石墨烯薄膜的制备方法-CN202011576672.9有效
发明人：武斌;姚文乾;张家宁;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备大面积均匀单层石墨烯薄膜的方法。该方法将电化学抛光后的单晶基底铜(111)放入高温管式炉，采用化学气相沉积法即可得到大面积均匀单层石墨烯薄膜。本发明利用两步碳源供给，先高碳源生长多层石墨烯大面积薄膜，继而降低碳源，并维持小碳源的长时间供给，多层区域优先刻蚀，最终会达到刻蚀与生长的动态平衡，得到大面积连续单层石墨烯薄膜。
一种大面积均匀单层石墨薄膜制备方法

[发明专利]一种制备具有图案化金属电极的大面积光电极的方法-CN201910940470.9有效
发明人：朱宏伟;黄美榕 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：一种制备具有图案化金属电极的大面积光电极的方法，属于光电催化技术领域。该方法首先通过物理或化学方法将光电极图案化，使基底暴露以获得沉积金属电极的通道；然后使用物理沉积方法在所述金属电极通道上沉积导电金属作为金属电极，引出电极引线后，将所得到的金属电极和电极引线进行封装，即得到带有图案化金属电极的大面积光电极本发明制备方法简单，能有效克服随着光电极基底面积的增大导致其电阻增大、光电极的性能降低的技术缺陷，尤其适用于大面积光电极的制备。采用该方法制备的大面积光电极在1.23V电压下的电流密度可达到2.6mA/cm2，对应的电流曲线的最大填充因子为36％，该性能与小面积光电极(1cm
一种制备具有图案金属电极大面积电极方法

[发明专利]一种在真空中以多面加热来构筑恒温区域的方式-CN201410391436.8有效
发明人：董国材;张祥;刘进行;王雷 -专利权人：江南石墨烯研究院
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜生长或薄膜制备领域，更确切地说涉及在衬底上进行沉积，批量制备大面积薄膜的领域以及类似装置。本发明的内容是提供一种在真空中以多面加热来构筑恒温区域的方式，既可以解决高温下衬底原子蒸发的问题，又可以同时实现大面积薄膜的生长。可批量制备大面积薄膜材料的加热方案特点在于：多面加热的设计方法或类似装置（1），可以在真空中构筑一个较大范围的恒温区域；衬底表面蒸发的原子（4）沉积在对面的衬底（2），实现互相补偿，既可以有效避免基底表面原子在高温下蒸发造成的成膜形貌缺陷；又可以实现大面积薄膜的生长。
一种空中多面加热构筑恒温区域方式

[发明专利]真空设备的基座定位支撑装置-CN200810109809.2有效
发明人：杜陈忠;梁沐旺;吴庆辉;江铭通 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：一种应用于真空设备腔体内升降承载基板的基座定位支撑装置，利用一侧向定位支撑机构自基座侧面进行夹持定位，可以避免基座在真空设备腔体内的位置偏斜情形，该侧向定位支撑机构并与基座形成简支梁支撑结构，以改善大面积基座边缘的荷重悬垂变形，使大面积基板置于基座上得以进行维持平坦性与或调整水平性的效益，于大面积基板镀膜应用时，可以显著提升大面积基板薄膜沉积厚度的均匀性。
真空设备基座定位支撑装置

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