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[发明专利]一种尺蠖执行装置及其工作方法-CN202310574076.4在审
发明人：石志斌;赵宏超;陈文多;闫勇;范磊;李资政 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H02N2/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种尺蠖执行装置及其工作方法，尺蠖执行装置包括机架、与机架转动连接的转动轴、尺蠖机构和控制器。其中尺蠖机构包括活动架、弹性件、第一压电杆、第二压电杆和接触传感器，弹性件和第一压电杆均能够驱动活动架转动，弹性件与第一压电杆作用于活动架的作用力方向相反；第二压电杆的一端与活动架连接，另一端能够与转动轴的侧面抵接；接触传感器安装在支架上并能够与活动架接触。本发明通过第一压电杆和第二压电杆的配合，采用类似尺蠖移动的方式驱动转动轴的旋转，具有更小的步进角，从而也降低了后续齿轮箱的齿比要求，减小整个驱动装置的体积。本发明涉及电机技术领域。
一种尺蠖执行装置及其工作方法

[发明专利]一种硅基深孔微结构的制作方法-CN201910295607.X在审
发明人：李强;李资政;王笑夷;杨海贵;高劲松 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种硅基深孔微结构的制作方法，包括先将硅片依次放入双氧水、氨水中各浸泡十分钟，然后用蒸馏水清洗干净放置洁净处晾干备用；微球去离子水中悬浊液，选取合适尺寸400nm‑100um的微球原溶液加入体积两倍的乙醇，并放入超声仪中超声处理半小时，使聚苯乙烯与乙醇混合均匀；微球在液面上形成单层有序的排列；利用液面沉降法将排列好的微球转移到硅片上；对微球尺寸进行缩减以获得特定的尺寸；利用镀膜技术向刻蚀后的样片上沉积10‑20nm的金属铬，去除微球形成铬膜上带有的孔阵列的微结构；以带有孔阵列的铬膜为掩膜，刻蚀后去除铬膜，最终制作而成硅基深孔微结构。为硅基材料微结构化提供了一种简单、高效、大面积、低成本的方法。
一种硅基深孔微结构制作方法

[发明专利]一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法-CN201710624823.5有效
发明人： 李资政;高劲松;刘震;王笑夷;杨海贵;刘海;申振峰 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明提供一种消除大尺寸碳化硅基底硅改性层内应力的方法，属于薄膜技术领域。该方法通过在碳化硅基底硅改性层的成膜过程中，利用磁控溅射镀膜技术，设置镀膜工艺参数，在环状磁场控制下荷能离子轰击靶材，在SiC基底上沉积一定厚度的Si；然后停止溅射镀膜，更改镀膜工艺参数后，在SiC基底上继续沉积一定厚度的Si；然后停止溅射，反复修改工艺参数，重复上述步骤，最终制备出一定厚度的Si改性层。本发明方法消除了由于改性层内应力造成的膜层断裂现象和空气孔缺陷，有效降低了Si改性层内缺陷的产生，使大面积Si改性层的整体致密性非常良好，制备的大尺寸SiC基底Si改性层的致密度远远优于传统工艺制备Si改性层。
改性层硅改性层碳化硅基制备镀膜工艺沉积薄膜技术领域磁控溅射镀膜成膜过程传统工艺断裂现象荷能离子环状磁场溅射镀膜空气孔致密性靶材溅射膜层轰击重复

[发明专利]一种多通道法布里-珀罗滤光片及其制备方法-CN201811605926.8在审
发明人：杨海贵;高劲松;王笑夷;李资政;刘海;王延超 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种多通道法布里‑珀罗滤光片及其制备方法，在多通道法布里‑珀罗滤光片制备过程中，采用聚焦离子束刻蚀的方法而达到仅需一次刻蚀就能集成多个通道。聚焦离子束刻蚀为计算机控制下的无掩膜刻蚀方法，可以直接对于高光谱滤光片不同位置的法布里‑珀罗腔层进行不同时间的刻蚀，从而利用单个刻蚀工艺实现多个通道的腔长长度的调节。
多通道法布里滤光片刻蚀聚焦离子束刻蚀制备法布里-珀罗滤光片计算机控制刻蚀工艺制备过程高光谱珀罗腔腔长掩膜

[发明专利]一种多通道激光雷达三维点云测量系统及测量方法-CN201810137496.5在审
发明人：宋琦;高劲松;李资政;杨飞;张卓;田恩光;黄月旺 -专利权人：高若谦
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：一种多通道激光雷达三维点云测量系统及测量方法，属于光电领域，解决了现有激光雷达存在的成本高、结构复杂、测距效率低的问题。本发明包括：数字信号处理芯片；激光器驱动电路接收数字模拟信号转换芯片的固定延时的脉冲序列并将其转换为激光器脉冲驱动信号；多个激光发射器接收激光器驱动电路的激光器脉冲驱动信号以相同间隔时间发射脉冲激光；光信号探测器采集回波脉冲信号转换为电信号；模拟数字信号转换芯片采集电信号并对其进行模数转换后传输给数字信号处理芯片进行距离计算；马达驱动芯片输出PWM驱动信号以驱动旋转马达带动激光发射器和光信号探测器转动。本发明成本低、结构简单、测距效率高。
激光雷达数字信号处理芯片光信号探测器测距激光发射器激光器脉冲测量系统驱动信号三维点云多通道测量数字模拟信号转换激光器驱动电路发射脉冲激光回波脉冲信号马达驱动芯片模拟数字信号采集电信号接收激光器固定延时光电领域距离计算脉冲序列模数转换驱动电路驱动旋转转换芯片转换马达转动芯片采集传输输出

[发明专利]光电子器件、半导体基板及其制作方法-CN201610472916.6在审
发明人：高劲松;刘小翼;杨海贵;李强;王延超;李资政;王笑夷 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电子器件、半导体基板及其制作方法，该半导体基板包括硅衬底以及位于所述硅衬底第一表面的金属层，所述硅衬底的第一表面具有多个凹槽，所述金属层覆盖所述凹槽之间的区域以及所述凹槽的底面和侧壁。本发明中的凹槽及其表面的金属层可以看作U型波导，该U型波导存在多种模式的表面等离子激元激发，这些多种模式的表面等离子激元激发可以拓宽半导体基板的吸收带，使硅基光电子器件及硅基光电探测器得到更广泛的应用。
光电子器件半导体及其制作方法

[发明专利]一种微结构硅基材料及其制作方法、半导体器件-CN201610473087.3在审
发明人：杨海贵;李强;高劲松;刘小翼;王延超;李资政;王笑夷 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微结构硅基材料及其制作方法、半导体器件，制作方法包括提供硅片及微球溶液；将微球溶液采用自组装方式制作为微球模板；将微球模板转移至硅片表面，进行退火热处理；以微球作为掩膜，并采用反应离子束刻蚀工艺刻蚀硅片，再清洗后镀膜，形成金属纳米锥状微结构。本发明提供的制作方法中，首先，采用自组装方式得到微球模板作为掩膜，相对于现有技术中采用专门制作掩膜的工艺制作得到的掩膜而言，本发明提供的掩膜制作方法简单，且成本较低；其次，本发明提供制作方法中采用相对廉价的反应离子束刻蚀工艺对硅片进行刻蚀，相对于现有技术中的聚焦离子束刻蚀工艺、电子束曝光和激光直写等微纳加工方法，工艺简单，且成本也较低。
一种微结构基材料及制作方法半导体器件

[发明专利]降低黑硅材料在红外波段吸收退化的方法-CN201410781665.0无效
发明人：杨海贵;王延超;李资政;王笑夷;申振峰;刘震;刘海;高劲松 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：降低黑硅材料在红外波段吸收退化的方法，涉及半导体光电子材料领域，解决了在黑硅光电二极管的制作过程中存在的退火后黑硅材料在红外波段的吸收下降从而使得黑硅光电探测器的红外性能下降的问题。该方法为对真空加工腔内抽真空使其压强降到预定值下，将共掺杂气体和硫系气体按照摩尔比0.01～100掺杂形成的混合气体充入真空加工腔，共掺杂气体为N₂、Ar₂或O₂，硫系气体为SF₆、SeF₆、SO₂、H₂S、H₂Se中的一种或多种，利用飞秒激光在混合气体中按扫描硅片表面，对黑硅退火处理，采用与所使用的共掺杂气体相同的保护气体。本发明有效的抑制了硫系原子在高温退火时向晶界扩散，从而使得飞秒激光加工微结构黑硅在近红外的高吸收得以保持。
降低材料红外波段吸收退化方法

[发明专利]采用多次间断共蒸发制备大面积高质量较厚铝膜的方法-CN201410781834.0无效
发明人：高劲松;李资政;杨海贵;王延超;王笑夷;申振峰;刘震;刘海 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：采用多次间断共蒸发制备大面积高质量较厚铝膜的方法，涉及薄膜制备领域，解决了现有的厚铝成膜工艺存在的无法制备大面积铝膜的问题。该方法为：在镀膜机中，利用多个中心对称设置的电子束蒸发源同时蒸发多个坩埚中的铝料，在大面积铝膜基底上沉积铝膜；停止蒸发，暂停一段时间，暂停过程中保持整个镀膜机腔内高真空状态；暂停后，更换每个坩埚中的铝料继续蒸发，在大面积铝膜基底上沉积铝膜；多次重复上述蒸发、暂停过程，直到在大面积铝膜基底上形成满足要求厚度的铝膜。本发明制备的大面积较厚铝膜质量一致性好，整体致密性好，表面粗糙度相比电子束蒸发直接镀制较厚铝膜降低至少两个数量级，均方根表面粗糙度最低达到4.5nm。
采用多次间断蒸发制备大面积质量较厚铝膜方法

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