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[发明专利]一种六方氮化硼薄膜的超快制备方法-CN202210573345.0有效
发明人： 任文才;周天亚;徐川;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及六方氮化硼薄膜制备领域，具体为一种六方氮化硼薄膜的超快制备方法，适于六方氮化硼薄膜的高效制备。本发明通过将高温的金属硼化物基体在液氮中快速冷却(淬火)，在淬火过程中液氮被催化裂解为活性的氮原子，然后与基体表面的硼原子反应生长出六方氮化硼薄膜。本发明制备工艺简单，效率高，成本低，可控性好，可批量制备六方氮化硼薄膜，为六方氮化硼薄膜在电子器件、防腐与耐磨涂层、热管理以及离子输运等领域的应用奠定了基础。
一种氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种石墨烯像素电极限域载流子传输及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法-CN202310542958.2在审
发明人：杜金红;张鼎冬;佟博;马来鹏;任文才;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯像素电极限域载流子传输及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法，属于透明导电膜应用与柔性显示技术领域。利用绝缘性聚合物材料使石墨烯像素电极间绝缘同时提高电荷的垂直注入与输运及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法。首先将不同基体上生长的石墨烯薄膜转移至转印基体上，并对其进行激光刻蚀制备出石墨烯像素电极。然后将石墨烯像素电极矩阵转移至薄膜晶体管阵列上，进而在石墨烯矩阵表面沉积一层超薄的聚合物层。最后，在聚合物改性的石墨烯电极上构建发光二极管，获得有源矩阵发光二极管器件。该方法制备的有源矩阵发光二极管器件具有像素清晰、柔性可弯折，在柔性显示器及智能穿戴设备等领域具有广阔的应用前景。
一种石墨像素极限载流子传输及其柔性有源矩阵发光二极管制备方法

[发明专利]一种含有石墨烯的复合导热填料及其制备方法和应用-CN201611112687.3有效
发明人： 任文才;马超群;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C09C1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有石墨烯的复合导热填料及其制备方法和应用，属于新材料及其应用技术领域。利用化学气相沉积法在适宜温度和气氛下在氧化铝等耐高温的常规导热填料表面生长石墨烯层，制备出石墨烯层包覆于基体填料表面的复合导热填料。所制备复合导热填料颗粒石墨烯均匀紧密的包覆基体填料表面，形成完整稳定的壳层结构。由于石墨烯自身优异的导热性能，应用此种复合导热填料可使所制备的复合材料导热性能较直接使用常规导热填料在相同添加量下获得达4倍的提升，制备的导热复合材料导热率可达15W/mK。此种石墨烯复合导热填料制备工艺简单，可大规模工业化生产，作为新型高效导热填料应用于导热复合材料的制备。
一种含有石墨复合导热填料及其制备方法应用

[发明专利]一种不涉及盐酸的氧化石墨清洗方法-CN202111268446.9在审
发明人： 任文才;黄坤;裴嵩峰;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C01B32/23 文献下载
摘要：本发明属于石墨烯制造领域，具体是一种不涉及盐酸的氧化石墨清洗方法。采用化学法制备氧化石墨，氧化反应结束后的氧化石墨、插层剂、氧化剂及其他反应产物的混合物加水稀释后固液分离收集滤饼；将滤饼加水清洗数次后得到纯度较高的滤饼，再加入水和双氧水浆化后固液分离，获得高纯度的氧化石墨滤饼。该方法具有滤饼清洗收集效率高、清洗废水和氧化石墨滤饼无盐酸等特点，可用于氧化石墨烯材料的工业化生产。
一种涉及盐酸氧化石墨清洗方法

[发明专利]一种高效获取二维材料截面特征晶向的方法-CN202211552249.4在审
发明人： 任文才;王强;刘志博;朱毅;徐川 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及透射电子显微镜表征二维材料结构领域，具体为一种高效获取二维材料截面特征晶向的方法，适用于二维范德华层状材料和二维非层状材料。利用聚焦离子束显微镜(FIB)在垂直于(或平行于)二维材料边缘长直边方向取样，并将二维材料取样方向平行于半月形载网弦长方向进行焊接，从而制备出能反映原子层堆垛序的截面样品；再将半月形载网弦长方向与TEM样品杆轴向垂直放置，继而进行小角度倾转以快速实现样品晶体学定向。本发明为通过观察二维材料截面样品高效解析材料的晶体结构、堆垛缺陷以及表面重构等晶体学信息奠定了基础。
一种高效获取二维材料截面特征方法

[发明专利]一种石墨烯基导热／导电复合材料的制备方法-CN202211492972.8在审
发明人： 任文才;马超群;刘海超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及新材料及其应用技术领域，具体涉及一种石墨烯基导热/导电复合材料的制备方法。将具有三维连通结构的开孔泡沫金属叠层压制，将压制完的泡沫金属在适宜的温度和气氛条件下退火。利用化学气相沉积工艺，在泡沫金属模板表面催化生长石墨烯层。去除金属基底后，得到开孔密排结构的泡沫石墨烯网络骨架。利用真空浸渍工艺向所述具有密排三维连通结构的泡沫石墨烯网络骨架孔隙中填充聚合物基体，并选择合适的工艺完成固化。本发明工艺简单，生产成本低廉。所制备的石墨烯基复合材料，具有优异的导热、导电性能。在导热、导电、电磁屏蔽等领域具有巨大的应用潜力。
一种石墨导热导电复合材料制备方法

[发明专利]一种高性能导热界面材料的制备方法-CN202211492977.0在审
发明人： 任文才;马超群;刘海超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及新材料及其应用技术领域，具体涉及一种高性能导热界面材料(TIM)的制备方法。利用模具将三维多孔金属沿着面内X、Y方向分别施加压力挤压，使多孔金属形成沿垂直于平面方向定向密排的骨架结构，以上述定向密排金属骨架为模板，利用化学气相沉积工艺，在适宜的温度和气氛条件下，在金属骨架表面催化生长石墨烯层。去除金属基底后，得到具有在垂直于平面方向定向密排的多孔石墨烯材料。利用真空浸渍工艺向所述多孔石墨烯导热网络骨架孔隙中填充聚合物基体，并完成固化。本发明所制备的高性能TIM，在垂直于平面方向上热导率可达200W/mK，同时具有较低的硬度和较高强度，工艺简单易量产，性价比远优于现有商用产品。
一种性能导热界面材料制备方法

[发明专利]一种提高发光二极管发光效率的方法-CN201910975239.3有效
发明人：马来鹏;任文才;杜金红;张鼎冬;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管的制作领域，具体为一种通过增透型掺杂剂薄膜提高发光二极管发光效率的方法。该方法在透明电极与发光层之间引入增透型掺杂剂薄膜，通过增透型掺杂剂薄膜同时改善透明电极的光外耦合效率和电荷注入效率，从而提升发光二极管的发光效率：在透明电极的表面形成增透型掺杂剂薄膜，利用薄膜的光学增透效应促进波导模式耦合进入透明电极，从而提高发光二极管的出光率；同时利用薄膜的表面电荷转移作用对透明电极进行掺杂以改善其功函数，从而提高电极的电荷注入效率。该方法无需使用复杂的微纳结构，与发光二极管的制作工艺兼容性高，为发展高性能发光二极管提供了简单有效的技术途径。
一种提高发光二极管发光效率方法

[发明专利]基于含金属空位的二维材料的离子传导膜及其制备方法-CN202010687242.8有效
发明人： 任文才;钱希堂;陈龙;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C01B25/14 文献下载
摘要：本发明属于离子传导膜领域，具体涉及一种基于含金属空位的二维材料的离子传导膜及其制备方法。该二维材料通过离子交换插层过渡金属硫磷化物块体获得，通过层层叠加组装形成层状膜，利用过渡族金属空位吸附的离子易于脱附、薄膜润湿性好、低湿度下的保水性等特点，结合二维材料自组装膜规则的纳米通道和强毛细管作用力可促进离子和水分子快速传输的优势，获得了在大范围相对湿度和温度环境下具有超高质子、锂离子传输率的离子传导膜。本发明具有制备工艺简单、易于结构调控和规模放大的特点，为二维材料在燃料电池、质子传导膜电解槽、锂离子电池、锂硫电池、钠离子电池等能量转化和存储器件中的应用奠定了基础。
基于金属空位二维材料离子传导及其制备方法

[发明专利]一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法-CN201910104981.7有效
发明人：马来鹏;魏士敬;任文才;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备技术，具体为一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法，适于制备岛状石墨烯及连续石墨烯薄膜。该方法将非金属基底在非氧化性气氛中升温至生长温度，保持生长温度不变，向反应体系中充入碳源、氢气、载气和水蒸气，采用化学气相沉积技术，在基底上进行反应生长单层石墨烯。本发明通过引入水蒸气抑制多层石墨烯的形核和长大、减少石墨烯的缺陷结构，同时提高石墨烯的生长速度。采用本发明所述方法，可在非金属基底上快速生长出高质量的单层石墨烯薄膜，从而避免常规转移过程对石墨烯器件性能的不利影响。
一种非金属基底快速 cvd 生长单层石墨方法

[发明专利]一种化工装备模块化制造管段预制焊接方法-CN202111477007.9有效
发明人：陈杰恒;王飞;何仲;沈斌强;喜鑫;陈益希;方战华;孔令宗;任文才;李择城 -专利权人：江苏利柏特股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化工装备模块化制造管段预制焊接方法，包括以下步骤：S1、准备工作：将直管道和管件进行点固焊形成管段；提供一个管段焊缝预制焊接装置；S2、将管段由夹爪夹持，夹爪夹持直管道且夹持位置处于管段的重心；S3、带动管段移动到矩形框架的中部；S4、旋转座和自转动力装置带动管段绕X轴旋转和绕夹持中心线旋转，使焊缝处于平焊位置1G或者横焊位置2G；S5、焊缝识别摄像头识别焊缝的编号和焊接位置，焊接机器人根据该识别结果移动到焊缝位置进行焊接作业。该管段预制焊接方法能够调整预制管段的位置，使焊缝处于平焊或横焊位置2G，方便焊接机器人进行自动焊接。
一种化工装备模块化制造管段预制焊接方法

[发明专利]一种高效率发光二极管的制作方法-CN201910974613.8有效
发明人：马来鹏;任文才;杜金红;张鼎冬;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管的制作领域，具体为一种通过非周期性纳米结构掺杂剂提高发光二极管发光效率的方法。该方法在透明电极与发光层之间引入非周期性纳米结构掺杂剂，通过非周期性纳米结构掺杂剂同时改善透明电极的光外耦合效率和电荷注入效率，从而提升发光二极管的发光效率：在透明电极的表面形成非周期性纳米结构掺杂剂，利用其非周期性的纳米结构减少出射光的全内反射，从而提高发光二极管的出光率；同时，利用掺杂剂的表面电荷转移作用对透明电极进行掺杂以改善其功函数，从而提高电极的电荷注入效率。该方法工艺简单，与发光二极管的制作工艺兼容性高，为发展高性能发光二极管提供了有效的技术途径。
一种高效率发光二极管制作方法

[发明专利]一种纳米级片径尺寸的氧化石墨烯材料的制备方法-CN201910645374.1有效
发明人：裴嵩峰;韦覃伟;任文才;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C01B32/198 文献下载
摘要：本发明属于氧化石墨烯材料制备技术领域，具体是一种纳米级片径尺寸的氧化石墨烯材料的制备方法。以玻璃炭材料作为阳极，浸入电解液中，再插入阴极对电极；在阴阳极之间施加电压，进行电化学氧化剥离处理；阳极物质在电化学反应过程中被逐渐氧化剥离并分散到电解液中；对含有阳极剥离物质的电解液进行离心、清洗、透析和干燥处理后，即得到纳米级片径的氧化石墨烯粉体材料。该方法利用具有特殊不规则片状晶体结构的玻璃炭材料作为电极，通过一步电化学氧化剥离工艺，可以实现不同片径分布的氧化石墨烯纳米片的控制制备。本发明具有安全、高效、无污染、产品纯度高、产品无金属离子杂质等特点，可用于纳米级氧化石墨烯材料的工业化生产。
一种纳米级片径尺寸氧化石墨材料制备方法

[发明专利]一种利用高级脂肪醇或高级脂肪酸转移二维材料的方法-CN202210573320.0在审
发明人： 任文才;周天亚;徐川;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/01 文献下载
摘要：本发明涉及二维材料领域，具体为一种利用高级脂肪醇或高级脂肪酸转移二维材料的方法，适用于基体上的二维材料单晶或薄膜的洁净无褶皱转移。将加热熔融后的高级脂肪醇或脂肪酸旋涂在基体上生长的二维材料表面，冷却固化得到高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料/基体复合体；利用刻蚀液腐蚀掉基体，得到高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料复合体；将高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料复合体转移到温水表面，使高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料复合体充分舒展；将高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料复合体转移到目标基体表面，从而实现二维材料的转移。本发明方法使得转移的二维材料表面具有更高的清洁度及更少的褶皱，为二维材料的物性研究与实际应用奠定了基础。
一种利用高级脂肪脂肪酸转移二维材料方法

[发明专利]一种金属纳米颗粒负载的石墨烯材料的一步超快制备方法-CN202210573349.9在审
发明人： 任文才;周天亚;徐川;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及金属纳米颗粒及石墨烯材料制备领域，具体为一种金属纳米颗粒负载的石墨烯材料的一步超快制备方法，适于金属纳米颗粒负载的石墨烯材料的快速高效制备。该方法通过将高温基体在金属盐的液态碳源中快速冷却(淬火)，淬火过程中金属盐受热分解为金属纳米颗粒，液态碳源受热分解在基体表面生长石墨烯，从而快速制备出金属纳米颗粒负载的石墨烯材料。本发明制备工艺简单，效率高，成本低，可控性好，可快速制备出多种金属纳米颗粒负载的石墨烯材料，为该类材料在光电催化、工业催化、拉曼增强、高熵合金、气体传感、电磁屏蔽等领域的应用奠定了基础。
一种金属纳米颗粒负载石墨材料一步制备方法

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