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- [实用新型]大尺寸LED芯片-CN201220621155.3有效
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黄华茂;王洪;杨洁;耿魁伟
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华南理工大学
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2012-11-22
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2013-05-08
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H01L27/15
- 本实用新型公开大尺寸LED芯片，其衬底为长方体，而外延层分割成多个发光单元，发光单元侧壁制备有微结构，微结构呈随机分布或周期分布。对于导电型衬底，所述发光单元为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以并联的形式组成单个的大功率LED芯片；对于绝缘型衬底的大尺寸LED芯片，所述发光单元台形结构的台基和台面分别为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以串联或并联的形式组成单个的大功率LED芯片。本实用新型保持简单的芯片切割工艺，而对芯片内部的发光单元应用塑形技术和侧面粗化技术，并对电极优化设计，增强各发光单元的光提取效率和电注入效率，从而提高大尺寸LED芯片的发光效率。
- 尺寸led芯片
- [实用新型]基于金属线路板的功率型LED-CN02248875.8无效
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李炳乾;布良基
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佛山市光电器材公司
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2002-10-21
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2003-12-31
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H01L33/00
- 一种基于金属线路板的功率型LED，其特点是将大尺寸LED芯片安放在以金属为基材的金属线路板上，金属线路板的金属基材上覆盖有一层绝缘导热层，在绝缘导热层上覆盖有一层金属层，大尺寸LED芯片安放在该金属层上，该金属层上制作有导电线路，大尺寸LED芯片与导电线路之间电联接，在大尺寸LED芯片所在的位置处固化有环氧树脂，环氧树脂将大尺寸LED芯片以及芯片与导电线路之间的连线包于其内。本实用新型将金属线路板与大尺寸LED芯片相结合，简化了功率型LED的结构，并可采用COB技术在金属线路板上安装大尺寸LED芯片，易于制造。
- 基于金属线路板功率led
- [发明专利]大尺寸芯片光刻拼接方法-CN202011457478.9在审
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杨赟娥;龚燕飞
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上海新微技术研发中心有限公司
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2020-12-10
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2022-06-14
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G03F7/20
- 本发明提供一种大尺寸芯片光刻拼接方法，包括：1)：设计拼接光刻版，找出大尺寸芯片中的重复性小结构图形模块，然后根据每个重复性和/或非重复性的小结构图形模块的面积将其制作在光刻版上，直至将所有小结构图形模块的图形全部制作在多块光刻版上，形成所述拼接光刻版；2)：采用步进式光刻机进行第一层的光刻拼接工艺；3)：采用所述步进式光刻机进行第二层的光刻拼接工艺；4)：重复执行步骤3)直至完成所述大尺寸芯片所有层次的拼接光刻工艺。采用本光刻拼接方法，可减少光刻版上的图形占用率，大幅度提升光刻版有效曝光区域利用率；另外，还可有效减少光刻版的数量，降低光刻版成本，并且能使大尺寸芯片在光刻时提升曝光速度。
- 尺寸芯片光刻拼接方法
- [发明专利]一种大尺寸芯片曝光方法-CN201711385400.9在审
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戴鑫
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苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
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2017-12-20
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2018-04-10
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G03F7/20
- 本发明公开了一种大尺寸芯片曝光方法，所述方法包括将晶圆的待曝光区域进行虚拟划分，使得所述待曝光区域包括主芯片区、测试单元区和对位标记区，所述主芯片区包括多个子芯片区，所述测试单元区和所述对位标记区分别位于所述主芯片区的外围；使用同一光罩，分别对所述主芯片区、所述测试单元区和所述对位标记区进行曝光，以在所述晶圆上获得预设尺寸的曝光图形；以及对曝光后的所述晶圆进行拼接，得到目标需求的大尺寸主芯片。本发明的大尺寸芯片曝光方法可以满足不同尺寸的芯片需求，对于特殊图案的芯片可以通过插花形式完成曝光，而且不需要对现有机台进行更新换代，具有通用性较好和制造成本较低的优点。
- 一种尺寸芯片曝光方法
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