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- [发明专利]闪存及其制造方法-CN201810063024.X有效
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田志;钟林建
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上海华力微电子有限公司
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2018-01-23
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2020-09-01
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H01L27/11524
- 本发明公开了一种闪存，各闪存单元形成于同一个有源区中，同一行的多晶硅控制栅的连接在一起并形成多晶硅行，在各多晶硅浮栅两侧对称形成有N+扩散区，同一列的各N+扩散区连接在一起形成N+扩散区列，沟道区位于N+扩散区列之间且被多晶硅浮栅覆盖；各多晶硅浮栅由底部多晶硅浮栅和顶部多晶硅浮栅叠加而成，顶部多晶硅浮栅的长度小于底部多晶硅浮栅的长度；底部多晶硅浮栅自对准定义出沟道区的长度；在各N+扩散区的表面覆盖有第三介质层，第三介质层的表面低于或等于底部多晶硅浮栅的表面。本发明能提高多晶硅控制栅和多晶硅浮栅之间的耦合率，同时能减少相邻的多晶硅浮栅之间的互扰。
- 闪存及其制造方法
- [发明专利]自对准分栅闪存器件及其制造方法-CN201610874555.8有效
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林益梅
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2016-09-30
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2019-02-05
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H01L27/115
- 本发明公开了一种自对准分栅闪存器件，单元结构包括：多晶硅字线，多晶硅浮栅，源极多晶硅；第一浮栅侧墙覆盖多晶硅浮栅的顶部表面以及多晶硅字线的第一侧面；在多晶硅浮栅的第一侧面形成有第二浮栅侧墙；由相邻两个单元结构的第一和第二浮栅侧墙自对准定义出源极多晶硅的形成区域，且源极多晶硅的底部宽度由第二浮栅侧墙自对准定义；第二浮栅侧墙材料包括通过对多晶硅浮栅的第一侧面的硅进行热氧化形成的第一氧化层以及采用CVD HTO形成的第二氧化层。本发明还公开了一种自对准分栅闪存器件的制造方法。本发明能够提高器件的数据保持能力，能保证对源极多晶硅的底部宽度以及多晶硅浮栅的长度进行良好的控制。
- 对准闪存器件及其制造方法
- [发明专利]闪存器件的制备方法-CN202111249928.X在审
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党扬;张剑;张超然;熊伟;陈华伦
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2021-10-26
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2022-02-08
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H01L27/11517
- 本申请公开了一种闪存器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅介电层，衬底的元胞区域的栅介电层上形成有字线，字线之间的栅介电层上形成有浮栅多晶硅，浮栅多晶硅上方形成有控制栅多晶硅，字线和控制栅多晶硅、浮栅多晶硅之间，以及字线表面形成有氧化物隔离层，控制栅多晶硅和浮栅多晶硅之间形成有多层膜隔离层，衬底的逻辑区域的栅介电层上形成有栅极多晶硅；形成硬掩模层，硬掩模层覆盖氧化物隔离层、控制栅多晶硅和栅极多晶硅；对硬掩模层进行去除处理，保留字线两侧的氧化物隔离层表面的硬掩模层；去除逻辑区域中目标区域的栅极多晶硅；去除元胞区域中目标区域的控制栅多晶硅、浮栅多晶硅和多层膜隔离层。
- 闪存器件制备方法
- [发明专利]浮栅型分栅闪存器件及其制备方法-CN202210986808.6在审
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许昭昭
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2022-08-17
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2022-11-22
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H01L29/423
- 本发明提供一种浮栅型分栅闪存器件及其制备方法，其中器件包括：衬底；浮栅氧化层、台阶型浮栅多晶硅层；ONO介质层；源端侧墙；第一侧墙；源端多晶硅层；保护层；第二侧墙；选择栅氧化硅层、选择栅多晶硅层和第三侧墙本申请通过利用源端侧墙在浮栅多晶硅层的左、右、上三个方向对浮栅多晶硅层形成包裹，增加源端侧墙和浮栅多晶硅层的交叠面积，可以在微缩闪存器件的尺寸的同时提高SL‑FG的耦合系数；进一步的，本申请通过将浮栅多晶硅层的内外做成厚度不同的台阶形貌，增厚内侧浮栅多晶硅层的厚度，同时减薄外侧浮栅多晶硅层的厚度，使得选择栅至浮栅的有效交叠面积基本不变，同时选择栅对浮栅的外侧上角形成包裹，提高器件的擦除效率。
- 浮栅型分栅闪存器件及其制备方法
- [发明专利]闪存结构及其制作方法-CN202310089450.1在审
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曹子贵
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-01-31
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2023-06-06
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H10B41/00
- 本发明提供一种闪存结构及其制作方法，包括：在衬底上形成栅氧层和浮栅多晶硅层后，在隔离结构制作前形成包裹浮栅多晶硅层的氮化硅牺牲层，并在在隔离结构制作后去除氮化硅牺牲层，在浮栅多晶硅层和隔离结构之间形成间隙，进而后续形成的栅间介质层和控制栅多晶硅层依次覆盖浮栅多晶硅层并填充间隙，使控制栅多晶硅层包裹使浮栅多晶硅层，增加控制栅和浮栅的表面重叠面积，提高控制栅和浮栅的耦合电容，从而提升闪存器件的编程效率。进一步的，在浮栅多晶硅层和隔离结构之间形成的牺牲层，相当于一道氮化硅侧墙，避免浮栅在STI形成线性氧化层时被氧化，消除浮栅的Smiling效应。
- 闪存结构及其制作方法
- [发明专利]一种改善闪存编程能力的方法-CN201810050666.6有效
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徐杰;黄冲;李志国
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2018-01-18
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2020-12-11
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H01L27/11524
- 本发明公开了一种改善闪存编程能力的方法，包括：在晶圆衬底上依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅和氮化硅阻挡层；将浮栅多晶硅上方中间部分的氮化硅阻挡层去掉，保留左右侧的氮化硅阻挡层，再对浮栅多晶硅中间的裸露部分进行斜坡蚀刻；在两阻挡层、浮栅多晶硅上沉积一层隔离层；对晶圆衬底的对应浮栅多晶硅开口处的部分进行离子掺杂形成源线下方的重掺杂区，在切断的浮栅多晶硅旁形成两侧墙，并在侧墙中间空隙中填充多晶硅后进行平坦化；在平坦化后的源线多晶硅上生长一层隔离层，除去浮栅多晶硅上左右侧的氮化硅阻挡层，以浮栅上方的氧化层和源线上的隔离层作为阻挡层对剩余的浮栅多晶硅进行蚀刻得到浮栅；优化浮栅侧壁的粗糙度，得到光滑的侧壁。
- 一种改善闪存编程能力方法
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