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[发明专利]改善掺杂与非掺杂多晶硅栅极刻蚀形貌差异的方法-CN201210343505.9有效
发明人：唐在峰;吕煜坤;方超;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善掺杂多晶硅栅极与非掺杂多晶硅栅极刻蚀形貌差异的方法，利用存在有高度差的硬掩膜层，再加上正常的多晶硅栅极刻蚀所需的光照，对同时存在掺杂多晶硅和未掺杂多晶硅的衬底进行刻蚀，掺杂多晶硅栅极与非掺杂多晶硅栅极同时制作完成本发明所述方法制作得到的多晶硅栅极，掺杂多晶硅栅极和非掺杂多晶硅栅极形貌基本一致，没有出现现有技术中常常遇到的缺陷。
改善掺杂多晶栅极刻蚀形貌差异方法

[发明专利]改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法-CN201310228606.6无效
发明人：束伟夫;唐在峰;方超;任昱;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，包括：利用膜厚测量仪，在测量多晶硅栅极硬掩模层厚度的测量的工艺中，测量多晶硅栅极中离子掺杂多晶硅栅极的厚度和多晶硅栅极生长的原始厚度；利用测量得到的多晶硅栅极生长的原始厚度，减去离子掺杂多晶硅栅极的厚度，得到非掺杂多晶硅栅极的厚度；对离子掺杂多晶硅栅极进行刻蚀，其中根据第一公式和离子掺杂多晶硅栅极的厚度来计算离子掺杂多晶硅栅极的第一刻蚀时间，通过先进制程控制来实时修正每片硅片的第一刻蚀时间；对非掺杂多晶硅栅极进行刻蚀，其中根据第二公式和非掺杂多晶硅栅极的厚度来计算非掺杂多晶硅栅极的第二刻蚀时间，其中通过先进制程控制来实时修正每片硅片的第二刻蚀时间。
改进离子掺杂多晶栅极刻蚀工艺方法

[发明专利]一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法-CN201811099655.3有效
发明人：张海峰;陈计学;高博;朱小燕 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法，它包括设置基板（1），在基板（1）上生成二氧化硅膜层（2），在二氧化硅膜层（2）上生成氮化硅膜层（3），在氮化硅膜层（3）上生成有第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10），且在第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10）上均设有氧化介质层。本发明提高了多晶硅对氮化硅的选择比，且在刻蚀的过程中，减少了氮化硅膜层的损失，最大程度保证了不同多晶硅下方氮化硅层厚度的一致性，改善了EMCCD器件的电学参数,减少了多晶硅栅的线条损失，制作出结构完整的多层多晶硅栅结构
一种 emccd 器件多层多晶结构制作方法

[发明专利]一种平面型VDMOS器件及其制作方法-CN201410284234.3在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：在外延层上生成栅氧化层，在所述栅氧化层上生成多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成多晶硅栅；进行离子注入，形成掺杂的多晶硅栅；在所述掺杂的多晶硅栅表面和所述栅氧化层表面形成光刻胶掩膜；在所述掺杂的多晶硅栅上刻蚀出多晶硅栅沟槽；在所述多晶硅栅沟槽和所述掺杂的多晶硅栅表面进行热氧化，形成氧化层。本发明通过改变多晶硅栅的结构，利用氧化层将掺杂的多晶硅栅划分为两部分，在不影响其他参数的情况下降低了栅漏电容。
一种平面 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]多晶硅残留监测结构-CN201410117788.4有效
发明人：高金德;蔡恩静 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅残留监测结构，其包括接地的半导体衬底，其中形成有源区；平行排列于有源区上的多个第一多晶硅栅结构和多个第二多晶硅栅结构，其中第一多晶硅栅结构和第二多晶硅栅结构交错分布；多个接触孔柱塞，形成于有源区上相邻的所述第一多晶硅栅结构和第二多晶硅栅结构之间；第一测试引脚，与所述多个第一多晶硅栅结构相连；以及第二测试引脚，与所述多个第二多晶硅栅结构相连。本发明能够对多晶硅残留问题进行有效监测。
多晶残留监测结构

[发明专利]栅极侧墙及其形成方法-CN201810107090.2有效
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极侧墙，包括：由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构；自对准形成于多晶硅栅侧面的侧墙；多晶硅栅的顶部被回刻一定厚度且回刻后的多晶硅栅的顶部表面低于侧墙的顶部表面；层间介质层和穿过层间介质层的接触孔；延伸到多晶硅栅的顶部表面上方的侧墙部分作为多晶硅栅和邻近的接触孔之间的阻挡层，用于防止多晶硅栅和邻近的所述接触孔产生击穿。本发明能对多晶硅栅的顶部进行保护，防止多晶硅栅顶部和邻近的接触孔之间产生击穿，提高器件的性能；多晶硅栅的回刻能通过自对准实现，不需要增加额外的光罩，工艺成本低；不会对多晶硅栅的厚度产生影响，能使多晶硅栅的性能得到很好的保证
栅极及其形成方法

[发明专利]半导体器件的栅极结构及其制造方法-CN201710534152.3有效
发明人：祁树坤 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的栅极结构及其制造方法，所述栅极结构包括：平面多晶硅栅；沟槽多晶硅栅，从所述平面多晶硅栅的边缘向下延伸形成环状结构；栅氧化层，设于所述沟槽多晶硅栅的周围；底部场氧，设于所述平面多晶硅栅下方，被环状的所述沟槽多晶硅栅包围。本发明的沟槽多晶硅栅为包围底部场氧的环状结构，提高了栅密度，并优化了栅极下方的电场。
半导体器件栅极结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201280024037.7无效
发明人：舛冈富士雄;中村広记 -专利权人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包括下述步骤：于鳍状硅层(103)的周围形成第一绝缘膜(104)，于鳍状硅层的上部形成柱状硅层(106)；向柱状硅层上部、鳍状硅层上部与柱状硅层下部注入杂质而形成扩散层；及形成栅极绝缘膜、多晶硅栅极电极(114a)、多晶硅栅极配线(114b)及多晶硅栅极焊垫(114c)。多晶硅栅极电极与多晶硅栅极焊垫的宽度宽于多晶硅栅极配线的宽度。半导体装置的制造方法随后包括下述步骤：堆积层间绝缘膜(120)，并且使多晶硅栅极电极及多晶硅栅极配线露出，对多晶硅栅极电极及多晶硅栅极配线进行蚀刻后，堆积金属层(121)，以形成金属栅极电极(121a)
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011332682.8在审
发明人：蔡巧明 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，第一器件的沟道长度大于第二器件的沟道长度；在基底上形成多晶硅栅极层，第一器件区的多晶硅栅极层包括底部多晶硅栅极层和凸出于底部多晶硅栅极层的多个顶部多晶硅栅极层；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层还覆盖底部多晶硅栅极层，并露出第二器件区的多晶硅栅极层顶部；去除第二器件区的多晶硅栅极层形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极层。本发明在第一器件区形成指状的多晶硅栅极层，从而在形成金属栅极层的过程中，有利于改善第一器件区的多晶硅栅极层的顶面凹陷问题。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种用于提高写效率的分离栅闪存结构-CN201510309099.8在审
发明人：张凌越 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-06-07 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于提高写效率的分离栅闪存结构，包括：布置在衬底中的沟道区上的栅极氧化层上的用于控制写操作的第一多晶硅栅极、布置在第一多晶硅栅极两侧的第一浮栅和第二浮栅、布置在第一多晶硅栅极与第一浮栅之间的第一ONO结构、布置在第一多晶硅栅极与第二浮栅之间的第二ONO结构、布置在第一浮栅的与第一多晶硅栅极相对的一侧的第一通道控制多晶硅栅、以及布置在第二浮栅与第一多晶硅栅极相对的一侧的第二通道控制多晶硅栅。第一通道控制多晶硅栅与第一浮栅之间以及第二通道控制多晶硅栅与第二浮栅之间分别由二氧化硅侧墙结构隔离。第一浮栅、第二浮栅、第一通道控制多晶硅栅以及第二通道控制多晶硅栅分别与第一多晶硅栅极平行。
一种用于提高效率分离闪存结构

[发明专利]NORD flash制造方法、器件和存储介质-CN202011504341.4有效
发明人：张剑;熊伟;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种NORD flash制造方法，包括在硅衬底上形成memory cell区域和外围电路多晶硅栅极区域并沉积多晶硅；光刻及刻蚀去除memory cell区域的多晶硅、高压氧化层和氮化硅，保留外围电路多晶硅栅极多晶硅，并在外围电路多晶硅栅极多晶硅旋涂光刻胶；memory cell区域控制栅接触孔光刻及刻蚀，外围电路多晶硅栅极区域去除光刻胶；memory cell区域和外围电路多晶硅栅极区域沉积硬掩膜后，旋涂光刻胶并打开刻蚀外围电路多晶硅栅极光刻窗口；外围电路多晶硅栅极刻蚀，形成外围电路多晶硅栅极，去除光刻胶；形成隔离侧墙。
nord flash 制造方法器件存储介质

[发明专利]三维非挥发性存储单元器件结构及其制造方法-CN202111186005.4在审
发明人：王宁;张可钢 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：器件结构包括：在存储单元沟槽的两相对的侧壁上，形成选择管多晶硅栅；选择管多晶硅栅与存储单元沟槽表面之间被选择管氧化层间隔；在每个选择管多晶硅栅的侧壁上，分别形成源端多晶硅栅；源端多晶硅栅的底端与存储单元沟槽的底面接触，源端多晶硅栅之间形成隔离空间；隔离介质层填充满该隔离空间；选择管多晶硅栅、源端多晶硅栅和隔离介质层向上延伸外露出存储单元沟槽形成外露部；层间介质层覆盖在外露部的表面；在外露部两侧壁外侧的硅衬底上，形成存储管多晶硅栅；存储管多晶硅栅与位于外露部上的层间介质层之间，形成有电荷存储层。
三维挥发性存储单元器件结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作的方法-CN201310340761.7在审
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成具有第一开口的第一硬掩膜层；在所述第一开口中形成第二硬掩膜层；图案化所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层，以形成与所述第一开口方向垂直的栅极掩膜图案；去除所述第二硬掩膜层；根据图案化的所述第一硬掩膜层刻蚀所述多晶硅层，以形成第一多晶硅栅极层和第二多晶硅栅极层；在所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层之间形成第一阻挡层本发明提出了一种新的图案化定义多晶硅栅极的方法，根据本发明的制作方法，在N型多晶硅栅极和P型多晶硅栅极之间形成有二氧化硅层，二氧化硅层将N型多晶硅栅极和P型多晶硅栅极隔离，以避免在进行N型多晶硅栅极预掺杂和P型多晶硅栅极预掺杂时两者之间发生横向扩散的现象。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]制作半导体器件的方法-CN201010251352.6无效
发明人：张力群 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在衬底的表面形成多晶硅层；在多晶硅层的表面形成掩膜层；图案化掩膜层和多晶硅层，以形成多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极表面的阻挡层，并在多晶硅栅极的两侧制作侧墙；在多晶硅栅极的两侧掺杂形成源极和漏极；在衬底的表面和阻挡层的表面形成自对准多晶硅化物层；在自对准多晶硅化物层的表面和侧墙的表面形成层间介电层；用化学机械研磨方法去除层间介电层至多晶硅栅极；去除多晶硅栅极形成容纳金属栅极的沟槽根据本发明的方法，使得不同多晶硅栅极的刻蚀速度基本相同，这样保证了刻蚀效果，从而确保了后续形成的金属栅极的质量。
制作半导体器件方法

[发明专利]多晶硅栅极的形成方法-CN201310066824.4有效
发明人：张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅栅极的形成方法，所述多晶硅栅极的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有自下至上依次层叠的多晶硅层和掩模层；选择性去除所述掩模层，以形成掩模图形；在所述掩模图形的侧壁上制备侧墙；对所述多晶硅层进行干法刻蚀，以形成多晶硅栅极，刻蚀气体对所述多晶硅栅极的侧壁的刻蚀速率大于所述侧壁上有机物的沉积速率；去除所述侧墙；以及对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成浅槽隔离。在本发明提供的多晶硅栅极的形成方法，能够使得多晶硅栅极具有光滑、平整的侧壁，从而保证多晶硅栅极的电性能。
多晶栅极形成方法

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