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[发明专利]切片用硅晶棒加工方法-CN201110295354.X无效
发明人：吴玺;徐晓杰;赵超 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种切片用硅晶棒加工方法，首先提供一个硅晶锭并将其固定于设计好的截断设备上，提供一个截除工具截除硅晶锭最顶部的杂质层；然后截除顶部低少子寿命部分和底部低少子寿命部分；然后对硅晶锭进行开方并同时截除四周杂质层；再对开方后的硅晶棒进行清洗以及检测；最后将检测合格后的半成品硅晶棒再进行截断，最终制得成品硅晶棒。本发明实施例的切片用硅晶棒加工方法将正常工艺中硅晶锭先开方后截除顶部杂质层及顶部与底部低少子寿命部分的工艺方法革新为先截除硅晶棒顶部杂质层及顶部与底部低少子寿命部分后进行晶锭开方，如此设置，工艺加工工序少
切片用硅晶棒加工方法

[实用新型]晶锭纵向切割辅助装置-CN201920166462.9有效
发明人：赵延祥 -专利权人：宁夏银和半导体科技有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶锭纵向切割辅助装置，属于单晶硅晶棒加工设备技术领域。包括基座、晶锭支撑平台及进给量调整组件，进给量调整组件包括进给平台及调节丝杠，进给平台滑动连接于基座上，调节丝杠沿水平方向贯穿通过进给平台，且一端转动连接于基座上，晶锭支撑平台固定于进给平台的一端；调节丝杠螺纹连接进给平台进行晶棒纵向切割作业时，将基座固定于晶棒截割机上，将单晶硅晶棒直立固定于晶锭支撑平台上，通过转动调节丝杠，使得进给平台主动进给，完成对单晶硅晶棒的纵向切割，提高纵向切割的成功率。同时解决了机台进给对刀导致的硅料损耗，样片平行度较差，垂直度较差的问题。
进给平台纵向切割晶棒晶锭单晶硅调节丝杠支撑平台进给量调整辅助装置转动调节丝杠机台本实用新型滑动连接加工设备螺纹连接前后移动直立固定主动进给转动连接组件包括垂直度平行度硅料截割进给种晶成功率贯穿

[发明专利]铸锭坩埚、晶硅锭及其制备方法、方硅锭的制备方法-CN201910851957.X在审
发明人：姚铮;白超;毛亮亮;吴坚;蒋方丹 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种铸锭坩埚、晶硅锭及其制备方法、方硅锭的制备方法，铸锭坩埚，包括坩埚体、位于所述坩埚体内的若干组预制棒，每组所述预制棒包括沿第一直线间隔设置的若干预制棒。本发明通过铸锭坩埚制备晶硅锭，再由晶硅锭制备方硅锭、由方硅锭制备的硅片具有导槽，基于该硅片制备的电池片，其主栅至少一端具有引导槽；可采用普通焊带将若干所述电池片串联成电池串，且至少部分所述焊带位于所述引导槽内
铸锭坩埚晶硅锭及其制备方法方硅锭

[发明专利]一种铸锭炉长晶棒的测量装置-CN201310379046.4无效
发明人：林洪峰;陶亚明;李书森;刘兴翀;赵秀生 -专利权人：天威新能源控股有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公布了一种铸锭炉长晶棒的测量装置，包括安装在铸锭炉顶部的两个竖直安装的滑槽，滑槽的开口相对，在两个滑槽内安装有可以上下自由移动的滑动架，在滑动架的中部设置有用于夹持长晶棒的夹具，还包括长晶棒高度的测量系统本发明通过设置长晶棒高度的测量系统，可以快速读取并记录长晶棒的高度，解决了现有技术中由于读取角度的存在引起的误差大的问题，同时及时地测量也缩短了测量的时间，减少了长晶棒停留在硅液中的时间，降低了长晶棒的使用风险；避免长晶棒粘在正在长晶的硅锭中，提高硅锭的成品率。
一种铸锭炉长晶棒测量装置

[实用新型]一种铸锭炉长晶棒的测量装置-CN201320525988.4有效
发明人：林洪峰;陶亚明;李书森;刘兴翀 -专利权人：天威新能源控股有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种铸锭炉长晶棒的测量装置，包括安装在铸锭炉顶部的两个竖直安装的滑槽，滑槽的开口相对，在两个滑槽内安装有可以上下自由移动的滑动架，在滑动架的中部设置有用于夹持长晶棒的夹具，还包括长晶棒高度的测量系统本实用新型通过设置长晶棒高度的测量系统，可以快速读取并记录长晶棒的高度，解决了现有技术中由于读取角度的存在引起的误差大的问题，同时及时地测量也缩短了测量的时间，减少了长晶棒停留在硅液中的时间，降低了长晶棒的使用风险；避免长晶棒粘在正在长晶的硅锭中，提高硅锭的成品率。
一种铸锭炉长晶棒测量装置

[发明专利]一种提高单晶硅棒利用率的加工方法-CN201510331104.5有效
发明人：郑欢欣;王伟棱;潘金平;饶伟星 -专利权人：浙江海纳半导体有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的加工方法；包括如下的步骤：首先、切取单晶硅棒中多余的单晶；其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭或者合格的方形晶锭。
一种提高单晶硅利用率加工方法

[实用新型]一种晶硅棒晶硅锭切割用锯床承接台-CN201020591711.8无效
发明人：钱其峰;钱鹏飞 -专利权人：浙江芯能光伏科技有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶硅棒晶硅锭切割用锯床承接台。包括M型承接座和L型承接座，所述M型承接座设置于所述L型承接座之上。多晶硅块的切割时，可取下M型承接座，利用L型承接座；单晶硅棒切割时，可以重新将M型承接座安装于L型承接座上。采用本实用新型，能分别完成单晶硅棒和多晶硅锭的切割，使切割车间对于单晶硅棒、多晶硅块的生产安排更加灵活。
一种晶硅棒晶硅锭切割锯床承接

[实用新型]一种利于切割的硅锭-CN201120265391.1有效
发明人：叶峰;徐勇兵;郭翔 -专利权人：晶科能源有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种利于切割的硅锭，能有效改善晶棒的线痕及尺寸。即在硅锭的表面四周每隔一定的距离设置一段泡沫胶，这样可以很好的控制砂浆从硅锭四周流下的路线，让大量砂浆沿切割位置流下、增加钢线带到砂浆的量，以提高切割能力。一种利于切割的硅锭，其中：在硅锭的上表面四周设置有泡沫胶。本实用新型优点：通过对硅锭上表面设置泡沫胶，可以很好的改善晶棒的线痕迹及尺寸，提高了切割能力，简单实用。
一种利于切割

[实用新型]硅锭流转夹具-CN201920790556.3有效
发明人：张新忠 -专利权人：无锡斯达新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅锭流转夹具，其包括底座、晶托夹具、导向件和硅锭夹具。底座横向设置，晶托夹具倾斜设置在底座上，使晶托夹具的上表面与水平方向之间形成5度‑15度的夹角。晶托夹具上放置晶托，晶托上放置硅锭。导向件纵向设于底座上，硅锭夹具活动连接于导向件，硅锭夹具压在硅锭上。通过晶托夹具和硅锭夹具的互相配合，使得硅锭和晶托在粘接时，可以快速、精准的限定好硅锭位置，不用等胶水干透，可直接进行后续的输送工序。本实用新型提供了提供了一种结构合理、工作效率高、成品率高，且省时省力的硅锭流转夹具。
流转夹具

[发明专利]硅晶锭切割装置及切割方法-CN201010563594.9无效
发明人：陈平 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅晶锭切割装置，其中，该装置的顶面为硅晶锭切割面，该硅晶锭切割面倾斜于水平面。本发明还涉及一种利用该硅晶锭切割装置的切割方法，在该方法中，待切割的硅晶锭沿预设的切割路线从硅晶锭切割面的切入点移入切割装置，并从切出点移出硅晶锭切割装置，其中，所述的预设的切割路线与所述的硅晶锭切割面间具有夹角采用了本发明的硅晶锭切割装置及切割方法，由于该切割装置的切割面倾斜于水平面，且在切割过程中切割路线与切割面间具有夹角，因此，切割面直接切入硅晶锭的硅晶体，并经过胶体层从玻璃层切出，从而减少了在不同机械性能中切割造成硅落等不良现象的可能性，提高了所生产的硅晶片的良品率，降低了生产成本。
硅晶锭切割装置方法

[发明专利]拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片-CN201910562644.2在审
发明人：张婉婉;文英熙;柳清超 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片，其中，拉晶炉用于制造单晶硅锭，包括：炉体，所述炉体内包括主炉室和与所述主炉室相连通的副炉室，所述副炉室上设有用于通入惰性气的进气口；冷却装置，所述冷却装置设置在所述炉体内，用于在拉制单晶硅锭时，对所述单晶硅锭冷却；挡板，所述挡板固定设置在所述副炉室内，并与所述进气口相对设置，用于对从所述进气口通入的惰性气体进行分流，以使得惰性气体流向所述单晶硅锭的外周面并结合所述冷却装置对所述单晶硅棒进行冷却本发明实施例的拉晶炉能够快速的对单晶硅锭降温，提高单晶硅锭的质量。
单晶硅锭拉晶炉进气口冷却装置挡板惰性气体副炉室主炉室硅片制备冷却体内单晶硅棒固定设置相对设置拉制惰性气外周面副炉炉体室内分流制造

[实用新型]G7+多晶硅锭开方用晶锭座-CN202023008571.X有效
发明人：周晓康;陈发勤 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种G7+多晶硅锭开方用晶锭座，包括晶锭座台面基板，晶锭座台面基板呈四方形结构，晶锭座台面基板上表面设有49个台面支撑柱，49个台面支撑柱呈正方形阵列排布，台面支撑柱上设有硅锭硅块粘胶台面，晶锭座台面基板四条边均设有7个硅锭边皮粘胶台面，硅锭边皮粘胶台面上设有边皮保护插销孔；晶锭座台面基板边长为1324mm，硅锭硅块粘胶台面的边长为125mm，相邻两个硅锭硅块粘胶台面之间的间距为44mm，硅锭边皮粘胶台面的长度为125mm，硅锭边皮粘胶台面的宽度为50mm。本实用新型设计了用于G7+硅锭开方的晶锭座，使正常G7开方机在不改变开方机内部结构尺寸的情况下具备切割G7+硅锭的能力。
g7 多晶开方用晶锭座

[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法-CN202011154191.9在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片本发明使小、大籽晶块接缝处形成功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，能够显著改善铸造单晶硅片的位错缺陷及多晶占比，从而改善铸造单晶硅片质量。
一种减少缺陷多晶铸造制备方法

[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法-CN202011363122.9在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片本发明小籽晶块与大籽晶块接缝处形成的功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，降低多晶占比，将大籽晶块设计成长条形，减少籽晶接缝，减少了硅片的位错缺陷。
一种减少缺陷多晶铸造制备方法

[发明专利]用于减少硅生产过程中的硅晶体摇晃及跌落的系统及方法-CN202180052421.7在审
发明人：陆征;陈智勇;蔡丰键;林姗慧 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：一种用于通过丘克拉斯基(Czochralski)法来产生硅晶锭的方法包含使含有硅熔体的坩埚旋转，使所述硅熔体与晶种接触，在所述坩埚围绕对称轴旋转的同时沿所述对称轴从所述硅熔体撤回所述晶种以形成硅晶锭，及诱发所述硅晶锭中的电流以抵抗所述硅晶锭远离所述对称轴的移动
用于减少生产过程中的晶体摇晃跌落系统方法

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