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[发明专利]外延结构及其制造方法-CN202010717160.3有效
发明人：范伟宏;邬元杰;李东昇;蒋敏;张成军 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种外延结构及其制造方法，衬底；电子供应层，位于衬底上；多量子阱层，位于电子供应层上；多个V型凹陷，自多量子阱层的表面延伸至多量子阱层中；以及空穴供应层，填充多个V型凹陷，并在多量子阱层上方提供平整表面该外延结构通过超薄的空穴供应层填充大开口尺寸的V型凹陷，并在多量子阱层上方提供平整表面，从而在保证高空穴注入效率的前提下降低空穴供应层对光的吸收，从而提高了发光元件的发光效率。
外延结构及其制造方法

[发明专利]LED外延结构和工艺-CN201110324179.2无效
发明人：何瑞科;吉爱华;马新尚;李虹;芦增辉 -专利权人：西安重装渭南光电科技有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：LED外延结构和工艺，外延结构包括从下至上依次设置的Si衬底、N-GaN接触层、InGaN/GaN蓝光发光层、InGaN/GaN绿光发光层、AlInGaP红光发光层和P+GaN接触层。本发明的LED外延结构由InGaN/GaN蓝光发光层发出蓝光、InGaN/GaN绿光发光层发出绿光，AlInGaP红光发光层直接发出红光，蓝光、绿光和红光合成直接生成白光，无需使用荧光粉，不会光衰，发光质量好
led 外延结构工艺

[实用新型]GaN基LED外延结构-CN201520453457.8有效
发明人：刘恒山;陈立人;冯猛 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种GaN基LED外延结构，LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型GaN层。本实用新型采用渐变的Al_xGa_（_1-x_）N多量子阱层结构形成能级梯度，与InGaN阱层形成的压应力减小，可以有效释放量子阱中的压应力
gan led 外延结构

[实用新型]蓝光LED外延芯片结构-CN201120278484.8有效
发明人：张志伟;吉爱华;吉爱国;吉慕璇;吉磊 -专利权人：吉爱华
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蓝光LED外延芯片结构，包括依次设置的钼衬底、铟或钼合金层、P+GaN接触层、PAIGaN过渡层、InGaN/GaN发光层和N-GaN接触层。而且钼衬底便于用激光切割钼基板而制成，整个蓝光LED外延芯片结构的生产工艺简单，适于大批量生产。
led 外延芯片结构

[实用新型]外延温度测试监控结构-CN201320825704.3有效
发明人：杨彦涛;蒋敏;何金祥;李小锋;王柁华;苏兰娟 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供的外延温度测试监控结构，包括:一半导体衬底；监控窗口，由所述半导体衬底的表面形成，所述监控窗口具有特征尺寸大小分别相等的第二开口和用于间隔所述第二开口的第二间距区，所述第二间距区与所述第二开口的表面具有台阶差；测试结构，采用外延工艺在所述监控窗口上形成，所述测试结构具有第三开口和位于所述第三开口间的第三间距区，所述第三开口和第三间距区的图形数据为沿外延畸变的方向的数据。本实用新型通过所述外延温度测试监控结构使外延温度的监控简单高效、操作性强，可迅速有效地监控外延温度，以减少由于温度偏差导致的产品风险。
外延温度测试监控结构

[实用新型]GaN基LED外延结构-CN201520933121.1有效
发明人：刘恒山;刘慰华;冯猛;陈伟;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种GaN基LED外延结构，该LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型AlGaN层，P型GaN层。本实用新型采用渐变的N型GaN层结构，能减少位错密度，有利电流扩展，提高材料的抗静电能力，同时对低电流密度的LED芯片有利于提高亮度；另一方面，此结构可以提高电子浓度，从而提高电子迁移率，降低发光电压，
gan led 外延结构

[实用新型]门口外延防水结构-CN201821407501.1有效
发明人：王勇;毛智慧;郑斌兵 -专利权人：深圳新家生活科技服务有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： E04B1/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种门口外延防水结构，门口外延设置有一层防水涂层，所述门口外延包括由门洞底部向外延伸的外延地面，以及位于门洞两侧的外延墙面，所述防水涂层包括设置在所述外延地面上的地面涂层，以及设置在所述外延墙面上的墙面涂层本方案通过在门口外延设置一层防水涂层，避免门口外延在长时间易潮湿环境下使用，导致门口外延位置的墙面和腻子脱落涨裂，以及地面发霉起拱，提高用户使用体验，提高门口位置易潮湿部位的防水和抗潮能力。
门口防水涂层防水结构门洞墙面本实用新型潮湿部位潮湿环境地面涂层门口位置墙面涂层外延位置用户使用发霉腻子起拱防水延伸

[实用新型]一种外延结构-CN201821710818.2有效
发明人：李鸿建;陈志标 -专利权人：武汉云岭光电有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种外延结构，包括InP衬底，以及依次生长在所述InP衬底上的InP缓冲层、空穴阻挡层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及电子阻挡层；其中，所述多量子阱层中插入有空穴注入层与传统外延结构的空穴由上波导层往下逐步注入到多量子阱层中的各个阱层中相比，本实用新型提供的外延结构中的空穴可通过空穴注入层快速注入到多量子阱层中，能够极大提高InP系材料的空穴注入效率，进而提高半导体激光器芯片带宽
多量子阱层外延结构空穴本实用新型空穴注入层上波导层衬底半导体激光器芯片半导体技术领域空穴注入效率电子阻挡层空穴阻挡层下波导层阱层带宽生长

[实用新型]外延结构及发光器件-CN202023328832.6有效
发明人：张海林;黄国栋;林雅雯;谷鹏军;刘勇兴 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种外延结构及发光器件，包括衬底以及依次叠设于衬底上的复合布拉格反射结构、第一限制层、有源层和第二限制层；其中，复合布拉格反射结构包括周期性交替生长的低反射率半导体层和高反射率半导体层，且复合布拉格反射结构中最先生长和最后生长的半导体层均为低反射率半导体层通过使复合布拉格反射结构为低反射率层和高反射率层周期性交替生长的复合结构，且最先生长和最后生长的半导体层均为低反射率半导体层，可以增大布拉格反射结构对有源层光线的反射率，减少大倾角入射光线的临界损失，以达到提高外延结构的光提取效率的目的
外延结构发光器件

[实用新型]外延结构及LED芯片-CN202320288992.7有效
发明人：贾钊;窦志珍;张玉娇;闫冬成;胡恒广 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种外延结构及LED芯片，属于半导体发光器件领域。所述外延结构包括：依次层叠的GaAs衬底、GaAs缓冲层、新型N层、MQW层、新型P层以及GaP层，其中，所述新型N层和所述新型P层分别包括多组纵向交替生长的AlxxGa(1‑x)InAs层作为新型N层和新型P层，通过提高辐射机率和复合效率的方式增加半波宽以拉长光色范围，同时此结构使得
外延结构 led 芯片

[发明专利]发光面板及其制作方法-CN202310734148.7有效
发明人：陈良键;张羽;岳大川;蔡世星;林立;李小磊;伍德民 -专利权人：季华实验室;深圳市奥视微科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光面板及其制作方法，能够释放GaN外延层应力，降低外延层翘曲度，提升发光效率。该发光面板包括衬底、N型GaN外延层、发光外延层、第一楔形结构、第二楔形结构、P电极和N电极；所述N型GaN外延层和所述发光外延层形成于所述衬底上，所述第一楔形结构贯穿所述发光外延层和所述N型GaN外延层，所述第二楔形结构贯穿所述发光外延层和部分所述N型GaN外延层；所述P电极位于所述发光外延层上，所述N电极覆盖所述第一楔形结构和所述第二楔形结构。
发光面板及其制作方法

[发明专利]红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构-CN201911157666.7有效
发明人：刘召军;吴国才;莫炜静;于海娇 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构。一种红光LED外延片的分割方法，包括：在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光本发明的技术方案，通过在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层，然后氧化未涂覆保护层的第二位置以将红光LED外延片进行分割，解决了红光LED外延片分割成本高、损伤大的问题，达到了降低红光LED外延片分割成本和减小红光LED外延片分割损伤的效果。
红光 led 外延分割方法结构

[发明专利]一种发光器件、显示面板及电子设备-CN202210179597.5在审
发明人：梁轩;王飞;王明星;王灿;董学;杨明坤;齐琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种发光器件、显示面板及电子设备，发光器件至少包括：第一外延结构、第二外延结构，第一外延结构和第二外延结构能够发出不同波段的光；第一外延结构和第二外延结构沿第一方向依次设置，每个外延结构均包括：N型半导体层、P型半导体层、多量子阱层；第一外延结构和第二外延结构之间设置有导电键合层，包括：第一导电材料层和第二导电材料层，第一导电材料层还与第一外延结构的N型半导体层连接，第二导电材料层还与第二外延结构的P型半导体层连接；第二导电材料层的表面面积小于或等于第一导电材料层的表面面积；第二导电材料层的表面面积与第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2‑1。
一种发光器件显示面板电子设备

[发明专利]GaN基LED外延结构及其制造方法-CN201410299430.8有效
发明人：曹永革;刘著光;邓种华;陈剑;李军廷;费斌杰;郭旺;唐飞;黄秋凤;袁轩一 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。
gan led 外延结构及其制造方法

[发明专利]垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构-CN202110717833.X有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;石时曼;金全鑫 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构，该制造方法包括：在蓝宝石衬底上形成外延结构，外延结构具有第一表面与第二表面，第二表面与蓝宝石衬底相连；将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，部分蓝宝石衬底在相邻的外延单元之间暴露；在相邻的外延单元之间暴露的蓝宝石衬底上形成粘附层；将第二衬底键合固定在外延结构的第一表面上方；激光剥离蓝宝石衬底；以及去除粘附层。该制造方法通过将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，从而改善了由于高能量密度激光剥离瞬间产生的强烈冲击对外延结构造成严重损伤的问题。
垂直结构深紫 led 芯片制造方法外延