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[发明专利]信息处理装置、信息处理方法以及计算机可读取的存储介质-CN201680041106.3有效
发明人：鸟居健太郎;杉浦千加志;满田修一;相田聪;池崎太郎 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G16H40/20 文献下载
摘要：支援由用户实施的信息的输入。作为本发明的实施方式，信息处理装置具备关键词生成部、分类信息生成部、模式抽出部以及判断部。所述关键词生成部通过对基于自然语言的文本数据进行语态素分析来生成包括多个关键词的关键词序列。所述分类信息生成部根据将关键词与分类信息对应起来的数据库，获取与在所述关键词序列中包含的所述多个关键词中的各个关键词对应的分类信息来生成分类信息序列。所述模式抽出部根据所述分类信息序列与多个分类信息序列模式中的各个分类信息序列模式的相关性，从所述多个分类信息序列模式中选择所述分类信息序列模式。所述判断部通过比较选择出的分类信息序列模式和所述分类信息序列，生成与所述分类信息序列模式和所述分类信息序列的差分对应的提示信息。
信息处理装置方法以及计算机读取存储介质

[发明专利]具有RESURF层的功率用半导体器件-CN200510099510.X无效
发明人：斋藤涉;大村一郎;山口正一;相田聪;小野升太郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，第一漂移层(11)形成在漏极层(10)上，二者同为第一导电类型。第一导电类型的第二漂移层(19，33)和第二导电类型的RESURF层(18)形成在第一漂移层(11)上，在与深度方向正交的方向上周期配置。RESURF层(18)通过包含第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的pn结在第二漂移层(19，33)内形成耗尽层。第一漂移层(11)的杂质浓度与第二漂移层(19，33)的杂质浓度不同。基极层(12)选择地形成在第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的表面内。源极层(13)是第一导电类型，选择地形成在基极层(12)的表面内。形成源极来连接基极层(12)和源极层(13)的表面。栅极(15)经栅极绝缘膜(14)形成在位于源极层(13)和第二漂移层(19)之间的基极层(12)上。
具有 resurf 功率半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510069678.6无效
发明人： 相田聪;上月繁雄;柳泽晓;泉泽优;吉冈裕典 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-05-08 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体器件(功率MISFET)，包括：第1导电型的半导体区域；第2导电型的半导体基极区域；柱状区域；设置于所述基极区域上的第1导电型的第一主电极区域；至少连接到所述半导体区域和所述柱状区域的一部分上的第二主电极区域；控制电极；以及连接到控制电极的电极焊盘。所述柱状区域包括第1导电型的第一区域和第2导电型的第二区域，未延长到所述电极焊盘下。此外，还提供一种MISFET的制造方法。根据本发明的功率MISFET，在实现开关的高速化的同时，也不降低MISFET的雪崩抗压。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]绝缘栅型半导体器件-CN200410033529.X有效
发明人：斋藤涉;大村一郎;相田聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-04-06 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅型半导体器件，其最主要特征在于在功率MOSFET中，可以高速并且抑制开关噪声。例如，在与p基极层(12a)和n⁺源极层(13a)分别相邻的n^－漂移层(11)的表面部分上，成方格状地形成沟槽型结构的栅极电极(24a)。然后，在与该栅极电极(24a)的第1电极部(24a－1)分别交叉的第2电极部(24a－2)所对应的上述n^－漂移层(11)的界面上，形成与上述p基极层(12a)连接且有比上述p基极层(12a)低的杂质浓度的p层(14B)的结构。
绝缘半导体器件

[发明专利]绝缘栅型半导体装置-CN03130616.0有效
发明人：斋藤涉;大村一郎;相田聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高速、并且不使用外部电路就能够抑制开关噪音的绝缘栅型半导体装置。包括例如选择性地形成在n－漂移层(11)的表面的多个P基极层(12)，分别形成在各P基极层(12)的表面的n+源极层(13)，形成在n－漂移层(11)的背面侧的n+漏极层(15)，与该n+漏极层(15)连接的漏极(21)，与P基极层(12)及n+源极层(13)连接的多个源电极(22)，通过栅极绝缘膜(23)形成在源电极(22)之间的栅极电极(24)，选择性地设置在该栅极电极(24)下面的n－漂移层(11)的表面、与P基极层(12)的－个连接并具有比P基极层(12)低的不纯物浓度的p层(14)构成。
绝缘半导体装置

[发明专利]具有RESURF层的功率用半导体器件-CN02148229.2有效
发明人：斋藤涉;大村一郎;山口正一;相田聪;小野升太郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，第一漂移层(11)形成在漏极层(10)上，二者同为第一导电类型。第一导电类型的第二漂移层(19，33)和第二导电类型的RESURF层(18)形成在第一漂移层(11)上，在与深度方向正交的方向上周期配置。RESURF层(18)通过包含第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的pn结在第二漂移层(19，33)内形成耗尽层。第一漂移层(11)的杂质浓度与第二漂移层(19，33)的杂质浓度不同。基极层(12)选择地形成在第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的表面内。源极层(13)是第一导电类型，选择地形成在基极层(12)的表面内。形成源极来连接基极层(12)和源极层(13)的表面。栅极(15)经栅极绝缘膜(14)形成在位于源极层(13)和第二漂移层(19)之间的基极层(12)上。
具有 resurf 功率半导体器件