“M·拉希莫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于半导体器件的结构和制造用于半导体器件的结构的方法-CN202180084410.7在审
发明人： E·布伊特拉戈;C·帕帕多普洛斯;C·科瓦斯塞;M·拉希莫 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：提供了一种用于半导体器件的结构(1)，该结构具有：‑接触层(4)，所述接触层包括第一导电类型的第一掺杂剂，‑第二导电类型的基极层(2)，以及‑缺陷层(5)，所述缺陷层包括第一导电类型的第一掺杂剂，其中，‑在接触层(4)中被激活的第一掺杂剂的浓度高于在缺陷层(5)中被激活的第一掺杂剂的浓度。进一步地，提供了一种制造用于半导体器件的结构的方法。
用于半导体器件结构制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN202080077723.5有效
发明人： F·乌德雷亚;M·安东尼奥;N·洛菲蒂斯;C·科瓦斯塞;L·德-米奇伊里斯;U·维穆拉帕蒂;U·巴斯图恩;M·拉希莫 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种绝缘栅双极晶体管，其至少包括以下层：第一导电类型的源极层；第二导电类型的基极层，其中，源极层和基极层电接触源极电极；第一导电类型的漂移层；以及第二导电类型的集电极层，其布置在漂移层和集电极电极之间并且电接触集电极电极。绝缘栅双极晶体管进一步包括至少两个沟槽栅极电极和至少一个沟槽肖特基电极，并且第二导电类型的收集区域布置在这些电极的底部处。收集区域位于漂移层中并通过漂移层彼此横向地分开。肖特基层在接触区域处形成到收集区域的肖特基接触。
绝缘双极晶体管

[发明专利]具有低传导损耗的反向传导绝缘栅功率半导体器件-CN202080023343.3有效
发明人： C·帕帕多普洛斯;M·拉希莫;C·科瓦斯塞 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了一种反向传导绝缘栅功率半导体器件，其包括多个有源单位单元(40)和导引二极管单位单元(50)，该导引二极管单位单元包括与第一主电极(21)直接接触并从第一主侧(11)延伸到第一深度(d1)的第二导电型阳极区域(51)。每个有源单位单元(40)包括与第一主电极(21)直接接触的第一导电型第一源极层(41a)、第二导电型基极层(42)以及第一栅极电极(47a)，该第一栅极电极通过第一栅极绝缘层(46a)与第一源极层(41a)和第二导电型基极层(42)分开以形成第一场效应晶体管结构。阳极区域(51)在到垂直于第一主侧(11)的竖直平面上的正交投影中的侧向尺寸(w)等于或小于1μm。
具有传导损耗反向绝缘功率半导体器件

[发明专利]绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法-CN201980068533.4有效
发明人： L·德-米奇伊里斯;M·拉希莫;C·科瓦斯塞 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-09-13 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘栅极功率半导体器件(1a)，按照从第一主侧(20)朝向与第一主侧(20)相对的第二主侧(27)的顺序包括：第一导电类型的源极层(3)、第二导电类型的基极层(4)、第一导电类型的增强层(6)以及第一导电类型的漂移层(5)。该绝缘栅极功率半导体器件(1a)进一步包括两个相邻的沟槽栅极电极(7)，以形成夹在两个相邻的沟槽栅极电极(7)之间的垂直MOS单元。第二导电类型的保护层(8a)的至少一部分布置在两个相邻的沟槽栅极电极(7)之间的区域中，其中，保护层(8a)由沿着栅极绝缘层(72)延伸的第一导电类型的沟道层(60a；60b)与栅极绝缘层(72)隔开。
绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]固态开关系统-CN201780058286.0有效
发明人： P·凯罗利;L·霍夫施泰特尔;M·巴托尔;R·比尼;M·拉希莫 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H02M1/06 文献下载
摘要：一种用于连接和断开电气设备的固态开关，具有至少一个FET型器件以及与该至少一个FET型器件并联耦合的至少一个晶闸管型器件。栅极驱动器可操作以向至少一个FET型器件和至少一个晶闸管型器件发送栅极驱动信号，以用于向电气设备提供电流。栅极驱动器被构造为控制电流在至少一个FET型器件和至少一个晶闸管型器件之间的分流。
固态开关系统

[发明专利]固态开关系统-CN201780058406.7有效
发明人： P·凯罗利;L·霍夫施泰特尔;M·巴托尔;R·比尼;M·拉希莫 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：固态开关具有至少一个FET型器件以及与该至少一个FET型器件并联地耦合的至少一个晶闸管型器件。该至少一个FET型器件被构造有基于电气设备的额定电流的第一功率损耗曲线；以及该至少一个晶闸管型器件被构造有基于与该电气设备相关联的浪涌电流的第二功率损耗曲线。
固态开关系统

[发明专利]用于高压电力系统的开关设备和包括这种开关设备的装置-CN201680081031.1有效
发明人： M·拉希莫;K·亨肯;F·迪吉库伊曾;M·阿普拉纳尔普 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-02-08 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高压电力系统的开关设备(24)和包括这种开关设备的装置。开关设备包括能够关断、并具有第一栅极(G1)以及第一和第二电流传导端子(CCT1、CCT2)的第一半导体开关元件(26)，以及包括能够导通、并包括具有第二栅极(G2)和第一和第二电极(E1、E2)的电子管的第二开关元件(28)。开关元件(26、28)串联连接，其中第一电极(E1)连接到第二电流传导端子(CCT2)，其中第一电流传导端子(CCT1)和第二电极(E2)被提供连接到电力系统，并且开关元件能够联合操作以断开或形成在第二电极(E2)和第一电流传导端子(CCT1)之间的电流路径。
用于高压电力系统开关设备包括这种装置

[发明专利]双向晶闸管器件-CN201980013388.X在审
发明人： J·伏贝基;U·维穆拉帕蒂;M·拉希莫 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：提供了一种双向晶闸管装置(100)，其中，半导体晶片按照从第一主侧(102)到第二主侧(104)的顺序包括第一导电类型的第一半导体层(106)、第二导电类型的第二半导体层(108)、第一导电类型的第三半导体层(110)、第二导电类型的第四半导体层(112)以及第一导电类型的第五半导体层(114)。第一主电极(115)形成在第一主侧上(102)并且第二主电极(116)形成在第二主侧(104)上。第一发射极短路部(128)穿透第一半导体层(106)，以将第一主电极(115)与第二半导体层(108)电连接，并且第二发射极短路部(138)穿透第五半导体层(114)，以将第二主电极(116)与第四半导体层(112)电连接。在平行于第一主侧(102)的平面上的正交投影中，由第一半导体层(106)和第一发射极短路部(128)占据的第一区与由第五半导体层(114)和第二发射极短路(138)占据的第二区在重叠区中重叠，其中，第一发射极短路部(128)和第二发射极短路部(138)位于重叠区内。
双向晶闸管器件

[发明专利]反向导通功率半导体器件-CN201610442461.3有效
发明人： N·洛普希蒂斯;F·尤德雷;U·维穆拉帕蒂;I·尼斯托;M·阿诺德;J·沃贝基;M·拉希莫 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：提供一种反向导通功率半导体。其包括多个二极管单元(312)和多个栅极换流晶闸管(GCT)单元(32)。每个GCT单元(32)包括第一阴极层(34)，其中每个GCT单元(32)的第一阴极层(34)包括至少三个阴极层区域(34a、34b)，其通过基层(35)相互分开，其中在平行于第一主侧面(41)的平面上的正交投影中，阴极层区域(34a、34b)的每个为具有沿着其纵轴的方向上的长度和垂直于纵轴的方向上的宽度(w、w’)的条形，其中在至少一混合部分中二极管单元(312)在横向方向上与GCT单元(32)交替布置，其中在每个GCT单元(32)中，贴近与该GCT单元(32)邻近的二极管单元(312)的两个外部阴极层区域(34b)的每个的宽度(w’)小于位于该GCT单元(32)中的两个外部阴极层区域(34b)之间的任何中间阴极层区域(34a)的宽度(w)。
向导功率半导体器件

[发明专利]用于制造绝缘栅双极晶体管的方法-CN201480018670.4有效
发明人： M·拉希莫;M·安登纳 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：提供一种用于制造绝缘栅双极晶体管(10)的方法，其包括在发射极侧(65)与集电极侧(45)之间的第一导电类型的漂移层(3)，其中栅电极(7)和发射极电极(8)布置在发射极侧(65)，而集电极侧与发射极侧(65)相对，集电极电极(9)布置在集电极侧(45)。该制造方法包括以下顺序的制造步骤：‑确定第二导电类型的衬底(1)，第二导电类型与第一导电类型相反，衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧(12，14)，‑通过施加掺杂剂在第一侧(12)上创建第一导电类型的第一层(25)，‑在第一层(25)上创建第一导电类型的漂移层(3)，漂移层(3)具有低的掺杂浓度，‑扩散离子使得创建具有缓冲层厚度(22)的缓冲层(2)，其中缓冲层(2)具有比漂移层(3)更高的掺杂浓度，‑在漂移层(3)上创建第二导电类型的基极层(5)，‑在基极层(5)上创建第一导电类型的发射极层(6)，‑在第二侧(14)上减薄(48)衬底(1)使得衬底的保留部分形成集电极层(4)。
第一导电类型漂移层衬底导电类型发射极缓冲层集电极创建绝缘栅双极晶体管第一层基极层制造掺杂发射极电极集电极电极发射极层集电极层掺杂剂栅电极减薄离子施加扩散保留

[发明专利]双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法-CN201280017459.1有效
发明人： M·拉希莫;A·科普塔;T·克劳森;M·安登纳 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种制造双极穿通半导体器件的方法，其中实施下列步骤：(a)提供具有第一和第二侧(15，17)的晶圆(1)，其中在第一侧(17)上设置具有恒定高掺杂浓度的第一导电类型的高掺杂层(34)，(b)在第一侧(15)上外延生长第一导电类型的低掺杂层(22)，(c)随后实施扩散步骤，通过该步骤在层(34，22)的间隔处形成扩散的间隔区域(32)，(d)随后在第一侧(15)上形成至少一个第二导电类型的层，(e)随后在第二侧(17)上的高掺杂层(34)内减少晶圆厚度从而形成缓冲层(3)，其包含间隔区域(32)和高掺杂层的剩余部分，其中缓冲层(3)的掺杂分布曲线从高掺杂区域(36)的掺杂浓度平稳降低至漂移层(2)的掺杂浓度。
双极穿通半导体器件制造这种方法

[发明专利]功率半导体装置-CN201280010448.0有效
发明人： M·拉希莫;M·贝里尼;M·安登纳;F·鲍尔;I·尼斯托尔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一绝缘栅双极装置(1)，其在发射极侧(22)上的发射极电极(2)和的集电极侧(27)上的集电极电极(25)之间具有按如下顺序的不同导电型的层：第一导电型的源极区(3)，与接触区域(24)中的发射极电极(2)接触的第二导电型的基极层(4)，第一导电型的增强层(8)，具有补偿层厚度tp(92)的第二导电型的浮动补偿层(9)，具有比增强层(8)低的掺杂浓度的第一导电型的漂移层(5)，和第二导电型的集电极层(6)。补偿层(9)设置在增强层(8)和漂移层(5)之间的接触区域(24)的投影中，从而在增强层(8)和漂移层(5)之间保持沟道。增强层(8)具有增强层厚度tn(82)，其在与补偿层厚度(92)相同的平面内测量，且应用如下规则：Nptp＝kNntn，其中Nn和Np分别是增强层和补偿层的掺杂浓度，以及k是在0.67和1.5之间的因子。
功率半导体装置

[发明专利]功率半导体器件-CN201180029814.2有效
发明人： L·施托拉施塔;A·科普塔;M·拉希莫 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供具有晶圆（10）的功率半导体器件，其包括在发射极侧（11）上的发射极电极（2）与集电极侧（15）上的集电极电极（25）之间的下列层：（n-）掺杂漂移层（3），n掺杂第一区（81），其设置在漂移层（3）与集电极电极（25）之间，p掺杂基极层（4），其设置在漂移层（3）与发射极电极（2）之间，该基极层（4）与发射极电极（2）直接电接触，n掺杂源区（6），其设置在发射极侧（11）且嵌入基极层（4）内并且接触发射极电极（2），栅电极（7），其与基极层（4）、源区（6）和漂移层（3）电绝缘。发射极电极（2）在接触区域（22）内接触基极层（4）和源区（6）。有源半导体单元（18）在晶圆（10）内形成，有源半导体单元（18）包括层或这样的层的部分：其位于关于与源区接触的发射极电极的接触区域（22）的发射极侧（11）、所述源区（6）和基极层（4）的该处能够形成导电沟道的这样的部分的正交投影中。器件进一步包括p掺杂阱（5），其设置在与基极层（4）相同的平面中，但在有源单元（18）的外部。阱（5）直接或经由基极层（4）至少其中之一方式电连接到发射极电极（2）。
功率半导体器件

[发明专利]双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法-CN200980157041.9有效
发明人： M·拉希莫;A·科普塔;U·施拉普巴赫 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：提供一种具有半导体衬底(1)的双极穿通半导体器件，其至少包括两层结构，其中一层是第一导电类型的基极层(10)。衬底包括具有第一电接触(2)的第一主侧(11)和具有第二电接触(3)的第二主侧(12)。第一导电类型的缓冲层(4)布置在所述基极层(10)上。交替包括第一导电类型的第一区域(51，51′)和第二导电类型的第二区域(52，52′)的第一层(5)布置在缓冲层(4)与第二电接触(3)之间。第二区域(52，52′)是具有最大2μm的深度和结轮廓的激活区域，其在至多1μm内从最大掺杂浓度的90％降到10％。
双极穿通半导体器件制造这种方法

[发明专利]反向导通半导体装置-CN200980144515.6有效
发明人： A·科普塔;M·拉希莫 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：提供一种反向导通半导体装置(200)，它包括共同晶圆(100)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，晶圆(100)的一部分形成具有基层厚度(102)的基层(101)。绝缘栅双极晶体管包括集电极侧(103)和发射极侧(104)，而集电极侧(103)设置成与晶圆(100)的发射极侧(104)相对。第一导电类型的第一层(1)和第二导电类型的第二层(2)交替设置在集电极侧(103)上。第一层(1)包括具有第一区宽度(11)的至少一个第一区(10)以及具有第一引导区宽度(13)的至少一个第一引导区(12)。第二层(2)包括具有第二区宽度(21)的至少一个第二区(20)以及具有第二引导区宽度(23)的至少一个第二引导区(22)。RC-IGBT按照满足如下几何规则的方式来设计：每个第二区宽度(21)等于或大于基层厚度(102)，而每个第一区宽度(11)小于基层厚度(102)。每个第二引导区宽度(23)大于每个第一引导区宽度(13)。每个第一引导区宽度等于或大于基层厚度(102)的两倍，并且第二引导区(22)的面积之和大于第一引导区(12)的面积之和。
向导半导体装置

1
2
下一页»
尾页
共 22 条