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[发明专利]一种利用中频炉提纯锰铁的方法-CN201910024042.1在审
发明人：于明光;武裕民;沈晓东;韩严法;孙杭;于洋;王红岩 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C22C35/00 文献下载
摘要：去除锰铁合金中有害元素，得到低磷、硫含量的锰铁合金；1)渣料的制备，将粒度5mm～10mm的氧化钙、萤石混合均匀进行预熔处理，中频感应炉内升温至1200℃～1300℃并保温10～30分钟，将熔化后渣料倒出自然冷却；2)将硅钙合金与高碳锰铁或锰硅合金一起加入到中频炉内，硅钙合金加入量为高碳锰铁质量百分含量的10％‑30％，为锰硅合金质量百分含量10％～30％；3)炉内加入步骤1)制成的预熔渣，预熔渣加入量为高碳锰铁或锰硅合金质量百分含量的100％～150％；4)中频炉升温至1300℃～1400℃停止升温，保温10～30分钟后金属液倒出得到纯净锰铁或锰硅合金。
中频炉锰硅合金高碳锰铁锰铁合金锰铁熔化硅钙合金预熔渣提纯倒出渣料保温中频感应炉提纯效果金属液氧化钙低磷炉内去除萤石预熔渣洗制备

[发明专利]一种含硅有机化合物及其应用-CN201811401995.7在审
发明人：杜建委;朱学全;郭力 -专利权人：杉杉新材料（衢州）有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅有机化合物及其应用。本发明的有机硅化合物主要包括有机硅碳酸酯类、有机硅羧酸酯类、醚改性硅烷类；本发明所述含硅有机化合物可以应用于锂离子电池电解液，作为锂离子电池电解液的溶剂，所述锂离子电池电解液中还包含碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯本发明的有机硅化合物电解液溶剂具有更高的氧化分解电位，能够很好的改善锂离子电池的耐高温和耐高压稳定性，并且其较好的浸润性和低粘度，能够很好的提高锂离子电导率，改善电池的倍率性能和安全性，是一类新型二代锂离子电池溶剂
锂离子电池电解液含硅有机化合物有机硅化合物锂离子电池有机硅溶剂应用氟代碳酸乙烯酯电位碳酸亚乙烯酯锂离子电导率丙烷磺内酯电解液溶剂六氟磷酸锂碳酸丙烯酯碳酸二乙酯碳酸甲乙酯碳酸乙烯酯倍率性能基础溶剂碳酸酯类氧化分解羧酸酯类低粘度硅烷类浸润性醚改性耐高温耐高压添加剂电池

[发明专利]一种金刚石剖切片及其制备方法-CN201811093277.8在审
发明人：李珮豪;彭波 -专利权人：天津百恩威新材料科技有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：金刚石剖切片包括：金刚石‑镍沉积层和铝基体，铝基体包括过共晶硅铝合金，过共晶硅铝合金的热膨胀系数为13±1ppm/℃。因过共晶硅铝合金的热膨胀系数与沉积层的镍的热膨胀系数近似或相等，因而提高了沉积层与铝基体之间的附着性，防止了制作和使用期间剖切片受热下因热膨胀系数差异而导致沉积层与铝基体的剥落和开裂，提高了金刚石剖切片的可靠性和寿命金刚石剖切片的制备方法：采用急速冷却工艺制备硅含量为38‑42wt％的铝‑硅合金基体，能制出热膨胀系数为13～14ppm/℃的过共晶硅铝合金，接近于金刚石‑镍沉积层的镍热膨胀系数，大大提高了沉积层与铝基体之间的附着性
金刚石沉积层切片热膨胀系数铝基体过共晶硅铝合金制备附着性热膨胀系数差异工艺制备急速冷却使用期间硅合金受热剥落相等近似制作

[发明专利]一种即时紧致眼霜-CN201811317025.9在审
发明人：尚梦华 -专利权人：广州尚姿化妆品有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： A61K8/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种即时紧致眼霜，包含聚硅氧烷‑11、环聚二甲基硅氧烷、丁二醇、甘油、碳酸二辛酯、三甲基硅氧基硅酸酯、苯基聚三甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、环五聚二甲基硅氧烷、花生醇葡糖苷、甘油硬脂酸酯、PEG
肌肤眼霜聚二甲基硅氧烷苯基聚三甲基硅氧烷环五聚二甲基硅氧烷丙烯酸甘油硬脂酸酯马齿苋提取物三甲基硅氧基烷醇丙烯酸酯氨甲基丙醇交联聚合物碳酸二辛酯透明质酸钠苯氧乙醇根提取物红没药醇鲸蜡硬脂聚硅氧烷新陈代谢眼部肌肤硬脂酸酯羟苯丙酯羟苯甲酯香精维生素E 丁二醇硅酸酯角质层葡糖苷乙酰基甘油泛醇辅酶顺滑四肽细纹柔软皱纹花生再生

[发明专利]一种介孔硅的强流脉冲电子束制备方法及应用-CN201811578754.X在审
发明人：高波;李魁;胡亮;朱广林;胡成龙;王艺璇;付海洋;邢鹏飞 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于材料制备领域，具体涉及一种介孔硅的强流脉冲电子束制备方法及应用。本发明成功地将在电子束处理过程中出现的被视为是缺陷的孔洞及小坑加以利用，使得Al‑20Si‑5Mg合金经过强流脉冲电子束处理之后成为具有多孔结构的介孔硅，最终得到能够有效吸收硅在放电过程中的体积膨胀的硅负极材料将所得到的介孔硅材料与石墨烯进行复合，应用于锂电子负极材料，最终获得了电化学性能及循环性能优良，容量大，安全性高的新型锂离子电池，为锂离子电池的发展做出了贡献。本发明的整个制备工艺流程简单、所制得的介孔硅疏松多孔且具有较好的比表面积，将其应用于锂离子电池负极材料之后，电池容量得到提升，电化学性能及循环性能优良。
介孔强流脉冲电子束制备电化学性能循环性能应用锂离子电池负极材料孔洞材料制备领域电子束处理硅负极材料介孔硅材料新型锂离子锂离子电池电池容量多孔结构放电过程负极材料疏松多孔体积膨胀有效吸收工艺流程石墨烯锂电子小坑合金电池复合成功

[发明专利]一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法-CN201811249602.5在审
发明人：钱林茂;汪红波;余丙军;蒋淑兰;陈磊;江亮 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法，包括以下步骤：S1、对单晶硅样品表面进行清洗以去除表面杂质；S2、通过机械刻划加工设备利用探针在单晶硅样品表面按设定的加工参数进行扫描加工；S3、配置刻蚀溶液，并将盛有刻蚀溶液的容器放置于磁力搅拌器中水浴加热并保持恒温，调制转子转速并保持恒定；S4、将经步骤S2处理后的单晶硅样品冲洗之后，浸入到步骤S3的容器中进行刻蚀，刻蚀时间为10～30min，取出并再次分别对单晶硅样品表面进行清洗即可该方法通过在化学刻蚀中施加外场的方法来保持刻蚀溶液的高速流动，从而及时有效地带走单晶硅表面生成的反应产物，保证单晶硅表面微/纳结构的质量，同时加快了化学刻蚀的效率且不会对纳米结构造成任何损伤。
单晶硅样品刻蚀溶液单晶硅表面化学刻蚀纳米加工无损伤刻蚀清洗诱导摩擦恒定磁力搅拌器表面杂质高速流动机械刻划加工参数加工设备纳米结构容器放置扫描加工有效地带转子转速浸入外场探针去除冲洗调制加热损伤取出施加配置保证

[发明专利]含苯环聚合物裂解转化SiBCN无金属陶瓷吸波材料及制备方法-CN201811195572.4在审
发明人：孔杰;骆春佳;赫丽华;刘平桂;唐玉生 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种含苯环聚合物裂解转化SiBCN无金属陶瓷吸波材料及制备方法，包括含苯环超支化聚硼硅氮烷的合成以及SiBCN陶瓷吸波材料的制备，本发明利用甲基二氯二苯基硅烷、二氯硅烷、三氯化硼以及六甲基二硅杂氮烷合成超支化聚硼硅氮烷，再将超支化聚硼硅氮烷交联后压片成胚体，胚体裂解成陶瓷吸波材料。本发明从陶瓷聚合物前驱体结构设计入手，进行高陶瓷产率聚硼硅氮烷前驱体的合成和交联拓扑体系的构筑，在聚硼硅氮烷前驱体结构中直接引入苯环，使苯环中的sp2杂化碳原子在裂解转化过程中直接原位形成石墨碳、碳纳米管等结构
聚硼硅氮烷吸波材料裂解超支化前驱体苯环制备含苯环聚合物金属陶瓷合成交联胚体陶瓷转化金属陶瓷基复合材料二氯二苯基硅烷陶瓷聚合物二氯硅烷三氯化硼碳纳米管吸波性能原位形成低损耗非晶态六甲基石墨碳碳原子吸波剂产率氮烷拓扑压片构筑引入

[发明专利]一种硅碳负极材料的制备方法-CN201810837167.1在审
发明人：杨占旭;蒋大明;王森林 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅碳负极材料的制备方法。包括以下步骤：（1）将硅粉或纳米硅和去离子水按照摩尔比1：（0.7‑1.7）混合球磨4‑48h；（2）将步骤（1）所得物干燥，然后煅烧1‑4h，得到Si/SiO_X复合产物；（3）取球磨4‑48h；（4）将步骤（3）的混合物进行碳化，然后冷却至室温，继续球磨细化6h；（5）取步骤（4）得到的粉末用HF腐蚀4‑48h，然后在5000‑10000rpm条件下离心3‑30分钟，干燥后即得硅碳负极材料本发明的硅碳负极材料同时具备硅类材料的高储锂特性和碳类材料的高循环稳定性，比容量高，循环稳定性好；有效解决了活性材料因膨胀而导致极片掉粉的情况，提高了锂离子电池的循环性能，在锂离子电池上具有很好的应用前景
硅碳负极材料锂离子电池复合产物球磨制备循环稳定性硅类材料混合球磨活性材料去离子水循环性能有效解决混合物比容量高循环摩尔比纳米硅所得物掉粉硅粉极片碳化细化煅烧冷却腐蚀膨胀应用

[发明专利]一种基于兰炭和镁多联产规模化耦合生产的方法-CN201310731975.7在审
发明人：兰新哲;马红周;周军;杨双平;田宇红 -专利权人：兰新哲;马红周
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C22B26/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于兰炭和镁多联产规模化耦合生产的方法，包括以下步骤：用低变质煤规模化生产兰炭；兰炭替代焦炭生产硅铁，硅铁用于皮江法、硅热法或火法还原氧化镁生产金属镁的还原剂；将兰炭炉尾气直接引入白云石煅烧窑并配以适当体积空气进行燃烧；燃烧放热量能够使白云石煅烧窑的温度达到白云石的分解温度，煅烧出氧化镁；氧化镁与硅铁混合压球装入镁还原炉，将兰炭炉尾气引入硅热法还原镁生产的供热炉系统，加热还原罐在高温下还原生产金属镁；兰炭尾气燃烧后可循环利用余热和可燃有价成分本发明有利于采用硅还原法炼镁的镁冶炼行业的清洁规模化发展，煤炭分级提质清洁利用，兰炭、金属镁的耦合多联产产业链和产业集群协同创新发展。
一种基于联产规模化耦合生产方法

[发明专利]一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法-CN201310574815.6在审
发明人：俞文杰;刘畅;赵清太;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：首先，制备一隧穿场效应晶体管作为转换器；然后采用表面修饰剂对所述隧穿场效应晶体管中的沟道表面进行活化修饰；制备隧穿场效应管的具体步骤包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、埋氧层和底层硅；在所述顶层硅表面形成栅介质层；采用离子注入工艺对所述栅介质层两侧的顶层硅进行离子注入，形成源极和漏极，所述栅介质层下未进行离子注入的顶层硅定义为沟道；在所述底层硅的背面形成背栅。
一种基于场效应晶体管生物传感器及其制备方法

[发明专利]一种乙烯基苯基聚硅氧烷、其制备方法和用途-CN201410070851.3在审
发明人：刘关喜;关怀;王先胜;何丹;龙正宇;周为民 -专利权人：广东恒大新材料科技有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：本发明公开一种乙烯基苯基聚硅氧烷的制备方法，所述方法包括以下步骤：1）将溶剂、二苯基硅二醇、烷氧基化合物和催化剂搅拌并在反应釜加热反应1h～40h后加入封头剂封端；2）上述混合液加热并搅拌；3）静置并过滤；4）将滤液加热后拨去低沸物，即得乙烯基苯基硅氧烷。本发明还公开了采用所述方法制备的乙烯基苯基聚硅氧烷及其在LED封装树脂中的用途。本发明提供的乙烯基苯基聚硅氧烷的制备方法，具有以下优点：其一，提高了树脂储存的稳定性；其二，便于产业化；其三，避免了工业废水的产生，更环保。本发明公开的乙烯基苯基聚硅氧烷，折光率在1.50～1.57，特别适合用作LED封装材料中高分子的补强剂。
一种乙烯基苯基聚硅氧烷制备方法用途

[发明专利]薄膜晶体管制作方法及阵列基板制作方法-CN201510502120.6在审
发明人：万芳丽 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管制作方法，包括：在衬底基板上形成包括多晶硅层的图形；在多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上依次形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘；对栅极上方的光刻胶进行减薄处理；以减薄处理后的光刻胶为掩膜，对所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成有源层，使所述有源层对应光刻胶超出所述栅极边缘的多晶硅区域为轻掺杂区域，未被所述减薄处理后的光刻胶遮挡的多晶硅区域为重掺杂区域；去除剩余的光刻胶。采用本发明的制作方法，减少了多晶硅薄膜晶体管制作的工艺流程。
薄膜晶体管制作方法阵列

[发明专利]一种镍钼铝-二硅化钼复合镀层的制备方法-CN201510643414.0在审
发明人：刘小珍;冯军亮;陈捷 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明一种镍钼铝-二硅化钼复合镀层的制备方法，一个将二硅化钼微粒进行酸洗、水洗、干燥；称取镍盐、钼化合物、铝盐、络合剂、氯化物，混合后用水溶解，调节溶液pH值为7.3～9.7，制成镍盐-钼化合物-铝盐-络合剂-氯化物混合液；将二硅化钼微粒、第一批镍盐-钼化合物-铝盐-络合剂-氯化物混合液与表面活性剂混合，研磨后添加第二批镍盐-钼化合物-铝盐-络合剂-氯化物混合液，搅拌制得电镀液，将待镀的镀件放入电镀液中电镀，阳极为镍，阴极为待电镀镍合金，电镀完毕后，镀件用水冲洗，风干得到镍钼铝-二硅化钼复合镀层。采用能谱仪测定镍钼铝-二硅化钼复合中铝和硅含量分别为2.5～9.2%和1.2～6.5%。
一种镍钼铝二硅化钼复合镀层制备方法

[发明专利]一种三氧化二铝和二硅化钼复合材料及其制备方法-CN201310033707.8在审
发明人：冯培忠;王建栋;郭瑞霞;宋彬彬;牛继南;强颖怀 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：一种三氧化二铝和二硅化钼复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域。三氧化二铝和二硅化钼复合材料为MoSi2/XAl2O3，其中X处于0～30mol%的范围之内。将钼粉、硅粉、铝粉、三氧化钼粉按照14.8～33.3mol％Mo、51.9～66.7mol％Si、0～22.2mol％Al、0～11.1mol％MoO3摩尔比例混合均匀，然后压制成坯体，再将坯体放入反应釜中，在保护性气氛或真空中点燃，发生化学反应合成三氧化二铝和二硅化钼复合材料。通过三氧化二铝复合化提高了二硅化钼材料的力学性能。与已有技术相比，本发明通过一步法合成三氧化二铝原位改性二硅化钼基复合材料，有利于消除增强相分布不均匀现象，并减少界面产物，本发明还具有工艺和设备简单、省时、节能、成本低的优点。
一种氧化二硅化钼复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高品质因数电感制造方法-CN201510551281.4在审
发明人：郑涛;罗乐;徐高卫;刘宇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板正面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；旋涂聚合物形成隔离层，该隔离层覆盖所述深坑结构并高出硅基板正面；在所述隔离层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一层金属图形的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一层金属图形接触以形成电感本发明采用湿法腐蚀工艺先腐蚀出深槽结构，然后旋涂并固化有机介质层，最后在深槽结构上制作电感线圈，从而抑制硅基板损耗，提高电感Q值。
一种品质因数电感制造方法