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[发明专利]一种光伏印刷网版的栅线提取方法及系统-CN202210545211.8在审
发明人：王蕾;夏珉;郭文平;李微;杨克成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏印刷网版的栅线提取方法及系统，包括：利用矩形和六边形的结构元素对图片进行灰度值闭运算，得到粗栅区域1和粗栅区域2；提取竖直型栅线区域。对粗栅区域1进行开运算得到竖直型栅线1；提取波浪型栅线。利用通过阈值分割得到的粗栅区域3和竖直型栅线进行差分运算得到波浪型栅线，并利用骨架抽取对波浪型栅线进行整形；提取图案栅线。利用粗栅区域2对竖直栅线1和波浪栅线2进行差分操作准确的提取图案栅线1。将分块提取的三种栅线进行组合得到网版的栅线。本发明实施例能够精确、快速的提取网版中的竖直型栅线、波浪型栅线和图案型栅线，提升了网版提升效率。
一种印刷提取方法系统

[发明专利]槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202211697847.0在审
发明人：徐航;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中槽型绝缘栅双极型晶体管包括N型硅衬底、第一屏蔽栅、第二屏蔽栅、控制栅、发射极、正面P型阱区、N型载流子存储层和高掺杂的载流子存储层；N型硅衬底上开设有沟槽，正面P型阱区、N型载流子存储层和发射极分别位于沟槽的两侧，高掺杂的载流子存储层在左侧，且发射极位于正面P型阱区的上方，正面P型阱区位于N型载流子存储层的上方；第一屏蔽栅、第二屏蔽栅和控制栅设于沟槽内，且第一屏蔽栅和控制栅并排设置，第二屏蔽栅位于第一屏蔽栅和控制栅的底部；所述第一屏蔽栅和所述第二屏蔽栅与所述发射极电势相等。本发明消除集电极对沟槽栅的影响，降低了栅电荷，改善动态特性。
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构及单晶硅太阳电池-CN201410278075.6有效
发明人：沈辉;姜辰明;李力;王殿磊 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，p型发射极细栅电极位于p型发射极上，n型背面场细栅电极位于n型背面场上，p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接，n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接，每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连，还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池，该电池可减少银浆使用量和背面复合，提高光电转换效率。
一种单晶硅太阳电池表面电极结构

[发明专利]形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法-CN201210500533.7有效
发明人：许高博;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供半导体衬底，包括N型区域和P型区域；在N型区域和P型区域上分别形成牺牲栅堆叠，每个牺牲栅堆叠包括牺牲栅介质和牺牲栅电极，牺牲栅电极位于牺牲栅介质上，所述N型区域中的牺牲栅电极高于P型区域中的栅电极；环绕每一个牺牲栅堆叠形成侧墙；在半导体衬底中位于牺牲栅堆叠两侧处形成源/漏区；去除N型区域中牺牲栅堆叠以在侧墙内形成第一开口；在所述第一开口内形成N型替代栅堆叠；去除所述P型区域中的牺牲栅堆叠以形成第二开口；在第二开口内形成P型替代栅堆叠；以及平坦化至暴露N型替代栅堆叠。
形成半导体器件替代方法以及制造

[发明专利]多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备-CN202010663553.0有效
发明人：翟玉卫;郑世棋;李灏;丁晨;丁立强;韩伟;荆晓冬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
多指栅型晶体管测试方法装置终端设备

[实用新型]一种背接触异质结太阳能电池组件的结构-CN201821499655.8有效
发明人：谢志刚;辛炳奎;张超华;王树林;林朝晖 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触异质结太阳能电池组件的结构，其包括：多个串联连接的子电池片，相邻子电池片的N型主栅线和P型主栅线电连接，其中相邻子电池片之间至少有两片为主电池片从主栅线分割而成，其中所述主电池片包括：N型背接触异质结太阳能电池片；设在太阳能电池片背面的收集电极，以及交叉排布的N型电极和P型电极，所述收集电极包括N型细栅线、N型主栅线、P型细栅线和P型主栅线，所述N型电极和N型细栅线形成电连接，P型电极和P型细栅线形成电连接，或者P型电极和N型细栅线形成电连接，N型电极和P型细栅线形成电连接，其中，N型细栅线和P型细栅线呈指状交叉排布。
细栅线电连接主栅线异质结太阳能电池背接触子电池收集电极太阳能电池片本实用新型交叉排布指状交叉电池片主电池排布分割

[发明专利]一种射频LDMOS的“Γ”型栅结构及其制备方法-CN201610359834.0有效
发明人：刘洪军;赵杨杨;应贤炜;盛国兴;王佃利 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是一种射频LDMOS的晶体管的“Γ”型栅及其制备方法，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，其栅为“Γ”形状，“Γ”型栅的下端为掺杂多晶硅，控制栅的特征长度，“Γ”型栅的表端为多晶硅硅化物，控制栅的电阻大小；通过“Γ”型栅的下端与表端相结合，实现LDMOS最小化的栅特征尺寸与最小化栅阻的相结合。有益效果是:实现了深亚微米栅的形成；消除了深亚微米细线条光刻的套刻偏差；栅多晶硅的表面合金，降低了栅极电阻；“Γ”型栅结构可以重复垒加，进一步大幅降低栅阻大小；“Γ”型结构栅，实现与场板自然隔离，提高场板保护性能；该“Γ”型栅结构有效解决了亚微米细栅线条与栅阻之间的矛盾。
一种射频 ldmos 结构及其制备方法

[发明专利]一种大风沙环境下新型双层风屏障-CN202011323143.8在审
发明人：金阿芳;赵鹏;高卫强;谢繁荣 -专利权人：新疆大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： E01F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大风沙环境下新型双层风屏障，包括固定座，两组固定座的顶部均固定安装有百叶窗型防风栅立柱，百叶窗型防风栅立柱的一侧固定连接有孔栅型防风栅U型立柱，孔栅型防风栅U型立柱与百叶窗型防风栅立柱之间固定安装有孔栅型防风栅，百叶窗型防风栅立柱底部之间固定安装有双轴电机，两组百叶窗型防风栅立柱的内部从上至下依次设置有多个链轮，链轮的一侧设置有百叶窗型防风栅叶片，链轮的表面设置有链条。该一种大风沙环境下新型双层风屏障，通过使用孔栅型防风栅和多个百叶窗型防风栅叶片的配合使用可以能够改变风向和更有效的降低风速阻挡沙粒，提高风屏障的防风沙性能。
一种风沙环境新型双层屏障

[实用新型]一种大风沙环境下新型双层风屏障-CN202022728529.9有效
发明人：金阿芳;赵鹏;高卫强;谢繁荣 -专利权人：新疆大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： E01F7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大风沙环境下新型双层风屏障，包括固定座，两组固定座的顶部均固定安装有百叶窗型防风栅立柱，百叶窗型防风栅立柱的一侧固定连接有孔栅型防风栅U型立柱，孔栅型防风栅U型立柱与百叶窗型防风栅立柱之间固定安装有孔栅型防风栅，百叶窗型防风栅立柱底部之间固定安装有双轴电机，两组百叶窗型防风栅立柱的内部从上至下依次设置有多个链轮，链轮的一侧设置有百叶窗型防风栅叶片，链轮的表面设置有链条。该一种大风沙环境下新型双层风屏障，通过使用孔栅型防风栅和多个百叶窗型防风栅叶片的配合使用可以能够改变风向和更有效的降低风速阻挡沙粒，提高风屏障的防风沙性能。
一种风沙环境新型双层屏障

[发明专利]一种双T型栅及制作方法和应用-CN201810834030.0在审
发明人：何先良;卢青;蔡文必;王文平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种双T型栅及制作方法和应用，双T型栅包括栅足、栅根和栅帽，栅足和栅根形成第一级T型栅，栅根和栅帽形成第二级T型栅，栅帽悬空，栅足穿过介质钝化层生长在衬底上。
栅帽栅足制作栅极寄生电容介质钝化层有效实现栅极电阻栅极制作第一级衬底小线应用悬空穿过生长

[发明专利]一种T型栅HEMT器件及其制作方法-CN201110340571.6无效
发明人：魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种T型栅的HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成楔形栅脚图形；在具有楔形栅脚图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述T型栅的栅脚底部呈楔形，该楔形的楔角位于所述T型栅靠近源极的一侧的栅脚底部。T型栅靠近源极的一侧在物理距离上更靠近沟道电子，增强了T型栅对沟道电子的控制能力，并且削弱了T型靠近漏极一侧的栅脚电场，使得器件的击穿电压升高。
一种型栅 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]IGBT器件-CN202111561080.4在审
发明人：刘伟;林敏之;袁愿林;王睿 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件，n型半导体层内的若干个栅沟槽，位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅，位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离；部分屏蔽栅外接栅极电压并定义为第一屏蔽栅，剩余的屏蔽栅外接发射极电压并定义为第二屏蔽栅，第一屏蔽栅与第二屏蔽栅交替间隔设置；位于n型半导体层内且介于相邻的栅沟槽之间的p型体区，p型体区包括第一p型体区和第二p型体区两部分，第一p型体区位于靠近相邻的第一屏蔽栅的一侧，第二p型体区位于靠近相邻的第二屏蔽栅的一侧，第一p型体区的掺杂浓度小于第二p型体区的掺杂浓度。
igbt 器件

[发明专利]一种IGBT器件-CN201911204531.1有效
发明人：龚轶;刘伟;刘磊;毛振东;王鑫 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种IGBT器件，包括MOSFET单元阵列，每个MOSFET单元包括：位于n型漂移区顶部的p型体区，位于p型体区内的n型发射极区，位于p型体区之上栅介质层、栅极和n型浮栅，栅极位于栅介质层之上且靠近n型发射极区的一侧，n型浮栅位于栅介质层之上且靠近n型漂移区的一侧，栅极通过电容耦合作用于n型浮栅；至少有一个MOSFET单元的n型浮栅通过栅介质层与p型体区隔离，且至少有一个MOSFET单元的n型浮栅通过一个位于该n型浮栅下方的栅介质层中的开口与p型体区接触形成p‑n结二极管。
一种 igbt 器件

[发明专利]一种pFlash结构及其制备方法-CN202210627305.X有效
发明人：沈安星;张有志;黄嘉星 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种pFlash结构及其制备方法，该结构包括N型半导体层及存储单元，存储单元包括位于N型半导体层中的P型源区、P型内部节点区、P型漏区及位于N型半导体层上的控制栅结构及选择栅结构，控制栅结构横跨于P型源区与P型内部节点区之间，选择栅结构横跨于P型内部节点区与P型漏区之间，控制栅结构与选择栅结构均包括自下而上依次层叠的隧穿介质层、P型浮栅层、隔离层及P型逻辑层。本发明采用P型浮栅代替pFlash的N型浮栅，可以把选择晶体管从埋层沟道变为表面沟道，显著减小选择栅晶体管的阈值电压（绝对值），显著改善选择栅晶体管的亚阈值漏电流，显著增加写入操作后的电流，对存储单元收缩和改善耐久性都很有帮助
一种 pflash 结构及其制备方法

[实用新型]一种五栅多晶电池片-CN201720224455.0有效
发明人：许浩 -专利权人：嘉兴奥力弗光伏科技有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种五栅多晶电池片，属于太阳能电池技术领域。本五栅多晶电池片，包括基板，所述的基板上设有若干主栅线和若干副栅线，主栅线与副栅线相互垂直且在交点处相连通，其特征在于，所述的主栅线上连接有焊带，每两根副栅线之间设有防断栅，主栅线与副栅线之间通过渐变栅连接，且渐变栅与主栅线连接一端的宽度大于渐变栅与副栅线连接一端的宽度；所述的基板包括本体，本体包括P型多晶硅片、N型多晶硅片和设置在P型多晶硅片与N型多晶硅片之间的连通区，P型多晶硅片的上侧设有P型多晶硅膜，N型多晶硅片下侧设有N型多晶硅膜，所述的本体表面设有导电膜，所述导电膜外侧设有保护膜。
一种多晶电池

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