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[发明专利]光电神经形态突触器件及其制备方法-CN202310708536.8在审
发明人：李庆轩;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电神经形态突触器件及其制备方法，所述光电神经形态突触器件包括衬底、绝缘层、电荷捕获层、隧穿层、有机半导体层、源极和漏极；绝缘层形成在衬底上；电荷捕获层形成在绝缘层上；隧穿层形成在电荷捕获层上；有机半导体层形成在隧穿层上，有机半导体层作为沟道用于载流子传输；有机半导体层的材料包括2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑B]苯并噻吩；源极和漏极分别形成在有机半导体层上。本发明的光电神经形态突触器件能够在低强度的光下被激发出现各种突触性能，实现视觉适应。本发明同时提供了一种光电神经形态突触器件的制备方法。
光电神经形态突触器件及其制备方法

[发明专利]一种具有阶梯型沟槽结构的分栅碳化硅器件及其制造方法-CN202310724907.1在审
发明人：徐航;杨雅芬;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种具有阶梯型沟槽结构的分栅碳化硅器件及其制造方法。自下而上依次包括漏极、漂移区和P阱区，还包括：深沟槽，其贯穿P阱区，底部位于漂移区；浅沟槽，其贯穿P阱区，位于深沟槽的两侧；P型场限环，其形成在深沟槽底部的外围；P+区与N+区，其彼此相接，形成浅沟槽两侧的P阱区上；栅极，其形成在两侧的浅沟槽中，被氧化层包裹；场限环接触栓，形成在深沟槽的中间区域，两侧形成有氧化层，其顶部与源极相连接，底部与P型场限环相连接；源极，其覆盖器件表面，其中，P型场限环通过场限环接触栓连接到源极，实现与源极等电位，以降低沟槽两侧的栅极氧化层中的电场，使反偏状态下器件耗尽区被限制在沟槽两侧的沟道区域之外。
一种具有阶梯沟槽结构碳化硅器件及其制造方法

[发明专利]具有温度传感功能的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202310747997.6在审
发明人：徐航;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有温度传感功能的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，包括N型硅衬底、在所述N型硅衬底的正面形成的栅极结构和发射极结构，以及在所述N型硅衬底背面形成的集电极结构；其中，所述栅极结构位于所述发射极结构的下方，所述栅极结构包括依次间隔设置的第一假控制栅、控制栅和第二假控制栅；位于所述N型硅衬底上正面的两侧形成有正面P型阱区，所述正面P型阱区分别将所述第一假控制栅和所述第二假控制栅包裹，且所述正面P型阱区的上方注入N+，以形成温度传感区，所述温度传感区用于检测温度。本发明提供的绝缘栅双极型晶体管制备工艺简单，提高了温度检测的准确性、降低了关断损耗。
具有温度传感功能绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种载流子存储沟槽型双极晶体管结构及其制造方法-CN202310320009.X在审
发明人：郭剑斌;徐航;石轶群;杨雅芬;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种载流子存储沟槽型双极晶体管结构及其制造方法。通过在传统CSTBT器件结构的基础上引入深槽发射极，并在N型掺杂的载流子存储层的下方，沟槽结构底部的外围区域形成P型层，有效解决了传统CSTBT的击穿电压过小、导通功耗大、关断损耗过高等问题。
一种载流子存储沟槽双极晶体管结构及其制造方法

[发明专利]一种人工突触器件及其制备方法-CN202310335624.8在审
发明人：李庆轩;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种人工突触器件及其制备方法，包括衬底；设于所述衬底上的铁电聚合物层；设于所述铁电聚合物层上的顶部电极。本发明基于聚偏氟乙烯共聚物的所述人工突触器件具有良好的突触功能，实现了超低功耗。制备方法简单，避免采用高温化学方法来制备具有的柔性衬底的人工突触器件，使得所述人工突触器件在物理形态上与生物系统更加兼容，同时避免了柔性衬底在高温条件下容易变形的问题。并且基于柔性衬底的人工突触器件即使在多次弯曲循环后，器件的铁电性能仍保持稳定。
一种人工突触器件及其制备方法

[发明专利]柔性有机场效应晶体管结构及其制备方法-CN202310313671.2在审
发明人：李庆轩;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性有机场效应晶体管结构，包括柔性衬底；覆盖所述柔性衬底的阻挡层；覆盖所述阻挡层的电荷存储层；覆盖所述电荷存储层的隧穿电介质层；覆盖所述隧穿电介质层的有机半导体沟道层；设于所述有机半导体沟道层两端上的源极和漏极；其中，所述有机半导体沟道层材料包括2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩。本发明解决了由于传统浮栅闪存的复杂工艺流程和高处理温度，使其难以在柔性衬底上制备的问题。
柔性有机场效应晶体管结构及其制备方法

[发明专利]一种外墙高耐候硅丙乳液及其生产工艺-CN202111447667.2在审
发明人： 杨雅芬;周丽萍 -专利权人：江苏恒兆新材料科技有限公司;周丽萍
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C08F285/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种外墙高耐候硅丙乳液及其生产工艺，生产步骤包括如下：先通过聚合生产种子乳液，再聚合壳乳液，最后进行核‑壳聚合，最终获得成品乳液。本发明通过在核—壳聚合作用，把耐候单体和功能单体聚合，大大提高了乳液的耐候性，使得用该乳液生产的外墙涂料的特别是耐人工气候老化性明显优越。
一种外墙高耐候硅丙乳液及其生产工艺

[发明专利]一种铁电隧道结器件及制备方法-CN202211411896.3在审
发明人：刘逸伦;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电隧道结器件及制备方法，铁电隧道结器件自下而上包括：衬底；第一电极层；铁电层；第二电极层；所述铁电层中设有将所述铁电层上下隔断以控制所述铁电层晶粒尺寸的第一金属氧化物层，所述铁电层具有第一带隙，所述第一金属氧化物层具有与所述第一带隙不同的第二带隙，以在所述铁电层上形成具有对称冠状能带的第一叠层结构。本发明的方法简单，可以实现膜层的大面积生长，且制备出的FTJ器件具有更大的隧穿电阻比，更小的功耗以及较好的耐受性，从而具有更优秀的可靠性，提高了器件性能。
一种隧道器件制备方法

[发明专利]一种实现阈值电压调节的薄膜晶体管及制备方法-CN202211412472.9在审
发明人：顾正豪;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现阈值电压调节的薄膜晶体管及制备方法，制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成二维材料薄膜层；对所述二维材料薄膜层进行第一种掺杂类型的掺杂；在所述衬底上形成由掺杂后的所述二维材料薄膜层形成的沟道区，以形成薄膜晶体管；其中，在对所述二维材料薄膜层进行掺杂时，通过控制掺杂量，实现对形成后的薄膜晶体管的阈值电压的前置调节。本发明制备工艺简单稳定，有利于针对多种大面积二维材料薄膜层的掺杂，且与CMOS工艺兼容，有利于大规模量产。
一种实现阈值电压调节薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种用于外墙麻彩石涂料生产工艺-CN202111456313.4在审
发明人： 杨雅芬;周丽萍 -专利权人：江苏恒兆新材料科技有限公司;周丽萍
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09D201/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于外墙麻彩石涂料生产工艺，生产步骤包括如下：S1，混料：首先需要将单色彩砂、水和合成树脂进行初步混合，依次将单色彩砂颗粒、水和合成树脂倒入在混料机的内部，并启动混料机来对三种原料进行混合；S2，高速分散：将混合后的原料置入在高速分散机的内部，并依次加入溶剂和助剂，同时按照顺序低速加入，然后添加完毕后提高转速，从而使得物料和溶剂、助剂充分的混合在一起；S3，调稀：然后根据实际情况来加入相应的稀料，从而调整涂料的稀释程度；本发明通过在麻彩石涂料的生产过程中增加了额外的检测色差工序，这样在对麻彩石涂料进行生产时就可以提高涂料中的含麻彩石颗粒质量，从而增加了涂料整体的细腻程度。
一种用于外墙麻彩石涂料生产工艺

[发明专利]一种疏水改性羟乙基纤维素-CN202111446369.1在审
发明人： 杨雅芬;周丽萍 -专利权人：江苏恒兆新材料科技有限公司;周丽萍
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C08B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种疏水改性羟乙基纤维素生产工艺，生产步骤包括如下：先进行碱化，然后醚化，进行改性，中和。通过此方法生产的疏水改性纤维素，既有疏水单体带来的特性形成三维网络结构，也具有水溶性，能够很好的分散在水中。
一种疏水改性羟乙基纤维素

[发明专利]一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法-CN202211628020.4在审
发明人：徐航;杨雅芬;朱颢;张卫 -专利权人：复旦大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法。该基于SOI结构的雪崩光电二极管器件包括：SOI衬底，其包括背衬底、埋氧化层和顶层硅；在顶层硅中形成有P‑区，在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在顶层硅的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖除源极和漏极外的顶层硅表面。通过在N+区附近增加了浅p阱区，消除了由曲率效应引起的边缘击穿现象，同时保证了侧向PN+结发生雪崩倍增，实现了吸收区和倍增区分离。
一种基于 soi 结构雪崩光电二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种雪崩光电二极管器件及其制备方法-CN202211627567.2在审
发明人：徐航;杨雅芬;朱颢;张卫 -专利权人：复旦大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管器件及其制备方法。该雪崩光电二极管器件包括：硅衬底；在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，在其上方形成有P‑区；在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在硅衬底的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖源极和漏极外的硅衬底表面。与CMOS工艺兼容，可检测低强度光，适用于ToF测距传感器。
一种雪崩光电二极管器件及其制备方法

[发明专利]阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202211696607.9在审
发明人：徐航;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括在N型硅衬底上形成N型载流子存储层；在N型载流子存储层上方形成正面P型阱区；刻蚀第一沟槽，通过As离子注入形成高掺杂的存储层；在第一沟槽内沉积氧化物；刻蚀第二沟槽，并在第二沟槽内形成屏蔽栅氧化层；刻蚀第三沟槽，并在第三沟槽内形成控制栅；在N型硅衬底的正面且位于P型阱区的上方形成进行掺杂形成接触区，并在接触区上形成发射极；在N型硅衬底背面通过N型离子注入形成背面N阱区，然后通过P型离子注入形成背面P阱区，其中背面P阱区位于底部，背面N阱区位于背面P阱区上方。本发明提高了形成高掺杂的存储层的效率，可显著降低了该器件的导通损耗。
阶梯绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202211697847.0在审
发明人：徐航;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中槽型绝缘栅双极型晶体管包括N型硅衬底、第一屏蔽栅、第二屏蔽栅、控制栅、发射极、正面P型阱区、N型载流子存储层和高掺杂的载流子存储层；N型硅衬底上开设有沟槽，正面P型阱区、N型载流子存储层和发射极分别位于沟槽的两侧，高掺杂的载流子存储层在左侧，且发射极位于正面P型阱区的上方，正面P型阱区位于N型载流子存储层的上方；第一屏蔽栅、第二屏蔽栅和控制栅设于沟槽内，且第一屏蔽栅和控制栅并排设置，第二屏蔽栅位于第一屏蔽栅和控制栅的底部；所述第一屏蔽栅和所述第二屏蔽栅与所述发射极电势相等。本发明消除集电极对沟槽栅的影响，降低了栅电荷，改善动态特性。
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

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