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[发明专利]目标图形修正、掩膜版制作及半导体结构形成的方法-CN202010020264.9在审
发明人：王占雨;舒强;覃柳莎;张迎春 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种目标图形的修正方法、掩膜版的制作方法以及半导体结构的形成方法，其中目标图形的修正方法包括：提供目标图形，且所述目标图形沿第一方向延伸；将所述目标图形划分为一个第一中心区以及分别位于所述第一中心区两侧的两个第一边缘区；将各所述第一边缘区的目标图形的边缘分割为若干待补偿边；获取刻蚀偏移模型；根据刻蚀偏移模型对每个待补偿边分别进行第一补偿修正，得到第一补偿边。所述方法有利于提高蚀刻后得到的图形尺寸的均一性。
目标图形修正掩膜版制作半导体结构形成方法

[发明专利]一种薄膜电子器件的生产控制方法、装置及系统-CN201510400561.5有效
发明人：孙轶群 -专利权人：深圳市盛德金科技有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜电子器件的生产控制方法、装置及系统，其中，所示方法包括：利用第一掩模版完成第一刻蚀并获得第一电路图形后，检测所述第一电路图形的实际性能参数；计算所述实际性能参数与所述薄膜电子器件的目标性能参数之差；根据计算结果，确定所述第一电路图形的修正方案和第二掩模版；根据所述修正方案，利用第二掩模版完成第二刻蚀，获得修正后的第二电路图形。
电路图形薄膜电子器件掩模版装置及系统生产控制性能参数修正刻蚀目标性能参数检测

[发明专利]一种MRC冲突协同优化算法-CN201811458473.0有效
发明人：齐雪蕊;陈翰;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种MRC冲突协同优化算法，包括：获取OPC修正方法的目标图形，若所述目标图形为特征图形，执行MRC冲突协同优化算法，执行所述OPC修正方法；否则，直接执行OPC修正方法。本发明所提供的MRC冲突协同优化算法，可以使得特征图形的模拟值达到目标值，极大改善缩头现象；更进一步，如果此处的上下层的特征位置包括特征通孔，也可以改善此处对上下层通孔的覆盖率，降低工艺风险。
一种 mrc 冲突协同优化算法

[发明专利]OPC修正方法-CN202210761859.9在审
发明人：汪悦;张月雨;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种OPC修正方法，包括：提供包含被切割层和切割层的版图，被切割层由若干个长线条图形和若干个短线条图形组成；对短线条图形的两端均沿着短线条的径向延伸，使得短线条与延伸部的长度之和与长线条的长度相等或者接近于长线条图形的长度；判断在延伸方向任意相邻的两个延伸部的距离是否小于设定值；如果是，则使用连接线将该相邻的两个延伸部连接，在切割层添加延伸部及连接线的切割图形，对添加后的切割层图形以及短线条处理后的被切割层图形均进行OPC修正；如果不是，在切割层添加延伸部的切割图形，对添加后的切割层图形以及短线条处理后的被切割层图形均进行OPC修正。从而减少了收集版图图形数据的时间和工作量。
opc 修正方法

[发明专利]改善工艺窗口的光学临近修正方法-CN201410042455.X有效
发明人：何大权;王伟斌;顾婷婷;魏芳;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种改善工艺窗口的光学临近修正方法，包括：第一步骤，输入目标图形，对目标图形边进行切割；第二步骤，模拟目标图形，计算第一参数、第二参数和第三参数的初始值；第三步骤，设定参数；第四步骤，根据第一参数的当前值进行修正，得到修正后的图形，并且重新计算以得到更新的第一参数值、更新的第二参数值、以及更新的第三参数值，并且根据计算出修正后的综合误差；第五步骤，判断修正后的综合误差是否不大于最大容许误差，而且判断第四步骤被执行的次数是否等于或者大于最大修正次数；在第五步骤的判断结果是修正后的综合误差大于最大容许误差、且第四步骤被执行的次数小于最大修正次数时，重新执行第四步骤和第五步骤。
改善工艺窗口光学临近修正方法

[发明专利]制作光掩模版及图形化的方法-CN200710094459.2有效
发明人：刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种制作光掩模版的方法，包括：测量光掩模版的厚度；将厚度代入高斯函数进行计算，得到厚度系数；用厚度系数补偿光掩模版效应后，进行光学近距修正；将修正后的布局图形转移至光掩模版上，形成掩模版图形。本发明还提供图形化方法。本发明使晶圆上的图形临界尺寸与相应的布局图形临界尺寸的差距得到改善，进而提高半导体器件的质量。
制作模版图形方法

[发明专利]基于光刻工艺窗口的OPC修正方法-CN201110415310.6有效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光刻工艺窗口的OPC修正方法，该方法对光刻版图中的不同图形，在计算图形的边缘位置误差时，依据图形测量点的光罩误差加强因子、光强最大值、光强最小值和斜率，使用不同的光刻模型权重。该方法通过判定版图中的图形特点及图形周围环境，对图形设定可变的权重，避免了在光刻工艺窗口的边缘时，因光刻图形的变化而引起的OPC修正误差。
基于光刻工艺窗口 opc 修正方法

[发明专利]光学邻近修正的方法-CN200910085446.8有效
发明人：张飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学邻近修正的方法，该方法包括：提供包括主图案图形的晶片；在所述主图案图形的空隙处插入散射条SBAR；交替修正主图案图形和SBAR，达到目标图案。
光学邻近修正方法

[发明专利]制造曝光掩模的方法-CN96107263.6无效
发明人：裵相满 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-03-22 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种制造曝光掩模的方法，包括下列步骤，利用按照设计规则制成的具有光掩蔽膜图形的初始曝光掩模，在基片上形成图形，把利用工艺缺陷检测装置测量基片上图形的尺寸所获得的数据，传送到数据比较装置，比较该数据和光掩蔽膜图形的大小，由此检测出与光掩蔽膜图形临界尺寸有差别的那部分基片上的图形，利用补偿方程确定部分光掩蔽膜图形的修正值，该部分与基片上图形的检测部分相对应，根据修正值形成二次曝光掩模。
制造曝光方法

[发明专利]影像处理方法与影像处理装置-CN201310176483.6无效
发明人：何镇在;陈鼎匀;朱启诚 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H04N13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种影像处理方法，包含：接收定义目标视差范围的视差范围设定；接收立体影像数据及辅助图形数据，其分别具有不完全落在目标视差范围内和完全落在目标视差范围外的原始视差；以及依据视差范围设定来修正立体影像数据的至少一部份，以产生包含至少一修正过的部分的修正过的立体影像数据，其所具有的修正过的视差完全落在目标视差范围内，其中至少该修正过的部分是产生自立体影像数据的至少该部份，且至少该部份所具有的视差与所接收的辅助图形数据的视差部分重叠通过视差修正，可使立体影像数据的显示免于被辅助图形数据的显示所阻隔。本发明另提供一种影像处理装置。
影像处理方法装置

[发明专利]掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质-CN202310391524.7有效
发明人：李树平 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本公开是关于一种掩膜版数据生成方法、装置、设备及介质，掩膜版数据生成方法包括：基于半导体结构的初始图形数据，确定辅助图形数据；将初始图形数据和辅助图形数据合并，得到合并数据；对合并数据进行数据提取，确定出与半导体结构的各层别对应的初始层别图形数据；对第一层别图形数据进行光学邻近效应修正，得到第一修正图形数据；基于第一修正图形数据，确定各层别对应的目标层别图形数据。该方法提取出的至少部分层别的初始层别图形数据中带有辅助图形数据，避免了在分离各层别的图形数据后再分别生成对应的辅助图形数据所导致的工作量的增加和检查步骤的增设，降低了运算错误率，减少了运算量和工作流程，
掩膜版数据生成方法装置设备介质

[发明专利]二维设计图形曝光后形变效应补偿方法-CN200910109778.5有效
发明人：黄旭鑫;王瑾恒 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维设计图形曝光后形变效应补偿方法，建立二维设计图形，设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差；在设计图形上先取一个点作为第一采样点，然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割；用光学接近修正术去做修正和仿真，得出这些点的边缘放置误差；建立标准光学接近修正模型，选取所采点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的点作为补偿边缘放置误差的计算点。本发明省去了设计规划检查程式的修复，大大减少了时间消耗，缩短了修正周期，降低了工作量，而且提高了准确性。
二维设计图形曝光形变效应补偿方法

[发明专利]晶圆曝光方法和系统-CN202310185221.X在审
发明人：郁发新;张立星;莫炯炯;开翠红 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：晶圆曝光方法包括如下步骤：在晶圆表面划分多个曝光单元，包括位于晶圆内部区域的完整曝光单元以及位于晶圆边缘区域的不完整曝光单元；获取待曝光光刻层的焦距能量矩阵表；获取经初始曝光条件曝光后的各完整曝光单元的图形形貌和线宽；根据焦距能量矩阵表修正各完整曝光单元的曝光条件，使其图形形貌和线宽符合规格；根据不完整曝光单元邻近的完整曝光单元修正后的曝光条件修正不完整曝光单元的曝光条件。本申请通过根据完整曝光单元的图形形貌和线宽对其曝光条件进行修正，并通过不完整曝光单元邻近的完整曝光单元的曝光条件修正不完整曝光单元曝光条件，可极大改善晶圆面内图形形貌和线宽均匀性。
曝光方法系统

[发明专利]编码装置、解码装置、编码方法及解码方法-CN201780071894.5有效
发明人：林宗顺;孙海威;S·P·沙石德卡;张汉文;廖如伶;西孝启;远间正真 -专利权人：松下电器(美国)知识产权公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04N19/119 文献下载
摘要：将图像的块编码的编码装置具备处理器和连接在处理器上的存储器；处理器使用存储器执行如下处理：将块分割信息初始化(S5001)；如果使用初始化的块分割信息，则将块分割为第1几何图形集的多个子块，将参数向比特流写入(S5002)；使用被写入的参数，将初始化的块分割信息修正为修正块分割信息(S5003)；如果使用修正块分割信息，则将块分割为与第1几何图形集不同的几何图形集的多个子块，使用修正块分割信息，将多个子块的几何图形修正
编码装置解码方法

[发明专利]光学临近效应修正方法及系统和掩膜版-CN202011409455.0在审
发明人：孙鹏飞;王谨恒;陈洁;朱斌;张剑;曹楠 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：根据当前层的前一层的图形对光刻的原始设计图形中当前层的区域进行分类以获得区域所属的类别，区域所属的类别包括原始设计图形中当前层中与前一层上下重叠的重叠区域和不重叠的非重叠区域；对各个类别的区域设定优先级，其中，重叠区域的优先级高于非重叠区域的优先级；在原始设计图形的边缘设置多个目标点，所述重叠区域的边缘设置的目标点的密度大于所述非重叠区域设置的目标点的密度；根据OPC模型获得原始设计图形的修正图形，并对其进行模拟以获得图形模拟结果；计算各个目标点处图形模拟结果和原始设计图形之间的差异；根据差异以及目标点的权重，对修正图形进行调整。
光学临近效应修正方法系统掩膜版