|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2627529个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体装置-CN201510013137.5在审
-
矶部康裕;杉山直治
-
株式会社东芝
-
2015-01-12
-
2016-02-03
-
H01L33/32
- 根据本发明的一种实施方式，半导体装置具有第一氮化物半导体层、本征氮化物半导体层、以及具有Al的第二氮化物半导体层。所述本征氮化物半导体层设置于所述第一氮化物半导体层的第一侧。所述第二氮化物半导体层设置于所述本征氮化物半导体层的与所述第一氮化物半导体层相对的一侧。所述第一氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层、所述本征氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层层叠的方向上具有第一浓度和低于所述第一浓度的第二浓度重复出现的碳分布。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202011637579.4在审
-
郝荣晖;黄敬源
-
英诺赛科（苏州）半导体有限公司
-
2020-04-30
-
2021-05-07
-
H01L29/778
- 一种半导体器件，其包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极、漏极、栅极、通孔、多个第一p型掺杂氮化物半导体岛以及第二p型掺杂氮化物半导体岛。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上。源极、漏极和栅极设置于第二氮化物半导体层上。通孔自漏极向上延伸。第一p型掺杂氮化物半导体岛设置于第二氮化物半导体层上，并位于栅极和漏极之间，第一p型掺杂氮化物半导体岛各自具有侧表面，其远离栅极，并至与漏极形成界面。漏极自第二氮化物半导体层向上延伸至高过第一p型掺杂氮化物半导体岛，且高过第一p型掺杂氮化物半导体岛的漏极沿着远离通孔的方向延伸。第二p型掺杂氮化物半导体岛设置于第二氮化物半导体层上。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN202011634014.0在审
-
郝荣晖;黄敬源
-
英诺赛科（苏州）半导体有限公司
-
2020-04-30
-
2021-05-11
-
H01L29/778
- 一种半导体器件，其包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极、漏极、栅极、多个第一p型掺杂氮化物半导体岛、第二p型掺杂氮化物半导体岛以及介电层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。源极、漏极和栅极设置于第二氮化物半导体层上。第一p型掺杂氮化物半导体岛设置于第二氮化物半导体层上，以形成从第二氮化物半导体层突出的轮廓，其中部分的漏极覆盖在第一p型掺杂氮化物半导体岛之上，使得漏极的所述部分与第一p型掺杂氮化物半导体岛的轮廓共形。第二p型掺杂氮化物半导体岛设置于第二氮化物半导体层与栅极之间。介电层至少覆盖在栅极上。
- 半导体器件
- [发明专利]氮化物半导体装置-CN202310187023.7在审
-
森朋彦;庄司智幸;中田尚幸
-
丰田合成株式会社
-
2023-02-21
-
2023-08-25
-
H01L29/06
- 提供具备电场强度的峰值低且抑制了漏电电流的极化超结部的氮化物半导体装置。一种氮化物半导体装置，具备设置于栅电极与漏电极之间的极化超结部，极化超结部具有：第1氮化物半导体层；第2氮化物半导体层，其设置在第1氮化物半导体层上，并具有比第1氮化物半导体层的带隙宽的带隙；第3氮化物半导体层，其设置在第2氮化物半导体层的上表面的局部，并具有比第2氮化物半导体层的带隙窄的带隙；和第4氮化物半导体层，其设置在第2氮化物半导体层的上表面的局部，离开第3氮化物半导体层而配置得比第3氮化物半导体层靠漏电极侧，并具有比第2氮化物半导体层的带隙窄的带隙，第4氮化物半导体层电位浮动。
- 氮化物半导体装置
|
