专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氮化物半导体装置-CN201180048171.6无效
  • 好田慎一;石田昌宏;山田康博 - 松下电器产业株式会社
  • 2011-07-19 - 2013-06-12 - H01L21/338
  • 本发明提供一种氮化物半导体装置,其具有依次形成于基板(1)之上的第1氮化物半导体层(3)、第2氮化物半导体层(4)、第3氮化物半导体层(5)及第4氮化物半导体层(6)。在第3氮化物半导体层(5)中的与第4氮化物半导体层(6)的界面附近形成蓄积有载流子的沟道。第2氮化物半导体层(4)的带隙比第3氮化物半导体层(5)的带隙大。第1氮化物半导体层(3),其带隙与第2氮化物半导体层(4)的带隙相同或比其大,且被导入比第2氮化物半导体层(4)更高浓度的碳。
  • 氮化物半导体装置
  • [发明专利]氮化物半导体元件-CN201110042078.6无效
  • 清水顺;好田慎一;山田康博;胁田尚英;石田昌宏 - 松下电器产业株式会社
  • 2011-02-17 - 2011-10-12 - H01L29/812
  • 本发明提供一种氮化物半导体元件,可提高在Si基板上形成的氮化物半导体元件的生产性和工作特性。氮化半导体元件具备:在硅基板(101)上隔着初始层(102)形成变形抑制层(110)、在变形抑制层上形成的工作层(120)。变形抑制层(110)具有:第1分隔层(111)、在第1分隔层上相接形成的第2分隔层(112)、在第2分隔层上相接形成的超晶格层(113)。第1分隔层的晶格常数比第2分隔层大。超晶格层中交替层叠了第1层(113A)以及晶格常数比第1层小的第2层(113B)。超晶格层的平均晶格常数比第1分隔层的晶格常数小,并且比第2分隔层的晶格常数大。
  • 氮化物半导体元件
  • [发明专利]金属线切断加工机用水溶性切削液-CN200710102197.X有效
  • 山田康博 - 三洋化成工业株式会社
  • 2007-04-29 - 2008-10-29 - C10M107/32
  • 一种金属线切断加工机用水溶性切削液,含有:选自由聚乙二醇、一烷氧基聚乙二醇及二烷氧基聚乙二醇构成的组中的1种以上的聚醚(A)、及通式(1)表示的成分(B),且满足(i)聚醚(A)具有120~600的数均分子量(ii)聚醚(A)具有1.0~1.5的重均分子量/数均分子量(Mw/Mn)(iii)水溶性切削液中的碱金属原子的含量为50ppm以下。式中R1表示碳数1~18的烷基、碳数5~18的环烷基、碳数2~18的烯基、碳数5~18的环烯基、碳数2~24的酰基或碳数2~8的羟烷基;A表示碳数2~4的亚烃基;m及n表示(AO)的平均摩尔数,分别是0~20的数,m和n可以相同,也可以不同。其中,在R1为碳数2~24的酰基时,m及n的至少一个不为0。
  • 金属线切断加工水溶性切削
  • [发明专利]碱性洗净剂-CN200510066174.9无效
  • 山田康博;川口幸治 - 三洋化成工业株式会社
  • 2005-04-21 - 2005-11-09 - C11D3/26
  • 本发明提出一种碱性洗净剂,由碱性成分(A)、多价醇类(B)及醇类(C)所组成。其中,多价醇类(B)为不含氮原子且平均分子量在92~400的三~八价的醇类。醇类(C)为选自不含氮原子且平均分子量在62~250的二价醇类(C1)及不含氮原子且平均分子量在32~500的一价醇类(C2)所组成的族群中至少一醇类。
  • 碱性洗净

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