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[发明专利]存储器装置-CN202310129887.3在审
发明人：片山明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：一种存储器装置包括：第一导体；第一堆叠体，其位于第一导体上；第二导体，其位于第一堆叠体上；第二堆叠体，其位于第二导体上；以及第三导体，其位于第二堆叠体上。第一堆叠体包括从第一导体的一侧依次堆叠的第一铁磁层、第一绝缘层、第二铁磁层、非磁性第一金属层和第三铁磁层。第二铁磁层和第三铁磁层具有相反方向的磁化。第二堆叠体包括从第二导体的一侧依次堆叠的第四铁磁层、第二绝缘层、第五铁磁层，非磁性第二金属层和第六铁磁层。第五铁磁层和第六铁磁层具有相反方向的磁化。第六铁磁层具有比第三铁磁层大的体积。
存储器装置

[发明专利]具有叠层软磁衬层的垂直磁记录介质-CN200510092408.7无效
发明人：林志庆;金庸洙;李丙圭;吴薰翔;李兑孝 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。
具有叠层软磁衬层垂直记录介质

[发明专利]具有可靠的单轴各向异性的铁磁叠层材料-CN02158832.5无效
发明人：野间贤二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁电阻膜包括受钉扎铁磁层；自由铁磁层；置于受钉扎和自由铁磁层之间的中间层；以及接触受钉扎铁磁层的钉扎层。自由铁磁材料层由铁磁叠层材料制成，包括钴镍铁合金层以及设置在钴镍铁合金层上的钴铁合金层。现已证明钴镍铁合金层用于在钴铁合金层中可靠建立单轴磁各向异性。此外，即使钴镍铁合金层以及钴铁合金层的厚度减小，单轴磁各向异性仍能可靠地保持在铁磁叠层材料中。
具有可靠各向异性铁磁叠层材料

[发明专利]磁敏电阻器件、具有这种器件的读写头以及驱动器-CN02120075.0无效
发明人：清水丰;大岛弘敬;长坂惠一;濑山喜彦;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-05-22 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
电阻器件具有这种读写以及驱动器

[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统-CN202211103715.0在审
发明人：黎姗;方语萱;夏志良;杨涛;刘磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：半导体结构包括第一堆叠结构、存储结构和相变层。第一堆叠结构包括多个第一介质层和多个字线层。存储结构包括铁磁自由层、隧穿层、铁磁钉扎层和导电层；铁磁自由层位于隧穿层和第一堆叠结构之间，隧穿层位于铁磁自由层和铁磁钉扎层之间，铁磁钉扎层位于隧穿层和导电层之间，导电层位于铁磁钉扎层远离隧穿层的一侧，且导电层与位线耦接。相变层至少部分位于字线层和铁磁自由层之间。半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法三维存储器存储系统

[发明专利]具有增强磁阻比的磁换能器-CN201210478642.3有效
发明人： M·W·科温顿;Q·何;丁元俊;V·A·瓦斯科 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明的各实施例一般涉及磁响应叠层，其通过在第一和第二铁磁自由层之间设置间隔层来构造。至少一个铁磁自由层具有耦合子层，该耦合子层增强该磁响应叠层的磁阻比(MR)。
具有增强磁阻磁换能器

[发明专利]用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法-CN201210100208.1有效
发明人：陈志明;高雅真;刘明德;喻中一;蔡正原;林春荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明为用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法，提供了用于MRAM器件的MTJ叠层。MTJ叠层包括：固定铁磁层，位于牵制层上方；隧穿阻挡层，位于固定铁磁层上方；自由铁磁层，位于隧穿阻挡层上方；导电氧化物层，位于自由铁磁层上方；以及基于氧的保护层，位于导电氧化物层上方。本发明还提供了一种用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法。
用于有氧吸收保护层 mram 器件结构方法

[发明专利]传感器叠层结构-CN201510203637.5有效
发明人： E·W·辛格尔顿;谭利文;李宰荣;K·尼古拉维;Z·葛 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本申请公开了传感器叠层结构。诸如磁存储设备的读取器叠层，该叠层包括顶部合成反铁磁(SAF)层、毗邻于顶部SAF层的磁覆盖层、毗邻于磁覆盖层并与顶部SAF层相对的RKKY耦合层以及毗邻于RKKY耦合层并与磁覆盖层相对的自由层。还包括一种方法，该方法通过使用位于自由层和顶部合成反铁磁(SAF)层之间的具有RKKY耦合特性的层和在SAF层和具有RKKY耦合特性的层之间的磁覆盖层提供自由层和顶SAF层之间的交换耦合，而使读取器叠层内的自由层偏置
传感器结构

[发明专利]一种适用于无线充电接受端的磁性材料-CN201810395284.7在审
发明人：钟列平;刘硕 -专利权人：苏州威斯东山电子技术有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01F27/245 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于无线充电接受端的磁性材料，由一个软磁材料叠层结构和一个电磁吸波材料叠层结构叠加而成；所述软磁材料叠层结构由若干层铁基合金软磁材料叠加而成，所述电磁吸波材料叠层结构由若干层电磁吸波材料叠加而成；所述软磁材料叠层结构与所述电磁吸波材料叠层结构之间以及所述铁基合金软磁材料与所述铁基合金软磁材料之间均粘接有一层薄的透明双面压敏胶。相较于传统的用于无线充电接受端用的磁性材料，本发明具有高磁饱和强度，高热稳定性，高磁导率和低磁损，可调控频率响应和充电效率高等性能优点。
叠层结构软磁材料无线充电电磁吸波材料磁性材料铁基合金叠加消费类电子器件高热稳定性双面压敏胶消费类电子充电效率高磁导率频率响应拓展应用性能优点传统的接受端可调控低磁高磁粘接饱和透明

[发明专利]自旋阀磁致电阻传感器以及使用此传感器的磁记录系统-CN96110311.6无效
发明人：小Ｒ·Ｅ·冯塔纳;Ｂ·Ａ·古尔尼;Ｔ·林;Ｖ·Ｓ·施佩里奥苏;Ｃ·Ｈ·曾;Ｄ·Ｒ·韦尔霍特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1996-06-08 - 公布日： 2001-12-19 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：自旋阀磁致电阻（ＳＶＭＲ）传感器用与改进的反铁磁性（ＡＦ）交换偏磁层组合的叠层反平行（ＡＰ）钉扎层，其中包括由非磁性耦合膜隔开的两层铁磁膜，其磁化以反平行取向反铁磁地强耦合起来。在旋转ＳＶＭＲ传感器的自由层所需的弱场内此叠层ＡＰ钉扎层是磁刚性的，其中两铁磁层磁矩接近相同时，钉扎层净磁矩较小。交换场较大，因其反比于净磁矩。叠层ＡＰ钉扎层的磁化被ＡＦ材料固定或钉扎，后者耐蚀性强但交换各向异性过小而不能用于传统ＳＶＭＲ传感器。
自旋致电传感器以及使用记录系统

[发明专利]具有减小的屏蔽层到屏蔽层间隔的磁性元件-CN201210124673.9有效
发明人： V·B·萨波日尼科夫;E·W·辛格尔顿;M·W·科温顿 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11B5/245 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有减小的屏蔽层到屏蔽层间隔的磁性元件。磁性元件包括具有通过间隔层与合成反铁磁(SAF)层分开且通过空气轴承表面(ABS)与存储在相邻介质中的感测数据位分开的铁磁自由层的磁响应叠片。该叠片耦合到离ABS有一预定偏距的至少一个反铁磁(AFM)调整片。
具有减小屏蔽间隔磁性元件

[发明专利]磁隧道结及包括它的存储器件-CN200410056683.9有效
发明人：河永寄;李将银;吴世忠;裵晙洙;金炫助;白寅圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-08-12 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。
隧道包括存储器件

[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统-CN202211137926.6在审
发明人：黎姗;方语萱;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：半导体结构包括第一堆叠结构、存储结构和导电层。第一堆叠结构包括第一介质层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一沟道层、栅线层和板线层；第一沟道层贯穿栅线层，且第一沟道层的一端与板线层接触，第二绝缘层的至少部分位于第一沟道层和栅线层之间，以及栅线层和板线层之间存储结构包括多个铁磁自由层、隧穿层和铁磁钉扎层。每个铁磁自由层与第一沟道层的另一端接触，隧穿层设置于多个铁磁自由层和铁磁钉扎层之间。导电层位于铁磁钉扎层远离隧穿层的一侧。
半导体结构及其制备方法三维存储器存储系统

[发明专利]一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用-CN202211469862.X在审
发明人：张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供的自旋太赫兹发射器件，包括依次叠层设置的铁磁材料层、反铁磁层和非铁磁层。在本发明中，铁磁材料层与反铁磁层相邻，利用反铁磁固定住下层的铁磁层磁化方向，使得在去掉外磁场的条件下依然可实现自旋太赫兹发射。本发明利用反铁磁层/非铁磁层异质结可实现高效的自旋太赫兹辐射。在本发明中，反铁磁层在激光照射条件下产生自旋流，且对自旋流具有“传递作用”，在本发明的结构中，自旋流来源于铁磁层和反铁磁层，可极大地提高自旋极化流的产生效率，本发明能够实现太赫兹辐射效率的极大提升。
一种自旋赫兹发射器件及其制备方法应用

[发明专利]具有机械稳定的磁阻转子-CN201580017122.4有效
发明人：马里恩·巴尔韦格;克劳斯·比特纳;克劳斯·基希纳 -专利权人：西门子公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H02K1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电机(E)的磁阻转子(10)，磁阻转子具有由铁磁材料构成的转子叠片层(16)，其中每个转子叠片层(16)具有通过转子叠片层(16)中的凹陷部形成的磁通阻挡部(22)。磁阻转子(10)对此具有设置在转子叠片层(16)的第一和第二转子叠片层之间的、带有凹陷部(36)的中间部件(32)和将凹陷部(36)相互限界的接片(38)。中间部件(32)的凹陷部(36)和接片(38)轴向地设置在磁通阻挡部(22)之间，由此中间部件(32)的凹陷部(36)和磁通阻挡部(22)共同围成一个空间。该空间借助非铁磁的浇注料来浇注。
具有机械稳定磁阻转子

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