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[发明专利]树脂组合物、树脂片、树脂固化物、树脂基板以及层叠基板-CN201880020991.6有效
发明人：榎本启二;山下正晃;首藤广志;杉山强;原井智之;清水丰 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供能够形成散热性和耐电痕性优异的树脂固化物、树脂基板以及层叠基板的，且填充性优异的树脂组合物。本发明提供的树脂组合物包含：含有环氧化合物的主剂、固化剂和无机颗粒，其中，固化剂包含一分子内构成芳香环的碳原子数相对于总碳原子数的比率为85％以上的芳香族化合物，无机颗粒的含量以溶剂以外的成分合计为基准计为40～75体积％，无机颗粒包含氮化硼颗粒和不同于氮化硼颗粒的颗粒，氮化硼颗粒的含量以溶剂以外的成分合计为基准计为3～35体积％。
树脂组合固化以及层叠

[发明专利]含有无机填料的环氧树脂固化物及使用其的层压板-CN201510249985.6有效
发明人： 清水丰;杉山强;首藤广志;山下正晃 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种以高导热特性和CTI值为400V以上的耐电痕特性为特征的含有作为填充剂的无机填料的环氧树脂固化物及使用其的层压板。使含有无机填料的环氧树脂固化物中的氧化镁粉末的填充率为45～63体积％，并且使含有无机填料的环氧树脂固化物在300～500℃的温度范围内的最大热分解质量损失率ΔRmax为‑0.20[质量％/℃]以上。
含有无机填料环氧树脂固化使用层压板

[发明专利]数字音频数据重放装置-CN201010136859.7无效
发明人： 清水丰;内山雄介;青木隆 -专利权人：株式会社和冠
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：一种新型的数字音频数据重放装置，与现有的使用CD等的DJ播放用装置相比，坚固且廉价，能够实现灵活的操作性。本发明的数字音频数据重放装置具有：主体部；操作部，可拆装地设置在主体部上；传感器，设置在操作部上，检测出根据指示体的接触及移动进行的操作；第一无线通信部，设置在操作部上，将由传感器检测出的操作数据输出到主体部；第二无线通信部，设置在主体部上，接收从操作部发送的操作数据；存储器，设置在主体部上，存储多个声音数据文件；重放处理部，设置在主体部上，能够同时重放从存储器读出的声音数据文件和根据由第二无线通信部接收的操作数据进行预定的信号处理而获得的乐曲数据。
数字音频数据重放装置

[发明专利]磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器-CN200810080432.2无效
发明人：城后新;清水丰 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种CPP型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由CoFeGe形成，所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、D的线段所限定的范围内，其中点A为(42.5，30，27.5)，点B为(35，52.5，12.5)，点C为(57.5，30.0，12.5)，点D为(45.0，27.5，27.5)，并且其中各坐标点由用原子百分比(at.％)表示的(Co，Fe，Ge)的含量百分比来表示。还提供包括上述磁阻器件的磁头、磁存储设备及磁存储器。能获得较高的MR比，并提高输出电平。
磁阻器件磁头存储设备以及磁存储器

[发明专利]磁阻效应器件、磁头、磁记录系统及磁随机存取存储器-CN200610151886.5无效
发明人：城后新;清水丰 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-09-13 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种具有合成铁钉扎旋阀结构的CPP型磁阻效应器件，该旋阀结构包括缓冲层、被钉扎铁磁层、非磁金属中间层和自由铁磁层，该自由铁磁层由具有特定成分的CoFeAl或CoMnAl制成，该缓冲层包括非晶金属底层和非磁金属顶层。该磁阻效应器件增大输出ΔRA，减小矫顽力Hc和相对于零磁场的偏移量Hin以提高灵敏度，并且增大电阻减半点的磁场Hua以增大钉扎稳定性。本发明还揭示了使用该磁阻效应器件的磁头、磁记录系统和磁随机存取存储器。
磁阻效应器件磁头记录系统随机存取存储器

[发明专利]垂直平面电流结构的磁阻元件和磁头滑块-CN200610168303.X无效
发明人：近藤玲子;清水丰;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-10-07 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
垂直平面电流结构磁阻元件磁头

[发明专利]磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置-CN200610080850.2无效
发明人：城后新;大岛弘敬;指宿隆弘;清水丰;涡卷拓也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置。CPP型磁阻元件包括防扩散层以及叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层。该自由磁化层包含CoMnAl。该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Mn扩散到该非磁性金属层。CoMnAl具有在三元成分图中通过用直线依次连接点A(44，23，33)、点B(48，25，27)、点C(60，20，20)、点D(65，15，20)、点E(65，10，25)、点F(60，10，30)以及点A构成的区域内的成分，在该三元成分图中，将成分坐标表示为(Co含量，Mn含量，Al含量)，且Co含量、Mn含量、Al含量均以原子百分比来表示。
磁阻元件磁头存储装置以及内存

[发明专利]磁阻元件、磁头及磁存储装置-CN200510083660.1无效
发明人：大岛弘敬;长坂惠一;城后新;清水丰;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。
磁阻元件磁头存储装置

[发明专利]磁阻效应元件、磁头及磁记录装置-CN200510060177.1无效
发明人：长坂惠一;清水丰;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁阻效应元件，包括：晶体材料的电极层(12)；导电非晶材料的基层(14)，形成在该电极层(12)之上；晶体材料的反铁磁层(18)，形成在该基层(14)之上；铁磁层(20)，形成在该反铁磁层(18)之上，并且具有由该反铁磁层(18)所限定的磁化方向；非磁性中间层(22)，形成在该铁磁层(20)之上；铁磁层(24)，形成在该非磁性中间层(22)之上，并具有随外界磁场改变的磁化方向；以及电极层(28)，形成在该铁磁层(24)之上。
磁阻效应元件磁头记录装置

[发明专利]垂直平面电流结构的磁阻元件和磁头滑块-CN200380101025.0无效
发明人：近藤玲子;清水丰;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-10-07 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
垂直平面电流结构磁阻元件磁头

[发明专利]磁致电阻头-CN03823246.4无效
发明人：近藤玲子;清水丰;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-06 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种将记录媒体的磁信号作为再生信号进行检测的磁致电阻头，包括：第一磁屏蔽；配置在第一磁屏蔽上的第一电极端子；配置在第一电极端子上的磁致电阻膜；以及将第一方向的偏磁场加在配置在磁致电阻膜的两侧的磁致电阻膜上、控制磁致电阻膜的磁畴的磁畴控制膜。磁致电阻头还包括：配置在该磁致电阻膜上的第二电极端子；以及配置在第二电极端子上的第二磁屏蔽；磁信号再生时，使检测电流横切第一及第二电极端子且沿着与磁致电阻膜的面垂直的方向流，以便磁致电阻膜的与媒体相对的端部的电流磁场的方向成为第一方向。
致电

[发明专利]电流垂直于平面结构的磁电阻元件-CN02828592.1无效
发明人：大岛弘敬;清水丰;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-03-20 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a)，以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动，该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。
电流垂直平面结构磁电元件

[发明专利]具有“电流垂直于平面”结构的磁阻元件-CN03132882.2无效
发明人：长坂惠一;清水丰 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-07-24 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在自由磁层的表面上形成上电极的较小电极层。与自由磁层表面上的较小电极层相邻形成绝缘材料的磁畴控制膜。根据磁畴控制膜与自由磁层之间的磁交换耦合在单一方向上定向自由磁层的磁化。仅通过较小电极层在自由磁层与上电极之间建立电连接。自由和被钉扎磁层中的感测电流路径可以减小。因此，可以在CPP结构磁阻元件中获得较高的灵敏度。在CPP结构磁阻元件中，有效磁芯宽度也可以减小。
具有电流垂直平面结构磁阻元件

[发明专利]电流垂直于平面结构的磁阻磁头-CN03101543.3无效
发明人：濑山喜彥;長坂惠一;大岛弘敬;清水丰;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-01-10 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种电流垂直于平面(CPP)结构的磁阻元件包括旋阀膜。在包含于旋阀膜的非磁性中间层从的导电层之间确定一个边界。磁性金属材料和绝缘材料存在于该边界上。绝缘材料减小读出电流路径的截面面积。相应于在自由磁性层中的磁化的旋转，该CPP结构的磁阻元件实现在电阻中较大变化。采用较小的读出电流来获得电压的较大变化。相应地，CPP结构的磁阻元件大大地有助于记录密度的提高以及减小电能消耗。
电流垂直平面结构磁阻磁头

[发明专利]磁敏电阻器件、具有这种器件的读写头以及驱动器-CN02120075.0无效
发明人： 清水丰;大岛弘敬;长坂惠一;濑山喜彦;田中厚志 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-05-22 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
电阻器件具有这种读写以及驱动器

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