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- [发明专利]半导体存储装置-CN201910569011.4有效
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片山明
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铠侠股份有限公司
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2019-06-27
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2023-10-20
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G11C11/02
- 实施方式提供一种能够抑制误读出的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备存储单元及控制电路。控制电路以如下方式构成：基于存储在存储单元的第1数据将第1电压充电至第1节点，在产生第1电压之后对存储单元写入第2数据，基于第2数据将第2电压充电至第2节点，基于第1电压及第2电压，判定第1数据是否与第2数据不同；且包含：第1开关元件，包含电连接于第1节点的第1端、及电连接于第1节点与第2节点之间的第3节点的第2端；第2开关元件，包含电连接于第1节点的第1端及第2端，且具有与第1开关元件相同的尺寸；及第3开关元件，包含电连接于第2节点的第1端、及电连接于第3节点的第2端。
- 半导体存储装置
- [发明专利]非易失性存储装置-CN201910109721.9有效
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片山明
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铠侠股份有限公司
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2019-02-11
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2023-10-10
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G11C13/00
- 实施方式提供能够进行高效的读出工作的非易失性存储装置。非易失性存储装置构成为具有：第1及第2配线；存储单元，具有阻变存储元件与选择阻变存储元件的双端子开关元件的串联连接，所述阻变存储元件能够将低电阻状态和高电阻状态中的一方设定为数据；读出电路(30)，在第1及第2读出期间，从阻变存储元件读出数据；写入电路(20)，在第1读出期间和第2读出期间之间的写入期间，向阻变存储元件写入数据；以及判定电路(40)，将基于在第1读出期间读出的数据的第1电压与基于在第2读出期间读出的数据的第2电压进行比较，由此判定在第1读出期间读出的数据，在第1读出期间、写入期间和第2读出期间，使得相同方向的电流流过存储单元。
- 非易失性存储装置
- [发明专利]存储器装置-CN202310129887.3在审
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片山明
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铠侠股份有限公司
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2023-02-17
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2023-09-12
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G11C8/14
- 实施例提供了具有高数据读取性能的存储器装置。一种存储器装置包括：第一导体；第一堆叠体，其位于第一导体上；第二导体，其位于第一堆叠体上；第二堆叠体，其位于第二导体上；以及第三导体，其位于第二堆叠体上。第一堆叠体包括从第一导体的一侧依次堆叠的第一铁磁层、第一绝缘层、第二铁磁层、非磁性第一金属层和第三铁磁层。第二铁磁层和第三铁磁层具有相反方向的磁化。第二堆叠体包括从第二导体的一侧依次堆叠的第四铁磁层、第二绝缘层、第五铁磁层，非磁性第二金属层和第六铁磁层。第五铁磁层和第六铁磁层具有相反方向的磁化。第六铁磁层具有比第三铁磁层大的体积。
- 存储器装置
- [发明专利]存储系统-CN202210104958.X在审
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片山明
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铠侠股份有限公司
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2022-01-28
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2023-03-21
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G11C5/06
- 一种能够进行稳定的读出动作的存储系统，具有：第1布线，在第1方向上延伸；第2布线，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；存储单元，包括电连接在第1布线与第2布线之间的、串联连接的可变电阻元件和开关元件；以及控制电路。可变电阻元件是被切换为第1低电阻状态或第1高电阻状态的元件。开关元件是根据所施加的电压而被切换为比第1低电阻状态的电阻低的第2低电阻状态或比第1高电阻状态的电阻高的第2高电阻状态的两端子元件。控制电路在向第1布线供给了开关元件被切换为第2低电阻状态的第1电压之后，供给开关元件被从第2低电阻状态切换为第2高电阻状态的第2电压，在供给了第2电压之后，检测第2布线的第1对象电压。
- 存储系统
- [发明专利]存储设备-CN202210099117.4在审
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片山明;初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2022-01-25
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2022-09-13
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G11C13/00
- 实施例提供了一种能够可靠地执行读取操作的存储设备。根据一个实施例，存储设备包括：第一互连；第二互连；存储单元，其被连接在第一互连与第二互连之间，并包括可变电阻元件和被串联连接到可变电阻元件的开关元件；以及控制电路，其被配置为执行对读取被存储在存储单元中的数据的读取操作的控制。控制电路以这样的方式执行控制：将已用第一电压充电的第一互连和已用第二电压充电的第二互连设置成浮动状态，通过将被设置成浮动状态的第二互连放电来将开关元件设置成导通状态，从而增加被施加到存储单元的电压，并且在开关元件被设置成导通状态的状态下读取被存储在存储单元中的数据。
- 存储设备
- [发明专利]存储设备-CN202111008655.X在审
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片山明
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铠侠股份有限公司
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2021-08-31
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2022-04-01
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G11C11/16
- 实施例提供了一种存储设备，可以改进存储设备的特性。根据一个实施例，一种设备包括感测放大器，其感测基于单元中的第一数据的第一信号和基于单元中的第二数据的第二信号。感测放大器包括：电流镜，其使第一电流流入被连接到单元的第一节点，并基于第一节点的电位，使第二电流流入第二节点；第一开关，其被连接到第二节点和第三节点；晶体管，其包括被连接到第二节点的端子和被连接到第三节点的栅极；第二开关，其被连接到第二节点和第四节点；以及电路，其被连接到第二节点和第三节点，并基于第三节点的电位，使第三电流流入第二节点。
- 存储设备
- [发明专利]阻变型存储器-CN201680044998.2有效
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片山明;藤田胜之
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东芝存储器株式会社
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2016-02-25
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2021-11-30
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G11C11/15
- 根据一个实施例，存储器包括连接到所述存储器单元的位线；以及执行从所述存储器单元读取数据的读取电路。所述读取电路包括：第一电路，其具有第一输入端并检测来自所述存储器单元的输出信号；第一晶体管，其基于第一控制信号来控制提供给所述存储器单元的电流；以及第二晶体管。所述第一晶体管的一端连接到所述第一输入端，所述第一晶体管的另一端连接到所述第二晶体管的一端，所述第二晶体管的另一端连接到所述位线，以及在从所述存储器单元读取数据之前，对所述第一晶体管的一端和另一端充电。
- 变型存储器
- [发明专利]半导体存储装置-CN202010870658.3在审
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片山明
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铠侠股份有限公司
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2020-08-26
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2021-06-29
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G11C11/16
- 实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备存储单元及第1电路，所述存储单元具备开关元件及电阻变化元件，所述第1电路使存储单元成为接通状态，且对被设为接通状态的存储单元进行第1读出，产生基于第1读出的第1电压，对被进行了第1读出的存储单元写入第1数据后，使存储单元成为接通状态，当存储单元在第1读出动作时存储了第1数据时，维持接通状态进行第2读出，当存储单元在第1读出动作时存储了与第1数据不同的第2数据时，至少进行一次从接通状态向断开状态的转变后再进行第2读出，产生基于第2读出的第2电压，并基于第1电压及第2电压对在第1读出时存储单元中所存储的数据进行判定。
- 半导体存储装置
- [发明专利]存储装置-CN201710022633.6有效
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片山明
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东芝存储器株式会社
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2017-01-12
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2021-04-16
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G11C11/16
- 本发明涉及存储装置，具备：存储单元阵列，具有多个存储单元；生成电路，生成参考电流；读出放大器，对在存储单元流通的单元电流和参考电流进行比较，检测存储单元所存储的数据；第1钳位晶体管，连接在读出放大器的第1输入端子与存储单元之间；第2钳位晶体管，连接在读出放大器的第2输入端子与生成电路之间；第1布线层，连接于第1钳位晶体管的栅，在第1方向延伸；第2布线层，连接于第2钳位晶体管的栅，在第1方向延伸，与第1布线层相邻地配置；第1屏蔽线，与第1布线层和第2布线层之一相邻地配置，在第1方向延伸，被施加固定电压，第1布线层与第2布线层之间的第1间隔比第1布线层和第2布线层之一与第1屏蔽线之间的第2间隔窄。
- 存储装置
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