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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁电阻元件和磁存储装置-CN00135319.5无效
发明人：猪俣浩一郎;中岛健太郎;齐藤好昭;砂井正之;岸达也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2000-09-15 - 公布日： 2001-08-15 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种具有由第一反铁磁层/第一铁磁层/第一介电层/第二铁磁层/第二介电层/第三铁磁层/第二反铁磁层叠层的铁磁性双隧道结的磁电阻元件,作为自由层的第二铁磁层由Co基合金或Co基合金/Ni－Fe合金/Co基合金三层膜组成,在第一至第三铁磁层中流过隧道电流。
磁电元件存储装置

[发明专利]自旋阀巨磁电阻及含有该巨磁电阻的验钞机磁头传感器-CN02147695.0无效
发明人：库万军;谢怀亮;李成贤;李伟 -专利权人：深圳市华厦磁电子技术开发有限公司
申请日： 2002-10-26 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： G07D7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种自旋阀巨磁电阻，包括钉扎层、被钉扎层、非磁间隔层和自由层，所述的自由层含有镍铁钼锰合金(NiFeMoMn)材料。本发明还提出了一种验钞机磁头传感器，它包括电极和磁传感器，所述的磁传感器为自旋阀巨磁电阻。由于我们选用NiFeMoMn材料代替自由层中的NiFe，得到低矫顽力的自旋阀巨磁电阻材料，即满足了磁场传感器的特殊需要。这种材料可以用来制作验钞机磁头传感器及其他磁场传感器。自旋阀巨磁电阻灵敏度高，能减少由于化合物半导体材料磁传感器成品率低的问题，还能削减附加电路中的构成零件，因此能进一步改善验钞机磁头的性能，提高生产效率，降低生产成本。
自旋磁电含有验钞机磁头传感器

[发明专利]具有叠层软磁衬层的垂直磁记录介质-CN200510092408.7无效
发明人：林志庆;金庸洙;李丙圭;吴薰翔;李兑孝 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。
具有叠层软磁衬层垂直记录介质

[发明专利]一种自旋太赫兹发射器及其手性调控方法、制备方法-CN202310797039.X在审
发明人：张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：自旋太赫兹发射器为包括铁磁材料层、非铁磁材料层和反铁磁层的三层结构，反铁磁层采用预设晶相的NiO单晶反铁磁材料、CrSb或Mn3Sn，在飞秒激光的照射下，反铁磁层产生激光冲击磁矩，激光冲击磁矩进动产生自旋极化流，自旋极化流注入至非铁磁层后产生瞬态的电荷流，进而辐射出太赫兹，实现高效自旋太赫兹辐射；进一步通过旋转外磁场方向或通过自旋轨道矩效应对自旋太赫兹发射器中铁磁材料层的磁矩方向进行翻转
一种自旋赫兹发射器及其手性调控方法制备

[发明专利]一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜-CN201710565827.0有效
发明人：赵巍胜;赵晓璇;彭守仲 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜，至少包括第一铁磁层、第二铁磁层，在第一铁磁层、第二铁磁层之间，采用两个间隔层使两个铁磁层通过层间耦合铁磁或反铁磁地耦合在一起；所述的多层膜为可呈现垂直磁各向异性，所述的多层膜为可呈现面内磁各向异性，该多层膜从下到上依次是第二铁磁层、第二间隔层、第一间隔层、第一铁磁层；其所述的第一铁磁层和第二铁磁层指铁磁材料形成的薄膜层，在同一结构中，上下两个铁磁层可通过层间耦合作用，铁磁或反铁磁地耦合在一起，通过选取具有不同性质的间隔层材料，使多层膜结构具有不同的优势，可用于实现具有强磁各向异性、低阻尼系数、高隧穿磁阻比率值等优点的自旋电子器件。
一种具有间隔形成反铁磁耦合多层

[发明专利]用于磁阻磁场传感器的相邻层结构的布置、磁阻磁场传感器及其生产方法-CN202080012220.X在审
发明人：尤尔根·瓦尔森;约翰尼斯·保罗 -专利权人：森斯泰克有限公司
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于磁阻磁场传感器的至少两个相邻布置的层结构的布置。每个层结构包括至少一个反铁磁层和具有第一磁矩的第一铁磁层。在反铁磁层和第一铁磁层之间存在交换耦合。此外，包括具有第二磁矩的第二铁磁层，其中第二铁磁层经由布置在第一和第二铁磁层之间的非磁性耦合层反平行耦合到第一铁磁层。提出了相邻布置的层结构的对应的第一铁磁层和对应的第二铁磁层的磁化强度彼此不同，特别是具有基本上彼此相反的取向。本发明还涉及具有这种层结构布置的磁阻磁场传感器，以及用于生产层结构布置和磁阻磁场传感器的方法。
用于磁阻磁场传感器相邻结构布置及其生产方法

[发明专利]平面式磁化自旋轨道磁性组件-CN202111459274.3在审
发明人：李欣翰;魏拯华;王艺蓉;杨姗意;张耀仁;陈芳名 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：此平面式自旋轨道磁性组件包括重金属层、反铁磁层以及磁穿隧接面。反铁磁层设置于重金属层上，且磁穿隧接面设置于反铁磁层上。磁穿隧接面包括自由层、阻障层以及固定层。阻障层设置于自由层上，固定层设置于阻障层上。自由层的膜面形状为圆角矩形。
平面磁化自旋轨道磁性组件

[发明专利]减少存储器装置的自由层的自旋抽运感应阻尼-CN200980137671.X无效
发明人：朱晓春;升·H·康;李霞 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明揭示一种减少存储器装置(100)的自由层(110)的自旋抽运感应阻尼的系统和方法。所述存储器装置包括反铁磁性材料(AFM)钉扎层(104)，其与位线存取电极(102)接触。所述存储器装置还包括：被钉扎层(106)，其与所述AFM钉扎层接触；隧道势垒层(108)，其与所述被钉扎层接触；以及自由层(110)，其与所述隧道势垒层接触。所述存储器装置包括自旋扭矩增强层(112)，其与所述自由层接触且与存取晶体管电极接触。所述自旋扭矩增强层经配置以实质上减少所述自由层的自旋抽运感应阻尼。
减少存储器装置自由自旋抽运感应阻尼

[发明专利]磁传感器-CN201380035609.6有效
发明人：矢野敏史;古市乔干 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在磁传感器(10)中，钉扎层(15)具有从相对于布线层(14)与基板(11)相反的一侧覆盖布线层(14)且截面弯曲状的弯曲部(15A)。自由层(17a、17b)被配置在相对于钉扎层(15)与基板(11)相反的一侧。自由层(17a、17b)的面方向的尺寸被设定为比钉扎层(15)的面方向的尺寸小的尺寸。来自钉扎层(15)的泄露磁场能够在基板(11)侧、即相对于钉扎层(15)与自由层(17a、17b)相反的一侧形成闭环。从而，能够抑制来自钉扎层(15)的泄露磁场给予自由层(17a、17b)的影响。
传感器

[发明专利]一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻-CN201810978419.2有效
发明人：唐晓莉;陈敏;杜伟;苏桦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01F10/14 文献下载
摘要：所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、第一反铁磁层/[铁磁层/第二反铁磁层]n的多层薄膜和覆盖层薄膜，n≥2。本发明提供的各向异性磁电阻在控制磁性层总厚度的情况下，将每层铁磁层减薄到100nm以下，可在反铁磁层/铁磁层/反铁磁层中获得交换偏置场，进而提升整体薄膜的各向异性场，从而实现对基于各向异性磁电阻效应的传感器磁场探测区间的拓展并且，由于交换偏置场的大小与铁磁层的厚度呈反比，因而可以在控制铁磁层总厚度的情况下，通过调整重复周期n，获得不同的交换偏置场和各向异性场，方便的实现不同磁场探测区间的获得。
一种基于多层交换偏置结构各向异性磁电

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200810171074.6无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200410100047.1无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]具有双TMR膜的磁传感器阵列-CN202080006972.5在审
发明人：郑元凯;C·凯撒;刁治涛;胡志清;钱震中;王勇鸿;万渡江;周荣辉;毛明;姜明;D·毛里 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-03-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：第一TMR膜包括基准层，该基准层具有与钉扎层的第二磁化方向反平行的第一磁化方向。第二TMR膜包括具有平行于第一钉扎层的第二磁化方向的第一磁化方向的基准层，以及具有与基准层的第一磁化方向和第一钉扎层的第二磁化方向反平行的第三磁化方向的第二钉扎层。
具有 tmr 传感器阵列

[发明专利]一种自旋极化电流发生器及其磁性装置-CN201711261286.9有效
发明人：夏钶;闵泰;郝润姿;赵京延;王蕾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋极化电流发生器及其磁性装置，所述发生器包括第一导电层、第二导电层以及位于第一导电层和第二导电层之间的反铁磁层，第一导电层、第二导电层和反铁磁层构成第一导电层‑反铁磁层‑第二导电层层叠结构该发生器利用反铁磁材料和金属材料，形成不对称层叠结构用以产生自旋极化电流，具有低的电阻率，因而能够降低能耗。所述磁性装置包括第一导电层，以及在所述第一导电层上的至少一个由反铁磁层和第二导电层构成的堆叠结构，所述反铁磁层与第一导电层相邻；在相邻所述堆叠结构的第一导电层上设有磁性结，所述磁性结包括自由磁性层。
一种自旋极化电流发生器及其磁性装置

[发明专利]一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件-CN202011596850.4在审
发明人：韩荷福;何路光;王连伟;涂恩平 -专利权人：蚌埠希磁科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：隧道磁电阻包括：钉扎层；与所述钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为超顺磁层，所述自由层的厚度小于或等于临界厚度；位于所述钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的底层导电结构隧道磁电阻中的自由层选用厚度小于或等于临界厚度的超顺磁层，在磁化过程中，组成超顺磁的单畴颗粒的磁矩能够沿同一方向取向而达到磁饱和，磁化率较高，因此，本发明提供的隧道磁电阻具有大的饱和场和大的线性度。
一种隧道磁电及其制造方法器件

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