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- [发明专利]磁传感器的制造方法-CN200510097891.8无效
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佐藤秀树;大桥俊幸;涌井幸夫;吉田晋;相曾功吉
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雅马哈株式会社
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2002-01-23
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2006-03-01
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G01R33/09
- 本发明涉及一种磁传感器的制造方法，磁传感器包括包含钉扎层和自由层的磁阻效应元件，磁阻效应元件具有随由钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向形成的相对角度变化的电阻值，该方法包括步骤：准备以下列方式构成的磁铁阵列，即在正方形格的格点处设置多个永久磁铁，每个永久磁铁的磁极的极性与和其相邻并距离最短的其它磁铁磁极的极性不同；设置薄片于磁铁阵列上，在此薄片中，包含磁层的层已经形成；磁层至少将成为钉扎层；利用在一个磁极和与其相邻的并且距离最短的另一个磁极之间形成的磁场，钉扎将成为钉扎层的磁层的磁化方向。使用本方法，可以在单个基片上容易地制造其中钉扎层的磁化方向彼此相交的的磁传感器。
- 传感器制造方法
- [发明专利]磁传感器及其制造方法-CN02102703.X有效
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佐藤秀树;大桥俊幸;涌井幸夫;吉田晋;相曾功吉
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雅马哈株式会社
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2002-01-23
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2002-09-04
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G11B5/39
- 本发明涉及一种磁传感器及其制造方法,在单个基片上形成多个配置有钉扎层的磁阻效应元件,钉扎层具有彼此相交的方向的固定磁化轴。在衬底10上形成了将成为两个磁隧道效应元件11、21的磁层,作为磁阻效应元件。形成由NiCo制成的磁场施加磁层,使其在平面图中夹持磁层。给磁场施加磁层施加磁场。磁场施加磁层在箭头A所示的方向上磁化之后,除去磁场。结果,通过磁场施加磁层的剩磁磁化,给将成为磁隧道效应元件11、21的磁层施加箭头B所示的方向的磁场,从而在箭头B所示的方向上钉扎了将成为磁隧道效应元件11、21的磁层的钉扎层的磁化。
- 传感器及其制造方法
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