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[发明专利]反熔丝及其程式化方法-CN200610068023.1无效
发明人：吴炳昌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-23 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种反熔丝，由衬底、栅极及栅介电层构成。栅极位于衬底上。栅介电层位于栅极及衬底之间。此反熔丝的程式化方法是施加一偏压于栅极与衬底之间，造成栅介电层击穿，使击穿后的栅极至衬底的电阻值小于击穿前的栅极至衬底的电阻值。应用此反熔丝可以减少熔丝需要的芯片面积，并可以在芯片封装后进行程式化。
反熔丝及其程式化方法

[发明专利]反熔丝存储单元及其制作方法-CN201910745176.2在审
发明人：冯鹏;李雄 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种反熔丝存储单元及其制作方法，反熔丝存储单元包括：衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别位于选择栅极结构相对两侧的所述衬底内，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同；位于所述第一掺杂区上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区与所述选择栅极结构之间，所述第三掺杂区的与所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度本发明可以降低电场对选择栅介质层的损伤，从而提高反熔丝存储单元中选择晶体管的可靠性。
反熔丝存储单元及其制作方法

[发明专利]一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片-CN202011181916.3在审
发明人：安佑松;赵劼;杨涛;高建峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片，存储单元包括：半导体衬底、选择晶体管和反熔丝晶体管；反熔丝晶体管形成于半导体衬底表面之下，包括下电极层、中间介质层和上电极层，下电极层复用为选择晶体管的第一源本公开实施例中反熔丝晶体管采用埋栅结构，克服了相关技术中反熔丝晶体管的栅极宽度的尺寸限制，能显著地减小反熔丝晶体管在存储单元中所占的面积，缩小存储单元的尺寸，进而能缩小采用该存储单元的存储器件的尺寸。一个反熔丝晶体管可用于形成两个存储单元，使存储单元的排列更加紧凑，缩小存储器件的尺寸。
一种存储单元及其制造方法阵列芯片

[发明专利]反熔丝存储单元及其数据写入方法和读取方法、电子设备-CN202011606747.3在审
发明人：李相惇;申靖浩;赵劼;杨涛;张欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本公开提供了反熔丝存储单元及其数据写入方法和读取方法、电子设备。该反熔丝存储单元可包括半导体基底、栅氧化层、第一位线、第二位线及字线。半导体基底上形成有晶体管，一个反熔丝存储单元具有一个晶体管，晶体管包括栅极、源极及漏极。栅氧化层设置于半导体基底与栅极之间。本公开可在一个反熔丝存储单元上使用两根位线，以使采用本公开技术方案的半导体器件具有更高的良率和可信赖度。本公开可以明显降低反熔丝存储单元的加工难度，并能够进一步缩小反熔丝存储单元的尺寸，具有非常广阔的市场前景。
反熔丝存储单元及其数据写入方法读取电子设备

[发明专利]一种多片SRAM型FPGA在轨配置管理装置-CN202210427818.6在审
发明人：刘一腾;喇超;周海;冯水春;卞春江;李辉;张彪 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明属于航空航天和航天器电子设备配置管理技术领域，具体地说，涉及一种多片SRAM型FPGA在轨配置管理装置，该装置包括：至少三片NOR FLASH存储芯片、至少两片EEPROM存储芯片、至少三片PROM存储芯片和一片反熔丝FPGA芯片；所述反熔丝FPGA芯片上设有至少三个NOR FLASH接口、至少两个EEPROM接口和至少三个PROM接口；每片NOR FLASH存储芯片通过NOR FLASH接口与反熔丝FPGA芯片电性连接，每片EEPROM存储芯片通过EEPROM接口与反熔丝FPGA芯片电性连接，每片PROM存储芯片通过PROM接口与反熔丝FPGA芯片电性连接，被管理的SRAM型FPGA芯片通过配置管理接口与反熔丝FPGA
一种 sram fpga 配置管理装置

[发明专利]反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法-CN202111590314.8在审
发明人：季汝敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法，反熔丝存储版图包括：有源区，沿第一方向延伸且沿第二方向分立排布，每一有源区包括沿第一方向排布的至少两个存储单元区，每一存储单元区包括沿第一方向排布的反熔丝区和控制区，在沿第一方向上，相邻存储单元区的控制区相邻接；字线区，沿第二方向延伸且与控制区相交；电连接区，沿第二方向延伸且与反熔丝区相交；编程控制区，沿第三方向延伸且位于相应的有源区的一侧，且编程控制区与沿第一方向排列的电连接区相交本公开实施例至少有利于缩小反熔丝存储版图的布局面积。
反熔丝存储版图及其电路存储器设计方法

[发明专利]反熔丝存储器架构以及反熔丝存储器操作方法-CN201610663270.X有效
发明人：廖忠志;吴显扬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种反熔丝存储器架构以及反熔丝存储器操作方法，该反熔丝存储器架构包括一字元线、一位元线以及一反熔丝单元。反熔丝单元包括一读取装置，读取装置包括连接至字元线的一第一栅极电极、位于第一栅极电极的下方的一第一栅极介电层、连接至位元线的一漏极区以及一源极区。第一栅极介电层具有一第一厚度。反熔丝单元还包括一编程装置，编程装置包括连接至字元线的一第二栅极电极、设置于第二栅极电极的下方的一第二栅极介电层。第二栅极介电层具有小于第一厚度的一第二厚度。
反熔丝存储器架构以及操作方法

[发明专利]用于反激转换器的通用输出电流调节-CN202010862671.4在审
发明人：郑聪;刘文铎;H·布伊 -专利权人：戴洛格半导体公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明题为“用于反激转换器的通用输出电流调节”。本发明公开了一种用于反激转换器的通用仅初级输出电流调节。控制器响应于该反激转换器在连续导电操作模式期间的期望平均输出电流来确定峰值感测电阻器电压。在电源开关晶体管被接通之后，该控制器监测感测电阻器电压以确定该感测电阻器电压何时等于该峰值感测电阻器电压。当该感测电阻器电压等于该峰值感测电阻器电压时，该控制器关断该电源开关晶体管以将该反激转换器的平均输出电流维持为等于期望平均输出电流。
用于转换器通用输出电流调节

[发明专利]一种读取时间可控的反熔丝存储器读取电路-CN202111469885.6在审
发明人：曹正州;祝洁;张艳飞;孙静;季振凯;丁正楠 -专利权人：无锡中微亿芯有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种读取时间可控的反熔丝存储器读取电路，涉及反熔丝存储器领域，该反熔丝存储器读取电路中，读取时间控制电路产生与读取时间对应的控制信号，可编程读脉冲产生电路基于时钟信号产生脉宽与控制信号对应的读脉冲；读放大电路中根据读脉冲和控制信号选通与读取时间对应的上拉电流源、上拉反熔丝存储单元的位线上的电压，并从读脉冲的上升沿开始读取反熔丝存储单元中存储的数据，并在读脉冲的下降沿进行锁存；该反熔丝存储器读取电路可以根据所需的读取时间产生相应脉宽的读脉冲以及相应大小的上拉电流源
一种读取时间可控反熔丝存储器电路

[发明专利]一种可编程非易失性存储器-CN202210316446.X在审
发明人：陈啸宸 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路技术领域，公开一种可编程非易失性存储器，该可编程非易失性存储器包括使能信号控制电路，使能信号控制电路接收阵列选择信号和初始使能信号，并基于阵列选择信号和初始使能信号向其中一列反熔丝阵列输出使能控制信号；反熔丝阵列包括读取电路，读取电路连接使能信号控制电路，被配置为根据使能控制信号读取反熔丝阵列存储的数据；多个输出电路，每个输出电路连接一行反熔丝阵列中的读取电路并接收阵列选择信号，被配置为根据阵列选择信号输出读取电路读取的数据利用阵列选择信号仅向选通的反熔丝存储单元的读取电路输出使能信号，而未被选通的反熔丝存储单元的读取电路则不被使能，从而可节省存储器的功耗。
一种可编程非易失性存储器

[发明专利]反熔丝、反熔丝阵列及其操作方法-CN201510472425.7有效
发明人：郑龙善 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：公开了一种反熔丝、反熔丝阵列及其操作方法。反熔丝阵列包括：有源区，形成在半导体衬底中；狭缝区，形成在有源区的在第一方向上的两个边缘部分；多个选择栅极，在与有源区的第一方向垂直的第二方向上延伸，并耦接到选择字线；多个第一编程栅极，与选择栅极间隔开
反熔丝阵列及其操作方法

[发明专利]一种反熔丝一次性可编程存储单元-CN202011091103.5在审
发明人：李立;王志刚 -专利权人：珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：反熔丝一次可编程存储单元包括基板，选择晶体管和反熔丝电容器。选择晶体管包括形成在基板中的第一高压结和形成在基板中的第一低压结。反熔丝电容器包括形成在基板中的第二高压结和形成在基板中的第二低压结。
一种反熔丝一次性可编程存储单元

[发明专利]半导体存储器件和半导体存储器件测试方法-CN200610068082.9无效
发明人：中川宏;大石贯时 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：在将故障地址写入地址寄存器期间，当要执行大于预先提供的反熔丝的数目的多个故障地址写入时，或者当要执行大于预先提供的反熔丝的数目的多个故障地址的存储处理时，传送指示不能执行写入或存储操作的溢出信号作为输出，并且向外部报告不再可以利用反熔丝来补救缺陷。
半导体存储器件测试方法

[发明专利]三维打印机的挤出装置及其光学检测机构-CN201610405492.1在审
发明人：魏耀明;周根德;陈鼎钧;张昱仁 -专利权人：东友科技股份有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： B29C64/118 文献下载
摘要：热熔性材料由供料转盘供料至喷头。光学检测机构包括导引组件及光学感测组件，导引组件于供料路径上设置于棘轮及供料转盘之间，且光学感测组件邻设于导引组件。当棘轮旋转，热熔性材料受棘轮及热熔性材料间的摩擦力带动经过导引组件、棘轮及加压惰轮，并通过喷头挤出，导引组件导引热熔性材料部分地设置于感测区域，且光学感测组件对感测区域发出波段光，并感测感测区域反射波段光所产生的影像
三维打印机挤出装置及其光学检测机构

[发明专利]反熔丝型一次编程存储单元及其相关的存储单元阵列结构-CN202210285441.5在审
发明人：陈稐寯;陈俊任;何秉隆;陈信铭 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开一种反熔丝型一次编程存储单元及其相关的存储单元阵列结构，其中反熔丝型一次编程存储单元包括：一第一选择元件、一第一跟随元件与一第一反熔丝晶体管。该第一选择元件的一第一端连接至一第一位线。该第一反熔丝晶体管的一第一漏/源端连接至该第二节点。该第一反熔丝晶体管的一栅极端连接至一第一反熔丝控制线。该第一反熔丝晶体管的一第二漏/源端为浮接。
反熔丝型一次编程存储单元及其相关阵列结构