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[发明专利]一种双结型栅氮化镓异质结场效应管-CN201610928271.2有效
发明人：杜江锋;白智元;蒋知广;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提出了一种双结型栅氮化镓异质结场效应管(DJG‑HFET)，它包括衬底(310)，缓冲层(311)，沟道层(312)，势垒层(313)以及势垒层(313)上形成的源极(315)、漏极(317)、钝化层(314)以及P型铝铟镓氮(319)，顶栅极(316)与P型铝铟镓氮(319)合称顶P型栅，在源极(315)和漏极(317)外侧为由空间电荷组成的隔离区(318)。在顶栅极(316)下的沟道层(312)下方与顶栅极对称的位置有一层栅介质层(303)、一层P型铝铟镓氮层(302)以及一层背栅(301)，且这三者一同组成了背P型栅，背P型栅与顶P型栅极合称双结型栅。
一种双结型栅氮化镓异质结场效应

[发明专利]一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法-CN201610253781.4有效
发明人：汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。
一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法-CN201910305472.0有效
发明人：林时胜;孙利杰;沈闰江;周大勇;陆阳华 -专利权人：浙江大学;上海空间电源研究所
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，自底而上依次是背电极层、多结半导体衬底层、二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层、量子点层，此外还设置有正面电极；所述的多结半导体衬底层包括多结电池，并在多结电池顶部设置有隧穿层，镓铟氮或铝镓砷设于上述隧穿层上，量子点层设置于二硫化钼上。本发明的多结异质太阳能电池利用二硫化钼和半导体镓铟氮或铝镓砷形成异质结可以在无需外加电源的情况下完成光电转化，同时镓铟氮、铝镓砷等半导体禁带宽度大，可以吸收更短的太阳光波长，进一步提升多结太阳能电池效率本发明的二硫化钼/镓铟氮(铝镓砷)多结异质太阳能电池的转化效率高，工艺较简单，有广阔的应用前景。
一种二硫化钼镓铟氮铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法

[发明专利]宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法-CN200610127920.5有效
发明人：王晓亮;马志勇;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅;罗卫军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
宽带氮化镓基异质结场效应晶体管结构制作方法

[发明专利]一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管-CN201410679795.3有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;王康;刘东;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底、氮化铝成核缓冲层、铝铟镓氮局部背势垒层、氮化镓沟道层以及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极本发明通过引入极化强度大于氮化镓沟道层的铝铟镓氮局部背势垒层，使铝铟镓氮背势垒层和氮化镓沟道层界面电荷平衡后剩余负的极化电荷，起到耗尽部分栅漏漂移区沟道的2DEG的效果，构成LDD(low density
一种具有局部背势垒氮化功率异质结场效应晶体管

[发明专利]具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管-CN201410433662.8有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;陈南庭;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，铝铟镓氮缓冲层，埋栅，埋栅介质层，氮化镓沟道层，铝铟镓氮势垒层，栅介质层，铝铟镓氮势垒层上的源极和漏极，栅介质层上的栅极组成，所述源极和漏极与铝铟氮镓势垒层形成欧姆接触，所述栅极与栅介质层形成肖特基接触，所述埋栅介质层和埋栅均位于铝铟镓氮缓冲层中，且所述埋栅位于埋栅介质层中。通过埋栅单独偏置，且根据埋栅的不同偏置，实现调控器件的阈值电压；当埋栅处于负偏压时，埋栅耗尽氮化镓沟道层的二维电子气，使器件实现增强型工作；当埋栅处于零偏压或正偏压时，氮化镓沟道层中存在二维电子气，使器件实现耗尽型工作
具有结构氮化增强耗尽型异质结场效应晶体管

[发明专利]一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201210324418.9有效
发明人：杜江峰;赵子奇;尹江龙;张新川;马坤华;罗谦;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，该氮化镓基异质结场效应晶体管还包括与衬底接触的背电极。本发明中的背电极通过调制器件缓冲层电势分布，增大二维电子气沟道与P型铝铟镓氮缓冲层之间的电势差，使沟道二维电子气与缓冲层内P型杂质达到完全耗尽，从而使器件沟道电场分布更加均匀，提升器件的击穿电压。
一种具有电极结构氮化镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]铟镓氮薄膜的制备方法-CN202310897320.0在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;杨静 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓氮薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：步骤A：在衬底生长至少一层初始氮化镓层；步骤B：在初始氮化镓层上生长一层铟镓氮层；步骤C：基于目标策略对铟镓氮层进行处理，在处理后的铟镓氮层上再生长一层铟镓氮层；目标策略包括以下至少一项：升高温度至退火温度，对铟镓氮层进行保温退火处理；降低温度至铟镓氮层的生长温度；或者，在铟镓氮层通入目标气体，目标气体用于去除铟镓氮层中的富铟区；步骤D：重复执行步骤C，直至各所述铟镓氮层的总厚度达到预设阈值，或者各所述铟镓氮层的质量达到预设阈值，生成铟镓氮薄膜。通过上述方法，可有效降低铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小，改善厚层铟镓氮薄膜质量。
铟镓氮薄膜制备方法

[发明专利]一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法-CN201410063659.1在审
发明人：贺龙飞;陈志涛;刘宁炀;赵维;张志清;张康;王巧;张娜;范广涵 -专利权人：广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种具有极化隧道结的氮化镓GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片由衬底、低温缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层、高掺杂p型氮化镓层和高掺杂n型氮化镓层组成，其特征在于在高掺杂p型氮化镓层和高掺杂n型氮化镓层之间有一非掺杂的铟铝氮层高掺杂p型氮化镓层、非掺杂的铟铝氮层和高掺杂n型氮化镓层共同组成一个极化隧道结，取代了外延片p型氮化镓层上面的电流扩展层。该极化隧道结具有比普通隧道结在电流驱动下更高的极化电场，能显著提高载流子的隧穿几率以及横向电导率，从而减少压降和增强发光二极管的横向电流扩展，获取高光效的发光二极管。
一种具有极化隧道 gan led 外延及其制备方法

[发明专利]磷化铟双异质结双极型晶体管-CN202210387714.7在审
发明人：王悦 -专利权人：虎翅凌云集成电路制造有限责任公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷化铟双异质结双极型晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明公开的磷化铟双异质结双极型晶体管结构，在磷化铟衬底上采用应变铟砷磷过渡区消除了铟镓砷基区与磷化铟集电区之间的导带势垒，构建出无电子阻挡效应的双异质结双极型晶体管，提升了所述晶体管在频率、增益与击穿电压方面的电学性能
磷化铟双异质结双极型晶体管

[发明专利]一种铟镓氮薄膜的生长方法-CN201910311640.7在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;朱建军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓氮薄膜的生长方法，用以降低铟镓氮薄膜的V型缺陷，该方法包括：步骤1：在衬底上依次生长一低温氮化镓缓冲层、一高温非故意掺杂氮化镓层；步骤2：在高温非故意掺杂氮化镓层上生长一铟镓氮层，然后升高温度至退火温度，对生长的铟镓氮层进行保温退火；步骤3：降低温度至生长温度，在铟镓氮层上再生长一铟镓氮层，然后升高温度至退火温度，对再生长的铟镓氮层进行保温退火；步骤4：重复执行步骤3，直至铟镓氮层的总厚度达到预设值，完成铟镓氮薄膜的生长。本发明提出的一种铟镓氮薄膜的生长方法，通过分步生长以及退火的工艺，有效降低薄层铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小。
铟镓氮薄膜铟镓氮层生长退火非故意掺杂氮化镓层再生长保温升高低温氮化镓缓冲层重复执行薄层衬底预设

[发明专利]一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层-CN202010026871.6有效
发明人：高江东;张建立;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层，其结构特点是：在氮化镓基二极管中，位于氮化镓与铟镓氮量子阱之间，所述氮化镓在先，所述铟镓氮量子阱在后，所述锥形坑位于所述薄层的表层，所述铝元素无需连续均匀分布本发明的优点是：（1）使在铟镓氮基二极管的制造中，沉积的铟镓氮量子阱晶体质量提高；（2）减少铟镓氮基二极管制造过程中使用的含铟原料，节约铟镓氮基二极管的制造成本；（3）减少铟镓氮基二极管的制造时间，提高铟镓氮基二极管的生产速率；（4）减少铟镓氮基二极管中位错处的漏电，提高铟镓氮基二极管的电、光学性能。
一种用于沉积铟镓氮量子锥形成分薄层

[发明专利]一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应管-CN201410476301.1有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;陈南庭;刘东;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应晶体管。本发明的器件中复合势垒层由高低不同极化强度铝铟镓氮材料组成，当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极漏端，使这部分势垒层下方沟道的二维电子气(2DEG)密度小于沟道漏端其他位置的2DEG密度，形成LDD结构，从而实现调制沟道的电场分布以提升耐压能力；当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极正下方区域，栅下氮化镓(GaN)沟道导带底呈阶梯式分布，由于势垒的下降使栅下沟道载流子的漂移速度增加，在2种不同元素组分铝铟镓氮势垒层之间产生电场的峰值
一种具有复合势垒层氮化镓基异质结场效应

[发明专利]铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法-CN201110026126.2有效
发明人：熊传兵;赵汉民;江风益 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法，涉及一种铟镓铝氮基半导体发光器件。该方法用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。该方法包括：在生长衬底上形成铟镓铝氮薄膜；在铟镓铝氮薄膜上形成有呈图形化的、膨胀系数小于或者大于所述铟镓铝氮薄膜的应力调节筋，该应力调节筋减弱后续加工对铟镓铝氮薄膜产生的应力的变化趋势。本发明提出在铟镓铝氮薄膜上面制备一种图形化的应力调节筋结构，该应力调节筋附着在铟镓铝氮薄膜的表面，具有足以影响铟镓铝氮薄膜的应力的厚度。
铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法

[发明专利]含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法-CN200510030874.2有效
发明人：王立;江风益;周毛兴;方文卿 -专利权人：南昌大学
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元件包括：导电基板，层叠于导电基板之上的P型欧姆电极，层叠于P型欧姆电极之上的P型铟镓铝氮(In_xGa_yAl_1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)层，层叠于P型铟镓铝氮之上的铟镓铝氮发光层，层叠于铟镓铝氮发光层之上的N型铟镓铝氮层，层叠于N型铟镓铝氮层之上的N型欧姆电极，特征是：所述的N型铟镓铝氮层的外表面为氮极性面该发光元件表面为具有氮极性面的铟镓铝氮层，并且具有良好的欧姆接触特性和很低的正向工作电压。
含有金锗镍欧姆电极铟镓铝氮半导体发光元件制造方法

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