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[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN201911405564.2有效
发明人：王巧;梁锡辉;王君君;贺龙飞;胡金花 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管领域。该发光二极管包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层以及接触层，且0.01≤xy≤1；发光有源区中的第一个AlGaN量子垒层与n型半导体层连接，发光有源区中的最后一个量子阱层与最后一个AlGaN量子垒层俩连接，且n型半导体层中最低的铝组分数值大于第一个AlGaN量子垒层中最高的铝组分数值。本申请提供的发光二极管及其制备方法具有能够提升发光有源区内的复合效率的优点。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法-CN201810010913.X有效
发明人： 贺龙飞;陈志涛;赵维;张康;吴华龙;何晨光 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。此器件的外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中0.01≤xy≤1，发光有源区包括多个量子阱层与多个量子垒层，多个量子阱层与多个量子垒层交替设置，最后一个AlGaN量子垒层为铝组分渐变层。在紫外器件中引入铝组分渐变的最后一个AlGaN量子垒层，优化器件的能带结构，能有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，从而提高半导体紫外器件的量子效率和发光效率。
一种提高 algan 半导体紫外器件及其制备方法

[实用新型]一种组合式自封装置-CN202322335223.0有效
发明人：崔状状;刘志峰;侯海江;贺龙飞 -专利权人：新乡巴山航空材料有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： F16L29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种组合式自封装置，包括自封外套、自封内套、自封芯轴、芯轴套和上壳体，所述自封外套的下端固定连接有安装板，自封外套与安装板连接处沿圆周方向设置有油液进口，自封外套的外表面上设置有油液出口，所述自封内套设置在自封外套中，芯轴套套在自封芯轴上，芯轴套设置在自封内套中，且芯轴套上端外圆周卡在自封内套上，所述自封外套的上端设置有顶部盖板，顶部盖板与芯轴套之间设置有外弹簧；通过巧妙的结构设计，使自封装置的油液的进出口在同一平面上，并保证油道更加的简单，降低加工成本，同时缩短实现自封功能的行程，可根据不同产品配套不同尺寸大小的过滤器，具备广泛适用性。
一种组合式自封装置

[发明专利]数据备份方法、备份系统及计算机可读存储介质-CN202310694108.4在审
发明人：王磊;朱纯青;张雁楠;戚毅;贺龙飞 -专利权人：中国联合网络通信集团有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本公开提供一种数据备份方法、备份系统及计算机可读存储介质，涉及备份技术领域，能够实现对通信设备进行安全的主动备份数据获取过程。该方法应用于备份系统，包括：通过第一模块确定通信设备中存在有效待备份数据；所述第一模块与所述通信设备之间为信任关系；响应于所述通信设备中存在有效待备份数据，通过所述第一模块获取所述有效待备份数据；通过第二模块对所述第一模块中的有效待备份数据进行备份；所述第二模块与所述通信设备之间为非信任关系。
数据备份方法系统计算机可读存储介质

[发明专利]实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用-CN202310748247.0在审
发明人：何晨光;张康;刘宁炀;吴华龙;廖乾光;刘云洲;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用，涉及半导体器件技术领域。通过在蓝宝石衬底表面形成凹陷区和凸起区，且在凸起区上形成Si介质层和高Al含量的预缓冲层，由于凸起区之间相互独立，使得Al基材料在Si介质层上生长时能够释放应力，避免出现缓冲层开裂或表面粗糙的情况，然后将生长得到的预缓冲层进行高温退火，缓冲层的Al基材料重结晶，晶格重新排列，从而获得质量更好的缓冲层。此外，通过形成相互连通的网状凹陷区，使得在剥离衬底时，剥离剂能够在网状凹陷区内相互流通，并腐蚀凸起区与衬底接触的Si介质层，从而使得缓冲层与衬底迅速剥离，剥离方法简单，剥离成功率高。
实现衬底重复利用器件制备方法及其应用

[发明专利]便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用-CN202310578228.8在审
发明人： 贺龙飞;赵维;李娟;何晨光;高轮添;刘宁炀;吴华龙;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用，其中，便于探测的紫外发光芯片包括依次设置的电子传输层、复合有源区和电子阻挡层；其中，复合有源区包括依次设置的可见光量子阱区和深紫外量子阱区，且可见光量子阱区设在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，以使复合有源区在正向电流注入下能够同时发射可见光和深紫外光。本发明通过将可见光量子阱区设置在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，使得可将光量子阱区产生的可见光在经过深紫外量子阱区时也不会被吸收，不会影响深紫外量子阱辐射深紫外光。
便于探测紫外发光芯片制备方法应用

[发明专利]深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法-CN202310599824.4在审
发明人：何晨光;吴华龙;张康;刘云洲;廖乾光;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法，其中，深紫外发光器件中的量子点的制备方法包括以下步骤：S20:制备上表面具有锯齿形宏台阶形貌的垒层；S30:在垒层上外延生长GaN层；S40:对GaN层进行脱附处理，直至在锯齿形宏台阶形貌的凹陷处形成GaN量子点结构。由于本发明的GaN层是外延生长在具有锯齿形宏台阶形貌的垒层上的，由此，在脱附处理时，该GaN层的生在在锯齿形宏台阶形貌的凹陷位置的GaN相对于该GaN层的生长在其他位置的GaN更难脱附，呈现选择性脱附的情况，因此，在经过脱附处理后，该GaN层的仅锯齿形宏台阶形貌的凹陷最低点位置的GaN未脱附，该未脱附的GaN即为所需制备的GaN量子点结构。
深紫发光器件中的量子制备方法外延

[发明专利]一种紫外光电器件及其制备方法-CN202011567039.3有效
发明人：吴华龙;何晨光;贺龙飞;张康;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光电器件及其制备方法，制备方法包括：采用沉积方法在大倾角蓝宝石衬底上沉积200nm‑4μm的AlN材料；将AlN材料放置于高温热退火炉中进行高温热退火处理，在完成高温热退火后，将蓝宝石衬底放置于MOCVD设备中生长紫外光电器件结构，其中，紫外光电器件结构包括但不限于紫外LED结构和紫外光电探测器结构。本发明实施例通过采用大倾角蓝宝石衬底进行外延生长后高温热退火得到锯齿状宏台阶，锯齿状宏台阶能够将注入到量子阱中的载流子限制在宏台阶褶皱处，从而能够避免遇上位错发生而非辐射复合，进而能够有效地提高紫外光电器件的发光效率和光电转换效率。
一种紫外光电器件及其制备方法

[实用新型]一种车载炮底盘转向立柱总成-CN202223466644.9有效
发明人： 贺龙飞;王磊;赵海林;杨志俊;史晓宇;李长译 -专利权人：北奔重型汽车集团有限公司
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B62D7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种车载炮底盘转向立柱总成，包括壳体、立轴、卡簧、转向摇臂；上部钢衬套和下部钢衬套分别压紧装配到壳体内孔对应位置；立轴自上而下安装到壳体内孔以及上部钢衬套和下部钢衬套的中心孔内；转向摇臂安装在立轴下部对应锥面处；上部钢衬套和下部钢衬套均采用在钢衬套上嵌入石墨烯的结构。本实用新型通过匹配内嵌石墨烯润滑材料的钢衬套，取消传统油封密封结构。采用淬火、调质等工艺改善了钢衬套材料组织特性，显著提升产品的抗压强度和耐高温性能。避免立轴的轴向晃动。可以满足底盘质量15t情况下，最小转弯直径≤21m、原地转向方向盘手力≤60N，低速转向方向盘手力≤40N，具备正常回正能力无卡滞现象。
一种车载底盘转向立柱总成

[实用新型]一种便携式电磁检测智能化管道扫描装置-CN202223218152.8有效
发明人：徐伟;宋俭;李杰;贺龙飞 -专利权人：东南塞普检测技术有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H04B1/034 文献下载
摘要：本实用新型涉及管道检测技术领域，且公开了一种便携式电磁检测智能化管道扫描装置，包括电磁扫描仪，所述电磁扫描仪内部设置有按键，所述电磁扫描仪顶部插接有天线，所述天线外壁贴合有防护组件，所述防护组件一侧贴合有限位组件。该便携式电磁检测智能化管道扫描装置，通过将天线插入电磁扫描仪顶部的插槽中，然后并进入电磁发射器输出端，天线外壁的橡胶圈完成卡接，然后推动滑套在滑杆外壁滑动，并带动连接块，压缩第一弹簧，连接块一端的防护框靠近相互啮合，磁铁吸附，橡胶块贴合在天线外壁，能够快速安装天线的同时为天线带来防护效果，避免了天线的根部折弯导致天线将电磁扫描仪的外壳掰坏导致装置损坏。
一种便携式电磁检测智能化管道扫描装置

[发明专利]一种衬底剥离方法-CN202010943817.8有效
发明人：何晨光;张康;吴华龙;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底剥离方法。本发明的衬底剥离方法包括以下步骤：(1)在第一衬底上沉积AlN材料，形成复合基板，其中，沉积AlN材料过程中的环境气氛掺有氧元素，使得AlN材料中氧原子浓度高于1E16cm‑3；(2)将复合基板置于退火炉中，升温至1400‑2000℃，并在此温度退火0.5‑24h，在退火过程中，在AlN材料与第一衬底的界面上方形成反型边界，退火后降温将复合基板取出；(3)在经过退火的复合基板上外延生长外延层，形成完整的外延片；(4)将激光从第一衬底面照射，激光光斑聚焦在反型边界，使得反型边界上方和下方分离，实现第一衬底的剥离。本发明的剥离方法简单，低成本，良率高，且不受限于短波长、大功率激光器。
一种衬底剥离方法

[发明专利]氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法-CN202011574313.X有效
发明人：吴华龙;何晨光;张康;贺龙飞;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法，其中，退火处理方法包括以下步骤：步骤S1，在第一晶片的氮化物材料层表面上沉积采用能够通过化学腐蚀方式去除的耐高温材料保护层，其中，第一晶片通过在异质衬底上沉积氮化物材料层制得；步骤S2，对沉积有保护层的第一晶片进行高温退火处理；步骤S3，通过化学腐蚀方式去除经过高温退火处理的第一晶片上的保护层。本发明的方案通过设置保护层，使得在进行高温退火处理以降低氮化物材料层位错密度时，氮化物材料层不会出现表面分解，且能避免气氛中的碳、氧等杂质并入；且通过化学腐蚀的方式去除保护层，不会损伤氮化物材料层和异质衬底。
氮化物半导体材料制备方法及其退火处理

[发明专利]半导体单晶材料的制备方法-CN202211717074.8在审
发明人：吴华龙;何晨光;张康;赵维;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体单晶材料的制备方法，其包括以下步骤：采用异质衬底进行材料制备；在200℃‑700℃的温度下，在异质衬底上溅射化合物半导体材料，以得到第一晶圆；对第一晶圆进行次数不少于两次的热处理，以得到热处理成品晶圆，其中，每次热处理的温度比前一次热处理的温度高，第一次热处理的温度高于溅射温度，最后一次热处理温度范围为1300℃‑1800℃；在热处理成品晶圆上沉积化合物半导体材料，以制得半导体单晶材料。由此，化合物半导体材料经过前期低温热处理材质得到了致密化，避免后续进行高温热处理重排形成单晶时因结构松散而出现热分解的问题，以便后续沉积的化合物半导体材料保持单晶状态。
半导体材料制备方法

[发明专利]一种单一N极性AlN薄膜制备方法-CN202211414050.5在审
发明人：何晨光;吴华龙;张康;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种单一N极性AlN薄膜制备方法，其包括以下步骤，S10：将第一模板覆盖在通过在耐高温的无硅衬底上沉积AlN薄膜得到的AlN模板中的AlN薄膜的上表面上，其中，第一模板含Al组分和N组分两者中的至少一者且耐高温；S20：将覆盖有第一模板的AlN模板进行高温退火，以在AlN薄膜中形成AlON层，和在所述AlN薄膜中的所述AlON层的两侧分别形成N极性AlN层和Al极性AlN层；S30：刻蚀去除AlON层和Al极性AlN层，以制得具有单一N极性AlN薄膜的AlN模板。由此，耐高温第一模板，可以避免AlN薄膜在高温退火的过程中出现分解或表面受损的问题；而且，可以通过去除AlN模板在高温退火过程中形成的Al极性AlN层和AlON层的方式获得具有单一N极性的AlN薄膜。
一种单一极性 aln 薄膜制备方法

[发明专利]超声导波管道缺陷无损检测方法-CN202211615969.0在审
发明人：徐伟;宋俭;李杰;贺龙飞 -专利权人：东南塞普检测技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N29/06 文献下载
摘要：公开了一种超声导波管道缺陷无损检测方法，其采用基于深度学习的人工智能检测技术，以通过对于待检测管道的检测超声导波信号和无缺陷管道的参考超声导波信号在高维空间中进行多尺度的特征差异性对比来进行所述待检测管道是否存在缺陷的检测判断。这样，能够准确地进行管道缺陷的无损检测。
超声导波管道缺陷无损检测方法

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