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[发明专利]自对准外延生长的双极型晶体管-CN200580036080.5无效
发明人：彼得·马格涅;韦伯·范诺尔特;约翰·唐克斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：公开了一种形成自对准双极型晶体管的方法，所述方法包括：使用第一双极型掩模在双极型区中限定双极型有源区和场区，双极型区和CMOS区由隔离区分开，其中，限定双极型有源区包括；将双极型有源区刻蚀到预定深度；将SiGe型基极层沉积到双极型有源区和场区中；以及在双极型有源区内的SiGe型基极层上形成内部隔板；在双极型有源区中的内部隔板之间形成发射极区，其中，形成发射极区包括；用掺杂硅填充发射极区；使用第二双极型掩模限定非本征基极区，由于第二双极型掩模提供的掩模保护作用，去除SiGe型基极层中的材料；对CMOS区内的集电极区进行注入；以及对于有源晶体管区的非本征基极区、发射极区和集电极区的每一个，限定至少一个接触区。
对准外延生长双极型晶体管

[发明专利]一种应用冷双极型三极管的LED驱动电路-CN201710096588.9有效
发明人：彭继辉 -专利权人：中山市领航光电科技有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用冷双极型三极管的LED驱动电路，包括整流滤波电路、冷双极型三极管以及反馈调节电路，冷双极型三极管的控制端与整流滤波电路电性连接以通过整流滤波电路触发冷双极型三极管的导通，反馈调节电路的输入端与冷双极型三极管的输出端电性连接，反馈调节电路的输出端与冷双极型三极管的控制端电性连接以根据冷双极型三极管的输出信号来反馈控制冷双极型三极管的通断，使冷双极型三极管的输出端输出高频电压信号以驱动LED工作，本设计能够驱动高功率的LED，由于冷双极型三极管耐温高，大大节省了成本，同时冷双极型三极管工作稳定，不易损坏，耐久度高。
一种应用冷双极型三极管 led 驱动电路

[实用新型]一种应用冷双极型三极管的LED驱动电路-CN201720165110.2有效
发明人：彭继辉 -专利权人：中山市领航光电科技有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用冷双极型三极管的LED驱动电路，包括整流滤波电路、冷双极型三极管以及反馈调节电路，冷双极型三极管的控制端与整流滤波电路电性连接以通过整流滤波电路触发冷双极型三极管的导通，反馈调节电路的输入端与冷双极型三极管的输出端电性连接，反馈调节电路的输出端与冷双极型三极管的控制端电性连接以根据冷双极型三极管的输出信号来反馈控制冷双极型三极管的通断，使冷双极型三极管的输出端输出高频电压信号以驱动LED工作，本设计能够驱动高功率的LED，由于冷双极型三极管耐温高，大大节省了成本，同时冷双极型三极管工作稳定，不易损坏，耐久度高。
一种应用冷双极型三极管 led 驱动电路

[发明专利]大功率放大器的温度不敏感型偏压电路-CN200480021519.2有效
发明人： Y·杨;K·乔依;N－C·郑 -专利权人：斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：偏压电路包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管。第一双极型晶体管具有连接到第一节点的基极，第一节点通过第一电阻连接到参考电压。第二双极型晶体管具有连接到第一节点的基极。第三双极型晶体管具有连接到第一节点的集电极和在第二节点连接到第一双极型晶体管的射极的基极。第二双极型晶体管的射极被连接到与放大器相关的第四双极型晶体管的基极，第二双极型晶体管不具有连接到第二双极型晶体管的射极的电阻。
大功率放大器温度敏感偏压电路

[实用新型]一种单端输入迟滞比较电路-CN201520312354.X有效
发明人：沈怿皓;于涛 -专利权人：上海中基国威电子有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：第一绝缘栅双极型晶体管的门极接第五电阻至输入电压端，第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别接第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的发射极，第三绝缘栅双极型晶体管、第五绝缘栅双极型晶体管的门极、集电极均接第四绝缘栅双极型晶体管的门极，第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接第三电阻、第四电阻至第十三绝缘栅双极型晶体管、第十四绝缘栅双极型晶体管的集电极。
一种输入迟滞比较电路

[发明专利]一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法-CN201410135934.6有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
一种基于离子注入方式双极型器件位移辐照加固方法

[发明专利]一种可伸缩电子外科装置-CN98814385.2有效
发明人：伊恩·考斯麦斯库 -专利权人：伊恩·考斯麦斯库
申请日： 1998-11-16 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： A61B18/14 文献下载
摘要：所揭示的是一种与电子外科单元(ESU)一起使用的多功能可伸缩单极/双极型电子外科笔。单极/双极型电子外科笔包括双极型电极，该双极型电极具有夹在工作电极和返回电极之间的绝缘体，其中，双极型电极与一能够使靠双极型电极的切割和凝结交替有效的手持件连接。单极/双极型电子外科笔能够起到单极型和双极型设备两方面作用，并可用于敞开式和封闭式腹腔镜和内窥镜过程。还提供用于调节双极型电极长度的可伸缩装置作为烟雾抽空和抽吸/冲洗用装置。还可采用多功能可伸缩单极/双极型设备与ESU-氩气束凝结器一起使用。
一种伸缩电子外科装置

[实用新型]一种半导体电路及智能功率模块-CN202222641578.8有效
发明人：冯宇翔;谢荣才;华庆;李强;盛爽;蒋华杏;高远航 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体电路及智能功率模块，包括：驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块，所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接；所述多组功率模块包括RC绝缘栅双极型晶体管和与所述RC绝缘栅双极型晶体管并联的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的源极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的源极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的漏极与所述RC绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的栅极、所述RC绝缘栅双极型晶体管的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。
一种半导体电路智能功率模块

[发明专利]高压半导体功率开关器件-CN201410584966.4有效
发明人：谢潮声;陈安邦;邓志强 -专利权人：科域半导体有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本发明公开了一种三端子高压达林顿双极型晶体管功率开关器件，其包括:两个高压双极型晶体管，两者的集电极连接在一起作为集电极端子,第一高压双极型晶体管的基极作为基极端子,第一高压双极型晶体管的发射极连接到第二高压双极型晶体管的基极(内部基极),并且第二高压双极型晶体管的发射极作为发射极端子；二极管,其正极连接到所述内部基极(第一高压双极型晶体管的发射极,或第二高压双极型晶体管的基极)，并且其负极连接到所述基极端子。类似地，可以通过将前述的开关器件的第一高压双极型晶体管替换为高压MOSFET来形成三端子MOSFET/双极型晶体管混合高压开关器件。
高压半导体功率开关器件

[发明专利]对双极型晶体管进行仿真的方法及双极型晶体管仿真电路-CN201210452059.5有效
发明人：王正楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种对双极型晶体管进行仿真的方法，其先建立一双极型晶体管仿真电路，双极型晶体管仿真电路包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻；电压控制电流源、寄生电阻串接在标准双极型晶体管的基极同集电极之间；然后该双极型晶体管仿真电路对双极型晶体管进行仿真。本发明还公开了一种双极型晶体管仿真电路。本发明能仿真双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性，仿真精度高。
双极型晶体管进行仿真方法电路

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路-CN201310537659.6有效
发明人：叶彬城;陈文全 -专利权人：中航太克（厦门）电子技术股份有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块与IGBT的E极连接。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。
绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路-CN201320688973.X有效
发明人：叶彬城;陈文全 -专利权人：厦门普罗太克科技有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块接IGBT的E极。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。
一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

[实用新型]一种全数字控制交流静止变流器-CN201320555047.5有效
发明人：郭丕龙;张宇娇 -专利权人：三峡大学
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H02M5/22 文献下载
摘要：一种全数字控制交流静止变流器，它包括电源，电源与第一双向晶闸管串接入变压器一次侧，变压器二次侧回路中设有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管，第一绝缘栅双极型晶体管的发射极与第二绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，第二绝缘栅双极型晶体管的集电极与第三绝缘栅双极型晶体管集电极连接，第三绝缘栅双极型晶体管的发射极与第四绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，电源的两端与第二双向晶闸管及负载形成回路；晶闸管以及绝缘栅双极型晶体管与单片机的并行口连接
一种数字控制交流静止变流器

[发明专利]放大电路-CN201410474523.X有效
发明人：塩原秀明 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H03F3/30 文献下载
摘要：一种放大电路，包括：第一电源；集电极连接到第一电源的第一双极型晶体管；一端连接到第一双极型晶体管的发射极的第一电阻；集电极连接到第一电阻的另一端的第二双极型晶体管；第二电源；集电极连接到第二电源的第三双极型晶体管；一端连接到第三双极型晶体管的发射极的第二电阻；以及集电极连接到第二电阻的另一端的第四双极型晶体管。第二双极型晶体管的发射极直接连接到第四双极型晶体管的发射极，由此成为输出端。
双极型晶体管集电极连接发射极电阻电源放大电路一端连接输出端

[实用新型]抑制绝缘栅双极型晶体管关断尖峰的电路-CN201520264379.7有效
发明人：吴志猛;廖荣辉;曹晓生;文熙凯 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种抑制绝缘栅双极型晶体管关断尖峰的电路，包括绝缘栅双极型晶体管和负反馈电路；所述驱动电路的输出端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，用于驱动所述绝缘栅双极型晶体管导通或关断，所述负反馈电路的第一端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述负反馈电路的第二端与所述绝缘栅双极型晶体管的辅助射极连接，所述负反馈电路的第三端与所述绝缘栅双极型晶体管的功率射极连接，用于检测所述辅助射极与所述功率射极之间的寄生电感的压降，在所述绝缘栅双极型晶体管关断时抑制所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和功率射极之间的关断尖峰
抑制绝缘栅双极型晶体管尖峰电路

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