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[发明专利]磁-介电组件及制造方法-CN201610451521.8在审
发明人： D.克鲁克香克;T.M.利;J.郑 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01P1/36 文献下载
摘要：一种制造复合磁‑介电盘组件的方法包括：形成介电陶瓷环形圆筒，形成磁陶瓷棒，将所述磁陶瓷棒同轴地装配在所述介电陶瓷圆筒内部，使用包括陶瓷材料的粘合剂将所述磁陶瓷棒接合到所述介电陶瓷圆筒以形成棒与圆筒组件，以及切割所述棒与圆筒组件以形成多个复合磁‑介电盘形组件。所述磁‑介电盘组件可被用作例如环形器、隔离器或相似的电气组件的部件。
组件制造方法

[发明专利]磁-介电组件及制造方法-CN201410188266.3在审
发明人： D.克鲁克香克;T.M.利;J.郑 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：一种制造复合磁-介电盘组件的方法包括：形成介电陶瓷环形圆筒，形成磁陶瓷棒，将所述磁陶瓷棒同轴地装配在所述介电陶瓷圆筒内部，使用包括陶瓷材料的粘合剂将所述磁陶瓷棒接合到所述介电陶瓷圆筒以形成棒与圆筒组件，以及切割所述棒与圆筒组件以形成多个复合磁-介电盘形组件。所述磁-介电盘组件可被用作例如环形器、隔离器或相似的电气组件的部件。
组件制造方法

[发明专利]包括与无源元件集成的器件晶片的晶片级封装-CN201110412463.5有效
发明人： Q·甘;R·沃伦;A·洛比安科;S·梁 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：根据示例性的实施例，一种晶片级封装包括这样的器件晶片，所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件，并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述晶片级封装包括位于所述器件晶片之上的第一聚合物层。所述晶片级封装包括位于所述第一聚合物层之上并具有第一端子和第二端子的至少一个无源元件。所述至少一个无源元件的第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。所述晶片级封装包括位于所述至少一个无源元件之上的第二聚合物层。所述晶片级封装包括位于所述第二聚合物层之上并被电连接到所述至少一个无源元件的所述第二端子的至少一个聚合物层接触衬垫。
包括无源元件集成器件晶片封装

[发明专利]磁-介电组件及制造方法-CN200880131632.4在审
发明人： D·克鲁克香克;T·M·利;J·郑 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01P1/36 文献下载
摘要：一种制造复合磁-介电盘组件的方法包括：形成介电陶瓷环形圆筒，形成磁陶瓷棒，将所述磁陶瓷棒同轴地装配在所述介电陶瓷圆筒内部，使用包括陶瓷材料的粘合剂将所述磁陶瓷棒接合到所述介电陶瓷圆筒以形成棒与圆筒组件，以及切割所述棒与圆筒组件以形成多个复合磁-介电盘形组件。所述磁-介电盘组件可被用作例如环形器、隔离器或相似的电气组件的部件。
组件制造方法

[发明专利]使用倒装芯片安装的晶片级封装-CN200880118203.3有效
发明人： B·塔布利兹 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体封装器件以及在封装工艺期间并入了在电子器件周围形成腔的封装方法。在一个实例中，所述器件封装包括：第一衬底，具有形成在其中的第一凹陷；以及第二衬底，具有形成在其中的第二凹陷；以及安装在所述第一凹陷中的电子器件。所述第一和第二衬底被接合到一起，其中所述第一和第二凹陷基本上彼此覆盖，从而形成在所述电子器件周围的腔。
使用倒装芯片安装晶片封装

[发明专利]用于功率控制环中的饱和检测和校正的系统和方法-CN200880101996.8有效
发明人： D·S·里普利;K·B·菲利普斯 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：介绍了用于检测和校正功率放大电路中的饱和的系统和方法。示例性电路包含：功率放大器，其基于输入信号和增益控制信号提供放大的输出信号；功率检测器，其提供指示放大信号量值的检测器信号；误差放大器，其基于设置点信号和检测器信号产生增益控制信号；饱和检测器，其提供指示增益控制信号是否超过基准信号的饱和检测信号。在另一实施例中，该电路包含偏差发生器，其响应于指示增益控制信号超过基准信号的饱和检测信号提供对设置点信号的校正。在又一实施例中，电路包含偏差截止电路，其响应于校正超过阈值冻结对设置点信号的校正。
用于功率控制环中饱和检测校正系统方法

[发明专利]具有用于减小的互调失真的可选择相移模式的开关装置-CN200880024616.5有效
发明人： D·普里科霍德克;S·纳博金;O·克利马舍夫;S·C·斯普林克尔;G·A·特卡琴科;R·A·卡特 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：根据一示例性实施例，具有在至少两种相移模式中间进行选择以减小开关装置中的互调失真的相位选择端子的开关装置包含通过使能耦合到开关装置的输入的第一相移开关支路中的第一传输线来选择开关装置的第一相移模式的第一相位选择端子。开关装置还包含第二相位选择端子，其通过使能耦合到开关装置输入的第二相移开关支路来选择开关装置的第二相移模式。开关装置中的互调失真通过选择第一与第二相移模式中的一种来减小。第一传输线通过使能与第一相移开关支路中的第一传输线串联耦合的FET来使能。
具有用于减小失真可选择相移模式开关装置

[发明专利]具有减小的互调失真的开关装置-CN200880024531.7无效
发明人： D·普里科霍德克;S·纳博金;O·克利马舍夫;S·C·斯普林克尔;G·A·特卡琴科;R·A·卡特 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：根据一示例性实施例，具有在至少两种相移模式中间进行选择以减小开关装置中的互调失真的相位选择端子的开关装置包含通过使能耦合到开关装置的输入的第一相移开关支路中的第一移相器来选择开关装置的第一相移模式的第一相位选择端子。开关装置还包含第二相位选择端子，其通过使能耦合到开关装置输入的第二相移开关支路来选择开关装置的第二相移模式。开关装置中的互调失真通过选择第一与第二相移模式中的一种来减小。开关装置还可包含串联耦合在开关装置的输出和第一与第二相移开关支路之间的多个FET。
具有减小失真开关装置

[发明专利]包括与无源元件集成的器件晶片的晶片级封装-CN200680008015.6有效
发明人： Q·甘;R·沃伦;A·洛比安科;S·梁 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：根据示例性的实施例，一种晶片级封装包括这样的器件晶片，所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件，并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述晶片级封装包括位于所述器件晶片之上的第一聚合物层。所述晶片级封装包括位于所述第一聚合物层之上并具有第一端子和第二端子的至少一个无源元件。所述至少一个无源元件的第一端子被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。所述晶片级封装包括位于所述至少一个无源元件之上的第二聚合物层。所述晶片级封装包括位于所述第二聚合物层之上并被电连接到所述至少一个无源元件的所述第二端子的至少一个聚合物层接触衬垫。
包括无源元件集成器件晶片封装

[发明专利]用于制造具有用于外部封装连接性的贯穿晶片过孔的晶片级封装的方法和相关的结构-CN200680006445.4无效
发明人： Q·甘;A·J·罗比安柯;R·W·华伦 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2006-03-09 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：根据一个示例性实施例，一种用于制造晶片级封装的方法包括：在器件晶片上形成聚合物层，其中所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件，并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述方法还包括将保护晶片接合到所述器件晶片。所述方法还包括在所述保护晶片中形成至少一个过孔，其中所述至少一个过孔延伸贯穿所述保护晶片并且位于所述至少一个器件晶片接触衬垫之上。所述方法还包括在所述保护晶片上形成至少一个保护晶片接触衬垫，其中所述至少一个保护晶片接触衬垫位于所述至少一个过孔之上并且被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。
用于制造具有外部封装连接贯穿晶片方法相关结构

[发明专利]用于语音编码和语音识别的噪音抑制器-CN200480035004.8有效
发明人： S·E·布－加扎勒 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2004-11-18 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G10L21/02 文献下载
摘要：一种抑制源语音信号中的噪音的噪音抑制器，其中，由该噪音抑制器使用的方法包括：计算源语音信号中的信噪比；基于源语音信号的当前帧和至少一个以前的帧以及根据信噪比，计算所述当前帧的背景噪音估计，其中，计算信噪比是独立于当前帧的背景噪音估计执行的；以及从源语音信号中减去背景噪音估计以产生降噪语音信号。该方法还可以包括基于信噪比计算过减参数；基于信噪比计算噪音基底参数，其中，减法使用过减参数和噪音基底参数以产生降噪语音信号。
用于语音编码识别噪音抑制器

[发明专利]用在移动通信设备中的集成多波段收发机-CN200680002796.8无效
发明人： N·J·比米施;A·达罗施;B·罗摩占陀罗 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2006-01-11 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H04M1/00 文献下载
摘要：一种多波段通信设备，被配置有用于在蜂窝、卫星或其它通信网络上进行语音或数据通信的移动通信设备，并被配置有被配置为接收和/或发送辅助通信信号的辅助通信系统。所述移动通信设备和辅助通信系统被集成到该多波段通信设备之内的相同组件中，从而允许所述组件共享与多波段通信设备内的每一通信设备关联的处理任务。所述辅助通信设备可以被配置为在所述移动通信设备的待机模式期间进行操作，例如在接收寻呼信号期间。所述辅助通信设备可以包括AM或FM无线电装置、诸如FRS、GMRS的个人通信设备或气象波段无线电装置，但不限于此。
移动通信设备中的集成波段收发

[发明专利]高效多频带天线开关电路-CN200480039223.3无效
发明人： N·A·施密茨;M·N·阿亚瓦茨安;P·H·汤普森;E·F·劳伦斯;D·E·埃文斯;D·M·詹森 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2004-11-10 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H04B1/44 文献下载
摘要：一种示范性天线开关电路，包括第一、第二、第三和第四开关。第一开关由第一控制信号激活，以便在第一发射端口和天线之间建立连接；第二开关由第二控制信号激活，以便在第二发射端口和天线之间建立连接；第三开关由第三控制信号激活，以便在第一接收端口和天线之间建立连接；以及第四开关由第三控制信号激活，以便在第二接收端口和天线之间建立连接。利用该设置，当第三开关和第四开关被第三控制信号激活时，第一接收端口和第二接收端口同时连接到天线。
高效频带天线开关电路

[发明专利]具有集成EMI和RFI屏蔽的包覆成型半导体封装-CN200580006400.2有效
发明人： R·W·华伦;S·贾亚拉曼;L·D·波特鲍姆 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2005-02-11 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：根据一个示例性实施例，一种包覆成型封装，包括位于衬底上的半导体管芯。所述包覆成型封装还包括位于所述半导体管芯和所述衬底上方的包覆模体，其中所述包覆模体具有顶面。所述包覆成型封装还包括位于所述包覆模体的所述顶面上的导电层，其中所述导电层包括导电聚合体，并且其中所述导电层形成EMI和RFI屏蔽。根据该示例性实施例，所述包覆成型封装还可包括位于所述衬底上方的柱，其中所述柱连接到所述导电层。所述包覆成型封装还可包括位于所述包覆模体中的孔，其中所述孔位于所述柱上方，其中用所述导电聚合体填充所述孔，以及其中所述导电聚合体与所述柱接触。
具有集成 emi rfi 屏蔽成型半导体封装

[发明专利]包括具有提高的线性和可制造性的FET的BiFET-CN200480031215.4有效
发明人： P·J·赞帕尔迪;R·N·皮尔森 -专利权人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
申请日： 2004-10-04 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：根据一个示例性实施例，一种位于衬底上的BiFET，包括位于所述衬底上方的发射极层部分，其中所述发射极层部分包括第一类型的半导体。所述HBT还包括蚀刻停止层的第一部分，其中所述蚀刻停止层的所述第一部分包括InGaP。所述BiFET还包括位于所述衬底上方的FET，其中所述FET包括源极和漏极区域，其中所述蚀刻停止层的第二部分位于所述源极和漏极区域之下，以及其中所述蚀刻停止层的所述第二部分包括InGaP。所述FET还包括第二类型的半导体层，其位于所述蚀刻停止层的所述第二部分之下。所述蚀刻停止层提高了所述FET的线性，且没有降低所述HBT中的电子电流。
包括具有提高线性制造 fet bifet

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