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[发明专利]控制单晶高温合金再结晶的方法-CN202110982706.2有效
发明人：束国刚;任忠鸣;玄伟东;段方苗;王保军;李霞;白小龙 -专利权人：中国联合重型燃气轮机技术有限公司;上海大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制单晶高温合金再结晶的方法，所述控制单晶高温合金再结晶的方法包括以下步骤：步骤1：提供产生残余应力的单晶高温合金；步骤2：将所述单晶高温合金置于交变磁场中，并在预设温度下保持预设时间，以使所述单晶高温合金中的残余应力释放。根据本发明提供的控制单晶高温合金再结晶的方法利用交变磁场作用于单晶高温合金释放单晶高温合金中的残余应力，从而抑制了单晶高温合金中再结晶的形成。
控制高温合金再结晶方法

[实用新型]一种单晶炉用环形降氧工装及系统-CN202223493656.0有效
发明人：杨春祥;石鑫;董宇豪;何阳 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉技术领域，公开了一种单晶炉用环形降氧工装及系统，其中单晶炉用环形降氧工装，包括若干个弧形阻热装置，弧形阻热装置安装在单晶炉内的环形加热器的下方，弧形阻热装置安装在环形加热器上的相邻的两个脚板之间；单晶炉用环形降氧系统，包括单晶炉和上述的单晶炉用环形降氧工装。本实用新型能够解决单晶炉内的高氧问题，提高了生成的单晶硅的品质。
一种单晶炉用环形工装系统

[发明专利]单晶金刚石和使用该单晶金刚石的半导体元件-CN201880081889.7在审
发明人：大曲新矢;山田英明;茶谷原昭义;杢野由明 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种降低了位错密度的单晶金刚石。单晶金刚石(10)具备单晶金刚石层(2、3)。单晶金刚石层(2)形成于金刚石基板(1)之上，包含点缺陷。单晶金刚石层(3)配置在单晶金刚石层(2)之上。单晶金刚石层(2、3)具有比金刚石基板低的位错密度。
金刚石使用半导体元件

[发明专利]一种根据生长角度控制区熔单晶自动生长的方法-CN201711011148.5在审
发明人：尚锐刚;王永涛;李明飞;白杜娟;高源;鲁进军;张建;闫志瑞 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种根据生长角度控制区熔单晶自动生长的方法。在该方法控制的区熔单晶自动生长过程中，通过设置单晶生长角度，并且考虑由于单晶直径和熔区深度变化造成的熔区体积变化，从而精确计算出单晶达到预设直径时所需的多晶移动速度。同时线圈功率按照以直径为函数的曲线变化，该函数曲线通过手动拉晶数据拟合得到，在计算过程中，由于预设单晶直径与单晶生长角度有关，故线圈功率也是随单晶生长角度变化。通过如上设置保证多晶移动速度和线圈功率均为单晶达到预设直径的所需数值，且相互匹配，最终保证区熔单晶自动生长的精确控制。采用本方法生长出的区熔硅单晶不受设备与多晶原料影响，单晶肩部具有标准的外形尺寸，一致性非常高。
单晶生长单晶生长线圈功率预设控制区多晶熔区区熔硅单晶多晶原料方法控制函数曲线计算过程角度变化曲线变化深度变化生长过程数据拟合体积变化移动肩部拉晶匹配保证

[发明专利]一种单晶硅棒称重装置-CN202010394949.X在审
发明人：郭志锋 -专利权人：郭志锋
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅棒称重装置，其结构包括机体、称台、单晶硅棒第一提升机构、单晶硅棒、双向液压缸、移动式称重体、单晶硅棒第二提升机构、伸缩架，移动式称重体通过伸缩架与机体连接，移动式称重体顶部连接有称台，与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过单晶硅棒第一提升机构、单晶硅棒第二提升机构能够对单晶硅棒进行夹紧提升，后下降轻放于称台，防止单晶硅棒与称台的刚性碰撞，对单晶硅棒起到很好的保护作用，无须人工将单晶硅棒搬运到称台上进行称重，能够有效解决人工搬运单晶硅棒放置造成单晶硅棒磕碰受损的问题。
一种单晶硅称重装置

[发明专利]一种单晶硅籽晶重复利用的方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN201910076657.9在审
发明人：尹翠哲;王小兵 -专利权人：尹翠哲;王小兵
申请日： 2019-01-26 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅籽晶重复利用的方法，用于制备铸造单晶硅片，包括以下步骤：(1)将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部；在籽晶层上方设置熔融硅料，熔融硅料继承单晶硅籽晶的晶向结构生长，制得铸造单晶硅锭；(2)将步骤（1）得到的铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭，在每个小方锭的底部区域切割得到尾料籽晶；(3)将步骤(2)得到的尾料籽晶与其他尾料籽晶或者新单晶硅籽晶互相拼接铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得铸造单晶硅锭(4)将步骤（3）所述铸造单晶硅锭依次经过切片和清洗得到所述铸造单晶硅片。本发明提供的方法使单晶硅籽晶能够完全或部分重复利用，大大降低了铸造单晶的籽晶成本。
一种单晶硅籽晶重复利用方法铸造及其制备

[发明专利]单晶硅棒电阻率的测量方法及装置-CN202110180928.2在审
发明人：兰洵;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅棒电阻率的测量方法及装置，属于半导体技术领域。单晶硅棒电阻率的测量方法包括：对待测单晶硅棒头部硅片的电阻率进行测量；根据测量得到的电阻率、单晶硅电阻率和掺杂浓度的第一关系计算所述待测单晶硅棒头部的掺杂浓度；获取单晶硅棒电阻率的测算公式，所述测算公式的计算参数包括单晶硅棒不同位置的浓度比值和单晶硅棒头部的掺杂浓度；根据单晶硅棒不同位置的浓度比值和所述待测单晶硅棒头部的掺杂浓度计算所述待测单晶硅棒不同位置的电阻率。本发明能够计算固定位置处单晶硅棒的电阻率。
单晶硅电阻率测量方法装置

[发明专利]方形单晶光纤制备方法、方形单晶光纤以及复合晶体-CN202210570145.X在审
发明人：晏恒峰;赵晓杰 -专利权人：常州英诺激光科技有限公司;英诺激光科技股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种方形单晶光纤制备方法，包括将多个单晶光纤胚料排列在基座上并做固定处理；通过研磨机对固定后的多个单晶光纤胚料的上表面进行研磨、抛光；将每个单晶光纤胚料旋转90°后，再和基座进行绑定，对绑定后的各个单晶光纤胚料上表面继续进行研磨、抛光；重复两次，实现对各个单晶光纤胚料四个侧面的研磨、抛光；将各个单晶光纤胚料固定成柱状，通过研磨机对柱状单晶光纤胚料组的上下端面进行研磨、抛光，至此单晶光纤加工完毕。一种方形单晶光纤，采用上述的方形单晶光纤制备方法所制得。一种复合晶体，包括中间晶体；以及多对侧边晶体；中间晶体和侧边晶体均采用上述的方形单晶光纤。
方形光纤制备方法以及复合晶体

[发明专利]单晶叶片模壳间隙检查装置及检查方法-CN202110692711.X在审
发明人：刘飞扬;郭万军;李新川;李鹏飞;孙朔 -专利权人：江苏集萃先进金属材料研究所有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01B7/14 文献下载
摘要：一种单晶叶片模壳间隙检查装置及检查方法，其中，间隙检查装置适用于预先检测待检测单晶叶片模壳与模拟隔热屏之间的间隙，包括：模拟隔热屏，中间设计有通道允许待检测单晶叶片模壳通过；高度调节机构，适用于带动模拟隔热屏沿着待检测单晶叶片模壳的上下位置移动；距离传感器，适于检测模拟隔热屏与待检测单晶叶片模壳间隙大小；底座，适于对待检测单晶叶片模壳进行支撑和定位。通过单晶叶片模壳间隙检查装置，可有效改善单晶叶片在单晶生长过程中的温度场均匀性，提高单晶叶片的质量和成品率。同时，通过间隙检测方法，可将有尺寸干涉问题的模壳提前报废，避免在单晶生长过程中发生模壳与单晶设备中使用的隔热屏发生碰撞，防止损坏设备。
叶片间隙检查装置方法

[发明专利]硅单晶基板的制造方法及硅单晶基板-CN202180051548.7在审
发明人：曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶基板的制造方法，其为在表面具有碳扩散层的硅单晶基板的制造方法，其包含：通过在含碳气体气氛中对硅单晶基板进行RTA处理，使碳附着于所述硅单晶基板的表面的工序；使所述碳与所述硅单晶基板反应，从而在所述硅单晶基板的表面形成3C‑SiC单晶膜的工序；通过在氧化性气氛中对形成有所述3C‑SiC单晶膜的硅单晶基板进行RTA处理，将所述3C‑SiC单晶膜氧化而制成氧化膜并同时使碳在所述硅单晶基板中向内扩散的工序由此，提供具有近邻吸杂能力且表面附近的强度高、不易发生位错或位错不易扩展的硅单晶基板及其制造方法。
硅单晶基板制造方法

[发明专利]一种高纯碳化硅单晶衬底-CN201811204666.3有效
发明人：高超;柏文文;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅单晶衬底，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。该高纯碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷的低浓度，使得高纯碳化硅单晶作为GaN外延的基底时，GaN和碳化硅单晶的晶格适配度更高，使得制备的GaN外延层的质量更佳；且高纯碳化硅单晶的主体层具有一定浓度的内部点缺陷，可以保持高纯碳化硅单晶衬底的半绝缘特性。
一种高纯碳化硅衬底

[发明专利]一种单晶硅制绒剂及绒面单晶硅的制备方法-CN202111520915.1有效
发明人：李一鸣;吴冰;张震华 -专利权人：绍兴拓邦电子科技有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅制绒剂及绒面单晶硅的制备方法；属于单晶硅制绒技术领域；本发明中单晶硅制绒剂包括碱液和制绒添加剂；绒添加剂包括改性聚乙烯醇；改性聚乙烯醇由甘西鼠尾草酸甲改性聚乙烯醇。本发明的制备方法包括步骤：S1：将单晶硅片进行预处理；S2：将预处理后的单晶硅片置于单晶硅制绒剂中进行制绒；S3：将制绒后的单晶硅片清洗、干燥，得到绒面单晶硅。制得的单晶硅制绒剂具有优良稳定性以及能够降低泡沫性能，将其用于单晶硅处理，得到的绒面单晶硅具有绒面均匀、尺寸细小的形貌结构，同时具有较低的反射率。
一种单晶硅制绒剂制备方法

[发明专利]基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统-CN202310486587.0有效
发明人：蔡一茂;马君健 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统，属于半导体技术领域。基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法，包括以下步骤：获取单晶炉热场参数源数据；对获取的源数据进行预处理，得到预处理的源数据；输入单晶生长环境感知物联网产生的数据到大数据平台，通过运算框架对所述预处理的源数据建立模型；根据单晶炉热场参数源数据。本发明解决了现有技术中没有对单晶炉热场进行合理设计，导致单晶生长质量低的问题，对原有单晶炉热场进行扩容处理，能够对单晶硅的直径具有包容性，适用面广；且扩容后的单晶炉热场功耗相较于原单晶炉热场的功耗较低，因而单晶硅生成的质量较好。
基于数据提高生长对流分布均匀方法系统

[发明专利]一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉-CN201510970073.8在审
发明人：司佳勇;周浩;尚繁;刘亚静 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，尤其是涉及熔融液提拉法的大尺寸单晶生长技术领域，具体公开了一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉，通过优化单晶炉生产工艺及氩气吹扫方式，能够控制单晶硅生长界面保持良好的温度梯度，提高热场稳定性，提高单晶生长速率同时保证稳定的单晶质量，提高了产能，降低了能耗和生产成本。
一种法制尺寸单晶硅方法单晶炉

[发明专利]一种单晶高温合金铸造工艺性能的评价方法-CN202011429145.5在审
发明人：王莉;董加胜;申健;张健;楼琅洪 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G01N33/204 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶高温合金铸造工艺性能的评价方法，属于单晶高温合金技术领域。该方法是采用定向凝固工艺制备单晶高温合金圆盘试样，通过测量所制备圆盘试样中单晶晶粒面积所占比例情况，来评价该单晶高温合金的铸造工艺性能。本发明采用简单的结构，考察单晶高温合金的铸造工艺性能，使用该方法可为单晶高温合金材料的选择提供依据，并指导单晶高温合金部件的设计与生产。
一种高温合金铸造工艺性能评价方法