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[发明专利]单晶炉及单晶硅的制备方法-CN202211420346.8在审
发明人：许建枫;祝林飞;郝振庆;曹林;曹刚 -专利权人：浙江昱力机电科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了单晶炉及单晶硅的制备方法，单晶炉，包括单晶炉磁场装置、顶推控制杆，所述单晶炉磁场装置通过顶推控制杆进行升降控制，且单晶炉磁场装置通过设置的微调辅助机构进行位置微调；本发明设计单晶炉及相应的单晶硅制备方法，对于单晶炉磁场装置通过设置的承载环、微调辅助机构和锁定机构之间的配合使用，对于单晶炉磁场装置能够进行微调工作，进行微调修正，避免造成位置调控产生偏差，给单晶炉的使用提供便捷，提升单晶硅加工的工作质量，
单晶炉单晶硅制备方法

[发明专利]将从单晶锭切割的单晶段再循环的方法-CN201680067118.3在审
发明人： S·L·金贝尔 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：提供了将从半导体或太阳能级材料的单晶锭切割的单晶段再循环的方法。该方法包括从单晶锭移除第一单晶段，将第一单晶段与第二单晶段连接以形成单晶段链，并将单晶段链引入半导体或太阳能级材料的熔体中。
单晶单晶锭太阳能级再循环段链半导体切割段连接熔体移除引入

[发明专利]具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187181.6有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。
具有隔离薄膜制备方法谐振器

[发明专利]单晶硅片的制备方法和应用-CN202080010693.6有效
发明人：孟祥熙;曹育红;陈涛;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种单晶硅片的制备方法，其能将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅方片，可提高单晶硅棒的利用率。以及一种太阳能电池组件，其采用该制备方法制得的条状直角单晶硅片。
单晶硅制备方法应用

[发明专利]晶种的铺设方法及类单晶晶锭的制作方法-CN201710324758.4在审
发明人：蓝崇文;翁敬闳;杨承叡;张元啸;杨瑜民;余文怀;施英汝;许松林 -专利权人：中美矽晶制品股份有限公司;蓝崇文
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：上述拼接晶种层包括单晶块及单晶挡片，单晶块经配置位于长晶容器的底部且彼此不接触，单晶挡片分别夹设于相邻单晶块之间的间隙并分别与相邻单晶块接触，且单晶挡片的宽度小于单晶块的宽度。单晶块的晶向相同且朝向同一方向，单晶挡片的主要晶向与单晶块的主要晶向相同，且各单晶挡片的次要晶向与单晶块的次要晶向分别具有不为0度的夹角。本发明提供一种类单晶晶锭制作方法，包括形成熔汤于拼接晶种层上，以及冷却熔汤以使晶粒由拼接晶种层上成长以形成类单晶晶锭。
铺设方法类单晶晶锭制作方法

[发明专利]一种直拉法硅单晶新型扩肩方法-CN202111152823.2在审
发明人：景吉祥;李雪峰;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，包括：实时检测单晶长度和单晶直径，计算所述单晶实际斜率；将所述单晶实际斜率与所述单晶最优斜率范围进行对比，若所述单晶实际斜率在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速为设定拉速；若所述单晶实际斜率不在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速发生变化，为拉速系数z×所述设定拉速，直至所述单晶扩肩完成。本发明的有益效果是在现有逻辑基础上增加扩肩斜率判断，将设定斜率与实时斜率进行范围的比对，能够快速准确的显示出炉内单晶扩肩的真实情况，并且根据实际情况进行拉速的调整，提高整体单晶的成活率，解决目前进行扩肩工艺时存在滞后性，导致单晶扩肩成活率低的问题。
一种直拉法硅单晶新型方法

[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN202010758499.8有效
发明人：周声浪;张华利;胡动力;原帅;游达;周洁 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在容器的底部铺设回收单晶籽晶，形成单晶籽晶层；回收单晶籽晶自远离容器底部向靠近容器底部的方向为第一方向，第一方向与回收单晶籽晶的原晶体生长方向相同；在单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在长晶过程中改变了回收单晶籽晶中缺陷的生长方向，利用回收单晶籽晶中已有缺陷引导后续缺陷向与之前相反的方向扩展，实现了使用回收单晶籽晶生长的铸锭单晶硅锭的缺陷不再继续沿原方向扩展增殖，反而逐渐收窄甚至消失，提高了铸造单晶硅锭的良率。
铸造单晶硅及其制备方法

[实用新型]复合1024个单晶超声波探头的碗状光声成像探头装置-CN202220849690.8有效
发明人：陆千一;刘东旭;邓吉;刘占凯;滑劭宁;沈晨瑞 -专利权人：河北奥索电子科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了复合1024个单晶超声波探头的碗状光声成像探头装置，包括碗状工装，碗状工装上以斐波那契函数分布有单晶探头安装孔，数量为1024个，单晶探头安装孔中设有单晶探头本体，单晶探头本体连有探头线缆复合1024个单晶超声波探头的碗状光声成像探头装置通过斐波那契数列的单晶探头安装孔排设，为单晶探头本体提供最佳探测矩阵组合。碗状工装是由高分子聚酯材料加工而成；单晶探头本体安装入单晶探头安装孔；安装过程中精度要求高，要保证1024个单晶探头本体的同心度要一致。通过调整单晶探头本体在单晶探头安装孔内的安装深度来调节1024个单晶探头本体的同心度。通过对单晶探头安装孔和单晶探头本体的结构改造，使装置能实现同心度微调。
复合 1024 个单晶超声波探头碗状光声成像装置

[发明专利]一种控制掺镓单晶电阻率的单晶拉制工艺-CN202110672605.5在审
发明人：赵国伟;吴树飞;郝瑞军;刘振宇;王林;谷守伟;张文霞;王建平;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种控制掺镓单晶电阻率的单晶拉制工艺，在直拉单晶过程中，在等径阶段，根据单晶拉制长度的变化进行保护气体的流量和单晶炉的炉压的调整，控制保护气体的流量和单晶炉的炉压，控制合金挥发速率。本发明的有益效果是使得保护气体的流量在等径阶段随着单晶拉制长度的增加而增加，使得单晶炉的炉压在等径阶段随着单晶拉制长度的增加而减小，使得单晶炉的炉压及保护气体的流量联动控制，增加掺镓单晶拉制后期的合金挥发速率，降低合金浓度，提高掺镓单晶拉制长度。
一种控制掺镓单晶电阻率拉制工艺

[发明专利]一种倒装高压芯片的漏电定位方法及系统-CN202310498283.6在审
发明人：黄文光;樊明军;褚志强;曹玉飞;张振;赵方方;马璐 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请提供一种倒装高压芯片的漏电定位方法及系统，所述方法可以在目标倒装高压芯片中定位失效单晶，其中，目标倒装高压芯片包括多个发光单晶，失效单晶为存在漏电的发光单晶。并对正常单晶执行短路处理，以及向执行短路处理后的目标倒装高压芯片施加测试电压，以定位失效单晶的漏电位置，其中，正常单晶为目标倒装高压芯片上除失效单晶以外的发光单晶。所述方法采用破坏性方式，对倒装高压芯片中的失效单晶进行漏电分析，通过定位多晶串中的失效单晶，并对倒装高压芯片进行短路处理，使失效单晶以外的单晶均短路，进而实现定位漏电失效点，提高芯片漏电位置定位的准确性
一种倒装高压芯片漏电定位方法系统

[发明专利]一种圆柱状单晶定向对接方法-CN201911020634.2有效
发明人：郑剑平;赵建 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种圆柱状单晶定向对接方法，该方法通过单晶衍射仪获取单晶A和单晶B样品的劳厄照片，并对劳厄照片进行标定，分别得到两个单晶的晶体学坐标系与样品外观坐标系的转换矩阵；通过转换矩阵分别计算两个单晶同一非轴向晶向的晶向偏离角α和晶向方位角β，得到两个单晶的该晶向在样品侧面的投影位置，使所得到的单晶A和单晶B的晶向投影位置重合，实现单晶A和单晶B的对接。本发明的单晶定向对接方法直观、高效，定向过程不会对样品造成破坏，且不容易出现单晶或多晶的误判。
一种圆柱状定向对接方法

[发明专利]单晶硅片太阳能电池制造方法及其刻蚀方法-CN201110267103.0有效
发明人：钱家锜;林育玫;高伟哲;江漪凌 -专利权人：华康半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种单晶或类单晶硅片太阳能电池制造方法及适用于单晶或类单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，该刻蚀方法包含：利用一包含银离子的碱性刻蚀液，刻蚀一单晶或类单晶硅片的至少一表面，以使单晶或类单晶硅片的至少一表面制绒化通过在碱性刻蚀液中的银离子能催化碱刻蚀反应速率的特性，来缩短单晶或类单晶硅片制绒化工艺时间。
单晶硅太阳能电池制造方法及其刻蚀

[发明专利]一种氮化镓单晶材料及其制备方法-CN201810717305.2有效
发明人：谢奎;席少波;胡秀丽 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量氮化镓极性(0001)C面、非极性(10‑10)M面和(11‑20)A面单晶材料，以解决现有技术中氮化镓单晶材料异质生长和提高氮化镓器件性能的问题，大幅提高了氮化镓单晶材料的品质。所述氮化镓单晶材料包括A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜；和B氮化镓单晶薄膜；其中，所述B氮化镓单晶薄膜生长于所述A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜上。
一种氮化镓单晶材料及其制备方法

[实用新型]电缆结构-CN202023343259.6有效
发明人：何梦林;李皓 -专利权人：中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：电缆结构包括单晶金属芯以及单晶二维材料层；单晶二维材料层包覆在单晶金属芯的外表面。单晶金属芯的内部没有晶界，为单晶金属取向，单晶金属芯表面覆盖单晶二维材料层，单晶二维材料层覆盖均匀，与单晶金属芯不剥离，能够有效改善电缆导体的导电、耐腐蚀等性能；同时用于高频电缆，能够提高导电以及信号传输性能
电缆结构

[发明专利]一种单晶材料、及其制备方法和用途-CN201811566327.X在审
发明人：黄明远;刘才;程涵彦 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶材料，所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶，所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将TaS₂多晶、Cu粉和卤盐混合，得到前驱体；(2)将所述前驱体放入单晶炉中，熔融生长，制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料，制得材料的成功率高，在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌，生长周期缩短至十天以内，可工业化生产，且制得的单晶材料不易开裂。
单晶材料单晶炉熔融制备前驱体生长形貌控制晶体生长周期铜掺杂硫化粗品单晶多晶放入卤盐成功率