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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种起爆序列用V型结构MEMS执行器-CN201310176131.0有效
发明人：赵玉龙;胡腾江;李波;白颖伟 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种起爆序列用V型结构MEMS执行器，包括单晶硅衬底，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层上，MEMS执行器在单晶硅结构层中制作，MEMS执行器包括锚点，成阵列结构的V型梁热电驱动单元的两端与锚点连接，中间臂位于V型梁热电驱动单元的中间并相互固定，柔性梁的两端分别与中间臂和杠杆的首端相连接，隔板制作在杠杆的末端，将加速膛孔挡住，本发明利用了硅材料的热电效应与热膨胀效应
一种起爆序列结构 mems 执行

[发明专利]一种薄型硅单晶抛光片加工方法-CN200810204445.6有效
发明人：栾兴伟;叶祖超 -专利权人：上海合晶硅材料有限公司
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及薄型硅单晶抛光片的加工方法，其包括以下步骤：步骤一，对硅单晶采用线切割切片；步骤二，采用开槽双面研磨机，其上使用内圆镶软塑胶环的不锈钢行星片，对切片后的硅单晶进行双面研磨；步骤三，采用酸腐蚀减薄工艺本发明通过采用一种新的薄型硅单晶抛光片加工新的技术路线和工艺流程，有效提高薄型硅单晶抛光片TTV、WARP、TIR、STIR等水平和成品率。
一种薄型硅单晶抛光加工方法

[发明专利]一种提高100单晶成活率的放肩方法-CN202210403758.4有效
发明人：闫龙;周文辉;王忠保 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提高100单晶成活率的放肩的方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据预定拉速曲线进行晶棒拉制，以得到放肩肩型为等腰三角型的目标英寸晶棒，本发明通过预定拉速曲线进行晶棒拉制，使得放肩的肩型统一，且在放肩的过程中能够避免肩型中出现四条隆起脊带的概率，从而降低放肩的NG率。
一种提高 100 成活率方法

[发明专利]碳化硅单晶锭、由该单晶锭得到的基板及外延片-CN200980101336.4有效
发明人：大谷升;胜野正和;柘植弘志;中林正史;藤本辰雄 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供能够得到位错缺陷少且优质的基板的SiC单晶锭、由该单晶锭得到的基板及外延片，所述碳化硅单晶含有浓度为2×1018cm-3以上且6×1020cm-3以下的施主型杂质，且含有浓度为1×1018cm-3以上且5.99×1020cm-3以下的受主型杂质，而且所述施主型杂质的浓度大于受主型杂质的浓度，其差为1×1018cm-3以上且5.99×1020cm-3以下。
碳化硅单晶锭得到外延

[发明专利]光电动势元件-CN200610057698.6有效
发明人：寺川朗;浅海利夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。
电动势元件

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201480062812.7有效
发明人：添田聪;中野真二;池田光市 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明为一种单晶硅的制造方法，其是基于CZ法来制造N型单晶硅，所述CZ法具有使籽晶体取向坩埚中的硅熔液进行着液的引晶工序、以及之后提拉所述籽晶并使直径变细的缩颈工序，在该N型单晶硅的制造中，根据所述引晶时的温度与所述缩颈时的温度的差来预测所述硅熔液中的掺杂剂浓度，并基于该预测出的硅熔液中的掺杂剂浓度来控制提拉单晶的电阻率。由此，提供一种单晶硅的制造方法，其能够高效地制造所希望电阻率的单晶硅。
单晶硅制造方法

[发明专利]超薄型表面贴装整流器-CN201610625998.3在审
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄型表面贴装整流器，其二极管芯片包括表面设有重掺杂N型区的重掺杂P型单晶硅片，重掺杂N型区与重掺杂P型单晶硅片接触，重掺杂N型区四周设有沟槽，沟槽位于重掺杂P型单晶硅片和重掺杂N型区四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片的中部；所述环氧封装体底部设有一条形凸起绝缘部，此条形凸起绝缘部位于第一引线条的引脚区与第二引线条的引脚区，位于条形凸起绝缘部的两侧表面分别设有第一弧形凹陷区和第二弧形凹陷区。
超薄型表面整流器

[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法-CN201380047351.1无效
发明人：山元良高;小出直城 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种光电转换元件和该光电转换元件的制造方法，包括设置在半导体基板的一个表面的整个面的i型非单晶膜，半导体基板和i型非单晶膜的界面是平坦的。
光电转换元件以及制造方法

[实用新型]N型硅太阳能电池-CN200620068809.9无效
发明人：赵建华;王爱华;张凤鸣 -专利权人：中电电气（南京）光伏有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体，其特征是：N型直拉单晶硅片的正面设有随机正金字塔绒面结构层，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极；N型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的P型发射结层，在P型发射结层上附设丝网印刷的金属电极。本实用新型N型硅太阳能电池，结构合理，制作工艺简单，成本较低，光电转化率较高。
太阳能电池

[发明专利]一种N型太阳能硅单晶料的制备方法-CN201810223157.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型太阳能硅单晶料的制备方法，包括如下步骤：加料、熔化、缩颈生长、放肩生长和收尾。本发明在N型太阳能硅单晶料制备过程中直接观察制备情况，为控制硅单晶料的外形提供了有利条件，利用控制提拉速度控制晶体的直径，能够精密控制生长条件，以较快的速度获得优质大单晶，并且采用了缩颈工艺，对降低晶体的位错密度
太阳能硅单晶晶体的制备缩颈熔化精密控制生长条件速度控制镶嵌结构直接观察制备过程加料生长大单晶硅单晶放肩提拉位错收尾

[发明专利]一种复合膜片压力传感器结构-CN200810224110.0无效
发明人：王晓东;樊中朝;季安;邢波;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G01L7/08 文献下载
摘要：一种复合膜片压力传感器结构，包括：一单晶硅层，该单晶硅层的一面为凹型；一多孔硅层，该多孔硅层生长在单晶硅层凹型的内表面。本发明在不影响低量程传感器灵敏度的前提下，采用多孔硅和单晶硅复合膜片，减小膜片的非线性形变，从而减小膜片挠度，最终达到提高低量程传感器灵敏度或降低非线性的目的。
一种复合膜片压力传感器结构

[发明专利]一种超高品质单晶铜水平连铸制备工艺-CN202210895503.4在审
发明人：曾龙;李军;夏明许;李建国 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B22D11/045 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶铜制备工艺，具体涉及一种超高品质单晶铜水平连铸制备工艺，包括如下步骤：S1：制备具有(001)取向的单晶铜棒；S2：将制备得到的具有(001)取向的单晶铜棒制成单晶铜水平连铸牵引杆；S3：利用制得的单晶铜水平连铸牵引杆配合热型水平连铸机进行单晶铜的制备。与现有技术相比，本发明基于外延生长提供一种高品质单晶铜棒/线材制备方法，特别涉及单晶铜棒/线材取向控制方法，不仅可以杜绝单晶铜棒/线材水平连铸制备过程中的柱状晶现象，提高单晶铜水平连铸制备合格率，还可以严格控制水平连铸单晶铜棒/线材的晶体取向，获得(001)取向与轴向完全重合的单晶铜棒/线材，大幅度提高单晶铜的综合性能。
一种超高品质单晶铜水平制备工艺

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201480049773.7有效
发明人：旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了贯穿螺旋位错、贯穿刃型位错、微管缺陷、基底面位错和层叠缺陷的密度降低的SiC单晶以及这样的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：以(1‑100)面作为生长面使SiC单晶生长的第1工序，使{0001}面从生长的SiC单晶露出的第2工序，和使用{0001}面露出了的SiC单晶作为晶种，以{0001}面作为生长面使SiC单晶生长的第3工序。
单晶单晶生长生长面制造晶种基板螺旋位错密度降低刃型位错溶液接触温度降低温度梯度基底面贯穿晶种微管位错生长

[发明专利]一种电极浆料及其制备方法、电极片与锂离子电池-CN202310120498.4在审
发明人：张天戈;陈志伟;刘荣江 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种电极浆料及其制备方法、电极片与锂离子电池，所述电极浆料包括单晶型镍钴锰三元正极材料、钴酸锂正极材料、导电剂、粘结剂，其中，所述单晶型镍钴锰三元正极材料中的镍、锰、钴的含量比为(4～9)：(本发明中，通过将所述单晶型镍钴锰三元正极材料与所述钴酸锂正极材料共同作为锂电池的电极浆料中的正极材料，加入的所述单晶型镍钴锰三元正极材料的成本较低，从而在不影响所制备的所述电极浆料的性能的基础上，可有效改善电极浆料的制备成本高的技术问题
一种电极浆料及其制备方法锂离子电池

[实用新型]一种低耗银高效异质结太阳能电池片-CN201720606811.5有效
发明人：陈伟文;罗骞;宋广华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低耗银高效异质结太阳能电池片，包括n‑型单晶硅片，依次沉积在n‑型单晶硅片上表面的第一本征非晶硅薄膜层、P型掺杂非晶硅薄膜层、第一透明导电薄膜层，依次沉积在n‑型单晶硅片下表面的第二本征非晶硅薄膜层、N型掺杂非晶硅薄膜层、第二透明导电薄膜层，n‑型单晶硅片其中一面的第一透明导电膜层或第二透明导电膜层上设有金属栅线正电极，n‑型单晶硅片另一面的第二透明导电薄膜层或第一透明导电膜层上设有金属背电极，金属背电极由化学沉积铜层和化学沉积锡层组成
一种低耗高效异质结太阳能电池

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