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[发明专利]InP生长速率测量方法及装置-CN202210951538.5有效
发明人：陶羽宇 -专利权人：华灿光电(浙江)有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供了一种InP生长速率测量方法及装置，属于半导体技术领域。所述方法包括：采用原位测量法测量第一生长条件下InP的生长速率；获取原位测量法和XRD测量法分别测量第二生长条件下InP生长速率结果的比值；采用所述比值对原位测量法测量的所述第一生长条件下InP的生长速率进行校准，得到采用XRD测量法测量的所述第一生长条件下InP的生长速率。
inp 生长速率测量方法装置

[发明专利]高电子迁移率晶体管的制造方法-CN201510571584.2在审
发明人：山本高裕;大野彰仁;惠良淳史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：在Si衬底(1)上，以第1生长条件形成GaN沟道层(3)。在GaN沟道层(3)上，一边从第1生长条件变化为第2生长条件，一边形成GaN转变层(4)。在GaN转变层(4)上，以第2生长条件形成AlGaN电子供给层(5)。不进行生长中断而连续地形成GaN沟道层(3)、GaN转变层(4)、以及AlGaN电子供给层(5)。
电子迁移率晶体管制造方法

[发明专利]一种基于云边计算的多目标优化植物生长监测系统及方法-CN202210871544.X在审
发明人：谢兆贤;王震;姚新羽 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2022-07-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于云边计算的多目标优化植物生长监测系统及方法，涉及植物生长监测技术领域。为了解决传统温室无法灵活依据当前作物最优生长条件进行温室内环境的调整，无法使作物时时生长在最优生长环境内，对温室环境进行调整的问题。一种基于云边计算的多目标优化植物生长监测系统及方法，通过Fog Cell采用MWG算法为核心计算作物最优生长条件，MWG算法根据公式确定当前作物中最优生长作物，确定最优生长作物的生长条件，用户依据最优生长条件下达执行指令，灵活调整温室内部的温度、湿度和光照强度，保证温室内部的环境均匀一致，将温室内的环境调整至当前植物的最优生长环境，有效提高了作物的产量。
一种基于计算多目标优化植物生长监测系统方法

[实用新型]用于温室大棚监控大豆植株生长条件的监控系统-CN201821672651.5有效
发明人：袁明 -专利权人：黑龙江省农业科学院齐齐哈尔分院
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G05D27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于温室大棚监控大豆植株生长条件的监控系统，涉及农业装置领域。本实用新型所述监控系统实现了半人工干预的自动化监测，省时省力，解决因监测数据采集不及时而导致大豆植株生长条件发生变化的问题，同时，所述监控系统实现了使温室大棚中的生长条件更接近于大豆植株的自然生长条件，保证了在大豆植株研究中大豆植株生长条件的准确性。本实用新型所述监控系统实现了实时通过移动端和\或PC端查看温室大棚中大豆植株的宏观生长状况。
大豆植株监控系统生长条件温室大棚本实用新型数据存储设备无线通信设备监测数据采集自然生长条件数据采集端数据服务器自动化监测调节设备人工干预生长状况数据监控装置领域移动端监控省力省时宏观保证研究

[发明专利]细菌设计-CN201380057726.2在审
发明人：戴维·休·威廉斯;阿瑟·基思·特纳;约翰·理查德·韦恩 -专利权人：贝克特沃有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C12N15/10 文献下载
摘要：描述了在选择的生长条件下表现出改善的存活和/或生长的突变体细菌的生产方法，所述方法包括以下步骤：(a)通过采用活化转座子(TnA)的转座子诱变生产突变体细菌集合，其中所述TnA包含能够增加其插入位点处或附近基因转录的启动子；(b)在所述选择的生长条件下和在一种或多种参照条件下由所述突变体集合生长细菌从而产生两种以上测试培养物；和(c)比较测试培养物之间的TnA插入的分布以识别出在所述选择的生长条件下不利于生长和/或存活的第一类基因和在所述选择的生长条件下有利于生长和
细菌设计

[发明专利]形成低温生长缓冲层的方法、发光元件及其制造方法和发光器件-CN200610067005.1有效
发明人：牛田泰久;筱田大辅;山崎大辅;平田宏治;池本由平;柴田直树;青木和夫;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉;岛村清史 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社光波
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga₂O₃衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H₂气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga₂O₃衬底上供应包含TMG、TMA和NH₃中的两种或更多种的源气，以在Ga₂O₃衬底上形成低温生长缓冲层。
形成低温生长缓冲方法发光元件及其制造器件

[发明专利]可编程植物系统-CN201280052003.9在审
发明人： M·布兰查德;J·M·迪帕奥拉;N·德哈恩 -专利权人：先正达参股股份有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：该计算机模型可以消除与多个生长条件有关的假设，以便改进结果预测。一种方法可以包括使用该计算机模型基于一个特定植物物种和该植物的观察到的多个生长条件和/或多个表型特征来推荐不同生长条件。这些观察到的生长条件可以由多个传感器和/或种植人员输入。一种方法可以包括使用该计算机模型生成一个计划日程，该计划日程包括利于针对正在栽培的植物进行最佳日程安排的多个最佳生长条件。这些推荐和/或该计划日程可以利于比较在多个最佳条件下生长出的一株模型植物与由种植人员种植出的一株植物的多个表型特征。
可编程植物系统

[发明专利]高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法-CN201010526918.1有效
发明人：杜彦浩;吴洁君;张国义;于彤军;杨志坚;康香宁;贾传宇;孙永健;罗伟科;刘鹏 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-10-30 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放条件渐变到高质量生长条件；以周期调制的方式连续重复第一阶段和第二阶段；生长材料达到预定厚度时停止生长；以及将材料的生长效果作为反馈，调整质量调制幅度参数，确定下次材料的生长条件。
质量单晶厚膜材料外延生长方法

[实用新型]小晶体生长条件筛查装置-CN200820209975.5无效
发明人：李榕生;宋岳;杨欣;王青春;姜晶晶;刘晓利 -专利权人：宁波大学
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： B01L7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种小晶体生长条件筛查装置，属于单晶生长领域。配合物小晶体合成条件筛查工作中普遍存在昼夜温差干扰问题，本案旨在解决这一问题。本案装置的应用可以为相关筛查实验提供温度受到精细控制的较理想条件。本案装置封闭的工作面构造，还有助于防止恒温水因压力失衡而由工作面或其附近溢出。
晶体生长条件装置

[发明专利]用于监测植物的生长条件的系统-CN201280006293.3无效
发明人： F·莱恩斯;C·范达尔;F·费欧莱尼;P·勒热纳 -专利权人：巴斯夫植物科学有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： A01G7/00 文献下载
摘要：公开了一种用于监测多个植物容器（112）生长条件的系统（110）。所述系统（110）具有用于传送植物容器（112）的传送系统（118）。每个植物容器（112）包括至少一个生长培养基（114）并优选包括至少一个植物标本（116）。所述系统（110）进一步适于通过使用非接触电容式湿度传感器（132）在测量位置（130）中测量植物容器（112）的生长培养基（114）的湿度。
用于监测植物生长条件系统

[发明专利]一种棉花纤维品质监测装置-CN201811358705.5在审
发明人：僧珊珊;张永恩;邸佳颖;李灯华;庄家煜;陈威;王盛威;刘佳佳 -专利权人：中国农业科学院农业信息研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：所述监测装置包括：棉铃纤维传感器组、植株生长条件传感器组、数据采集模块和棉花纤维品质分析模块；所述棉铃纤维传感器组插入到棉铃纤维中，所述棉铃纤维传感器用于获取棉花的纤维信息；数据采集模块分别与所述棉铃纤维传感器组和所述植株生长条件传感器组连接，所述数据采集模块用于采集所述纤维信息和所述生长条件信息；所述棉花纤维品质分析模块与所述数据采集模块连接，所述棉花纤维品质分析模块用于根据所述纤维信息和所述生长条件信息分析所述棉花纤维的品质。能够在棉花生长期间实时监测棉花纤维的品质，为研究人员对棉花品质的研究和农户的高效地管理棉花提供了数据支持。
棉铃棉花纤维品质数据采集模块纤维传感器分析模块监测装置纤维条件传感器棉花纤维生长条件植株生长棉花品质棉花生长实时监测数据支持信息分析棉花组连接采集研究农户管理

[发明专利]一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法-CN202011556867.7有效
发明人：程洋;郭银涛;王俊;刘恒 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，包括：将衬底置于外延生长设备的基座上，衬底朝向基座表面的边缘和基座朝向衬底的表面不接触；在衬底背离基座的表面依次生长n型外延层、有源层和p型外延层，生长p型外延层时所需的生长条件敏感掺杂源从外延生长设备的两个气路或三个气路通入，两个气路或三个气路垂直设置。通过实施本发明，改变衬底和基座的接触性，使得衬底边缘和基座边缘的接触性变差，可以有效调节衬底表面的温度均匀性，从而可以减小温度对掺杂源掺杂不均匀的影响；并且，采用两路或三路同时通入生长条件敏感掺杂源，可以在降低温度对生长条件敏感掺杂源掺杂均匀性影响的基础上，改善生长条件敏感掺杂源的掺杂均匀性。
一种改善半导体激光器掺杂均匀方法

[发明专利]用于增加植物对胁迫条件耐受性的方法和手段-CN200480012651.7无效
发明人： M·德布洛克 -专利权人：拜尔生物科学公司
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： C12N15/82 文献下载
摘要：提供了通过降低植物中内源PARG蛋白的活性来提高植物对非生物胁迫或不利生长条件的耐受性的方法和手段，所述的非生物胁迫或不利生长条件包括干旱、高光照强度、高温、营养限制等。
用于增加植物胁迫条件耐受方法手段

[发明专利]消毒器及其控制方法-CN200610146393.2无效
发明人：崔仁虎;李周娟;金昊重 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： A61L9/00 文献下载
摘要：消毒器包括：传感器单元，测量微生物生长条件；消毒单元，产生用于消除微生物的杀菌剂；以及控制单元，根据由该传感器单元检测到的微生物生长条件，控制该消毒单元的运行条件。
消毒器及其控制方法

[发明专利]单晶薄膜铁电性的调控方法以及具有铁电性的单晶薄膜-CN202310275388.5在审
发明人：洪宾;王子岳;张帆;张悦;许涌;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶薄膜铁电性的调控方法以及具有铁电性的单晶薄膜，该调控方法包括以下步骤：获取单晶薄膜在衬底上的最佳生长条件，所述生长条件包括温度和氧压；在最佳生长条件下，生长出不同厚度的单晶薄膜；根据不同厚度的单晶薄膜与衬底之间的应力大小不同
薄膜铁电性调控方法以及具有

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