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[实用新型]用于无线保真系统级封装芯片的基板、WIFI装置和家用电器-CN201720189190.5有效
发明人：梁海浪 -专利权人：美的智慧家居科技有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于无线保真系统级封装芯片的基板、WIFI装置和家用电器，其中，基板包括：在顶层阻焊剂层的下方设置第一金属层；在第一金属层的下方设置第一半固化片层；在第一半固化片层的下方设置第二金属层；在第二金属层的下方设置第二半固化片层；在第二半固化片层的下方设置第三金属层；在第三金属层的下方设置芯层；在芯层的下方设置第四金属层；在第四金属层的下方设置第三半固化片层；在第三半固化片层的下方设置第五金属层；在第五金属层的下方设置第四半固化片层；在第四半固化片层的下方设置第六金属层；在第六金属层的下方设置底层阻焊剂层。由此，通过上述叠层设计的基板，用于无线保真系统级封装芯片，能够提高其性能。
用于无线保真系统封装芯片 wifi 装置家用电器

[发明专利]用于光伏器件应用的改善的硅薄膜沉积-CN201080020714.9无效
发明人： C·R·科丁;M·斯潘塞;K·增茂 -专利权人：北美AGC平板玻璃公司;旭硝子株式会社
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于半导电金属层的在线沉积的成本有效的方法。更具体而言，本发明提供一种在浮法玻璃生产工艺中用于p型半导电金属层、n型半导电金属层和i型半导电金属层的沉积的在线热解沉积方法。另外，本发明提供一种用于单结p-(i-)n型与n-(i-)p型半导电金属层、双结p-(i-)n型与n-(i-)p型半导电金属层、三结p-(i-)n型与n-(i-)p型半导电金属层和多结p-(i-)n型与n-(i-)p型半导电金属层的生产的在线热解沉积方法。这种p型半导电金属层、n型半导电金属层和i型半导电金属层在光伏工业中是有用的并且对作为“增值的”产品的光伏模块的制造商是有吸引力的。
用于器件应用改善薄膜沉积

[实用新型]用于无线保真系统级封装芯片的基板、WIFI装置和家用电器-CN201720191671.X有效
发明人：梁海浪 -专利权人：美的智慧家居科技有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于无线保真系统级封装芯片的基板、WIFI装置和家用电器，其中，基板包括从上到下，各层的层叠顺序依次为顶层阻焊剂层、第一金属层、第一半固化片层、第二金属层、第二半固化片层、第三金属层、第三半固化片层、第四金属层、芯层、第五金属层、第四半固化片层、第六金属层、第五半固化片层、第七金属层、第六半固化片层、第八金属层和底层阻焊剂层。由此，通过上述叠层设计的基板，用于无线保真系统级封装芯片，能够提高其性能。
用于无线保真系统封装芯片 wifi 装置家用电器

[发明专利]基于自旋半金属电极的磁隧道结、存储单元及存储设备-CN202210662604.7在审
发明人：宋延兴;柴常春;李福星;秦英朔;孟祥瑞;宋博奇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自旋半金属电极的磁隧道结，包括二维铁磁绝缘材料层以及间隔覆盖在二维铁磁绝缘材料上的第一二维自旋半金属材料层和第二二维自旋半金属材料层，其中，第一二维自旋半金属材料层和第二二维自旋半金属材料分别与二维铁磁绝缘材料层通过范德瓦尔斯相互作用形成范德瓦尔斯异质结，第一二维自旋半金属材料层作为入射电极，第二二维自旋半金属材料层作为出射电极；异质结中能够发生层间电荷转移，使二维铁磁绝缘材料层与第一二维自旋半金属材料层或第二二维自旋半金属材料层接触的区域由绝缘态转变为自旋半金属态该磁隧道结电极的自旋半金属性完全由异质结中的层间电荷转移诱导，电极和势垒层之间不存晶格失配和缺陷。
基于自旋金属电极隧道存储单元设备

[发明专利]半导体结构-CN201811083332.5在审
发明人：杨哲维;林浩雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;林浩雄
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本揭示叙述半导体装置例如晶体管，其包括位于基板上方、作为通道区的薄的半导金属层。此薄的半导金属层具有能隙开口并表现出半导体性质。所述的半导体装置包括源极/漏极区，此源极/漏极区包括较厚的半导金属层，位于作为通道区的薄的半导金属层上方。此较厚的半导金属层表现出金属性质。用于源极/漏极区的半导金属包括相同于或相似于通道区的半导金属的半导金属材料。
金属层源极/漏极区通道区半导体装置金属半导体结构半导体性质金属材料金属性质晶体管基板能隙开口表现

[发明专利]一种半金属合金材料-CN202310233834.6在审
发明人：许佳玲;贾利云;王涛;任海 -专利权人：河北建筑工程学院
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半金属合金材料，涉及合金材料技术领域，所述半金属合金材料包括：轻金属材料层、半金属材料层、稀有金属材料层和金属氧化物层，所述轻金属材料层为铝钛合金，所述半金属材料层为钙钛矿，所述稀有金属材料层为碳化铌合金，所述金属氧化物层为四氧化三铁，所述铝钛合金占合金材料主体重量的10％‑32％、所述钙钛矿占合金材料主体重量的35％‑50％，利用四氧化三铁作为金属氧化物层，以提高该半金属合金材料的抗腐蚀能力、光泽和美观程度，在一定程度上延长了半金属合金材料的使用寿命，另外，通过铝钛合金、钙钛矿和碳化铌合金的配合使用，使半金属合金材料抗热、抗压性能优秀，同时降低半金属合金材料的生产成本，并提高半金属合金材料的品质。
一种金属合金材料

[发明专利]一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管-CN201910237587.0有效
发明人：芦红;丁元丰;张克冬 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管。本发明提供的半金属/半导体肖特基结，包括半导体层和半金属层，所述半导体层和半金属层之间形成肖特基接触；其中，形成所述半金属层的化合物为稀土元素与VA族元素组成的化合物。本发明提供的半金属/半导体肖特基结中半导体层和半金属层的界面热稳定性良好，基于所述半金属/半导体肖特基结的肖特基二极管，理想因子约为1.05，噪声等效功率可降低至pW/Hz1/2
一种金属半导体肖特基结及其制备方法肖特基二极管

[实用新型]一种阻水型电力电缆-CN201520657401.4有效
发明人：杨永新 -专利权人：重庆科宝电缆股份有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01B7/285 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阻水型电力电缆，包括导体、包覆在导体外的半导电内屏蔽层、包覆在半导电内屏蔽层外的绝缘层、包覆在绝缘层外的半导电外屏蔽层、位于半导电外屏蔽层外的软铜带金属屏蔽层、位于软铜带金属屏蔽层外的金属铠装层和位于金属铠装层外的外护层，半导电内屏蔽层、绝缘层及半导电外屏蔽层为三层共挤且干式交联的三层共挤层；软铜带金属屏蔽层内、外侧重叠绕包有半导电阻水带，在半导电阻水带外侧包覆有聚丙烯隔离套；外护层由包覆在金属铠装层外的聚丙烯阻水层和包覆在聚丙烯阻水层外的PVC外护层组成。
一种阻水型电力电缆

[发明专利]一种超导-拓扑半金属复合式磁探测器-CN201911014719.X有效
发明人：伍岳;肖立业 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种超导‑拓扑半金属复合式磁探测器，涉及一种超导磁探测器，包括超导层(1)及拓扑半金属层(2)。所述的超导层(1)为闭合超导环路结构，超导环路中的一段区域采用电流压缩区域。拓扑半金属层为锯齿形条状结构。拓扑半金属层(2)位于超导层(1)闭合环路中电流压缩区域内侧，且拓扑半金属层(2)与超导层(1)中电流压缩区域之间的间距小于超导层(1)中电流压缩区域的宽度。
一种超导拓扑金属复合探测器

[发明专利]一种半金属合成反铁磁结构-CN200910081790.X无效
发明人：徐晓光;张德林;姜勇 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：一种半金属合成反铁磁结构，属于磁存储技术领域。其特征在于：以所有Co占据A位置的A₂BC型Heusler合金材料作为磁性层，制备出半金属层/钌层/半金属层的三明治结构，两个半金属层的磁化方向实现了反铁磁耦合。本发明的优点在于：在半金属合成反铁磁结构中，半金属材料中的钴元素可以与金属钌形成强反铁磁耦合，保证了三层膜的反铁磁耦合构型，同时，采用高自旋极化率，低饱和磁化强度和低矫顽力的半金属材料作为磁性层，能够使器件的磁翻转场降低
一种金属合成反铁磁结构

[发明专利]基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法-CN202210339962.4有效
发明人：李鹏;田兵;李立浧;刘仲;吕前程;骆柏锋;尹旭;张佳明;王志明;陈仁泽;徐振恒;韦杰;谭则杰;林秉章;樊小鹏;孙宏棣;林力 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法，包括：半金属氧化物自由层；绝缘氧化物隧穿层，位于所述半金属氧化物参考层之上；半金属氧化物参考层，位于所述绝缘氧化物隧穿层之上；其中，所述半金属氧化物参考层和所述半金属氧化物自由层的半金属氧化物材料均为钴酸镍材料，且所述半金属氧化物参考层的厚度大于所述半金属氧化物自由层的厚度，以使所述磁隧道结的阻值在外部磁场的作用下发生改变。
基于氧化物薄膜材料隧道及其制备方法

[实用新型]高导热金属基板-CN201520875726.X有效
发明人：吕植武 -专利权人：惠州市煜鑫达科技有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： B32B15/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高导热金属基板，能改善高导热金属基板的生产品质。该高导热金属基板包括离型膜层、在所述离型膜层之上的高导热金属基板层、在所述高导热金属基板层之上的环氧树脂半固化片层、在所述环氧树脂半固化片层之上的铜箔层、在所述铜箔层之上的离型膜层；其中所述高导热金属基板层上钻有塞树脂孔；所述环氧树脂半固化片为1080环氧树脂半固化片或2116环氧树脂半固化片；所述环氧树脂半固化片在高温高压下压进高导热金属基板的塞树脂孔中。
导热金属

[发明专利]一种反射式彩色滤光片-CN201110136699.0有效
发明人：周云;陈林森;申溯;叶燕;浦东林;周小红;方宗豹;张恒;魏国军;胡进 -专利权人：苏州大学;苏州苏大维格光电科技股份有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G02B5/26 文献下载
摘要：基底、高反金属层、共振腔层以及半反半透金属层。其中，共振腔层和半反半透金属层的交界面处为线栅结构，半反半透金属层覆盖在该线栅结构上，形成金属光栅，该金属光栅的周期小于400nm。通过调整线栅共振腔的厚度、线栅的占宽比、反射层2的厚度和覆盖层的厚度等参数，可以获得低角敏、带宽合适且旁带反射率低的反射式彩色滤光片，且可实现不同颜色的反射滤波。
一种反射彩色滤光

[实用新型]一种动力线芯结构及电缆结构-CN202320220048.8有效
发明人：李永辉;李章学;邓一权 -专利权人：四川川东电缆有限责任公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01B7/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及电缆技术领域，公开了一种动力线芯结构及电缆结构，该动力线芯结构，包括导体以及套设在所述导体上的绝缘层、内半导电层、金属/纤维编织层、外半导电层；其中，所述绝缘层、所述内半导电层、所述金属/纤维编织层以及所述外半导电层相对于所述导体的轴线由近及远设置，将所述金属/纤维编织层设置在所述内半导电层与所述外半导电层之间，形成整体结构，从而保证所述金属/纤维编织层能够随动力线芯一起移动，通过该种结构设计，大幅提高了金属/纤维编织层的金属丝抗频繁弯折性能；且还提供了一种电缆结构，基于上述动力线芯结构，大大的延长了电缆的使用寿命。
一种动力结构电缆

[发明专利]一种太赫兹探测器-CN202110761673.9在审
发明人：李浩文;周靖;陈效双;夏国强;付兰克 -专利权人：深圳网联光仪科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹探测器，包括：衬底层；设置在所述衬底层之上的金属反射层；设置在所述金属反射层之上的介电间隔层；对称设置在所述介电间隔层之上的第一狄拉克半金属层和第二狄拉克半金属层；以及设置在所述介电间隔层之上且位于所述第一狄拉克半金属层和所述第二狄拉克半金属层之间的金属光栅层本发明的太赫兹探测器通过设计各向异性的光学天线与狄拉克半金属层的复合结构，基于等离激元谐振腔的高偏振辨别激发、阻抗匹配耦合，把偏振方向垂直于金属光栅的入射光高效地转化成为与狄拉克半金属层充分交叠的亚波长强光场，大幅提高狄拉克半金属层的光吸收和光响应，器件具有更高偏振消光比、更高集成度、更高响应率和更低的功耗。
一种赫兹探测器

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